-
公开(公告)号：CN1810923A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510005148.5
申请日：2005-01-28
Applicant: 吕宗昕
Inventor： 吕宗昕
Abstract: 本发明提供一种新型荧光材料，其组成为(SraMbLnc)SiOnXp，其中M为选自Li、Na、K、Al、B、Mg、Ca、Ba、Ni及Zn中的一种或一种以上的元素，Ln为选自Mn、Cu、Sn、Sb、Bi、Pb及稀土元素中的一种或一种以上的元素，X为选自卤素中的一种或一种以上的元素，a范围为1.0至2.3，b范围为0至1.0，c范围为0.001至0.5，n范围为3.6至4.3，且p范围为0.001至0.5。本发明同时提供了关于应用上述荧光材料的发光二极管、平面显示器及其它发光组件。
-
公开(公告)号：CN103137437B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210477835.7
申请日：2012-11-22
Applicant: 吕宗昕
CPC classification number: H01L31/0321 , C23C14/165 , C23C14/5866 , C23C18/1204 , C23C18/1279 , H01L21/0237 , H01L21/02568 , H01L21/02573 , H01L21/02587 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/032 , H01L31/0323 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种制造掺杂Bi的IB?IIIA?ⅥA化合物的光吸收层的方法与包含其的太阳能电池。光吸收层的制备方法包括：将含有元素周期表IB族、ⅢA族和铋(Bi,Bismuth)的化合物置于包括ⅥA族化合物的气氛中进行热处理，使该化合物形成掺杂Bi(bismuth?doped)的IB?ⅢA?ⅥA化合物。另外，本发明亦提供一种制作掺杂Bi的光吸收层的太阳能电池，该光吸收层是由上述方法制备而得，可进一步应用于制作光电材料。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103361055A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310111580.7
申请日：2013-04-01
Applicant: 吕宗昕
CPC classification number: C09K11/7783 , C09K11/7743 , C09K11/7766 , H01L33/502 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明荧光粉体及发光装置，提供一种包括碱土族离子、Si离子、N离子及Tb离子的荧光粉体，其中，Tb离子为发光中心。该荧光粉体于激发后具有宽放射峰。本发明的荧光粉体，可用于发光装置，以符合产业利用的需求。
-
公开(公告)号：CN103137437A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210477835.7
申请日：2012-11-22
Applicant: 吕宗昕
CPC classification number: H01L31/0321 , C23C14/165 , C23C14/5866 , C23C18/1204 , C23C18/1279 , H01L21/0237 , H01L21/02568 , H01L21/02573 , H01L21/02587 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/032 , H01L31/0323 , H01L31/0749 , H01L31/18 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种制造掺杂Bi的IB-IIIA-ⅥA化合物的光吸收层的方法与包含其的太阳能电池。光吸收层的制备方法包括：将含有元素周期表IB族、ⅢA族和铋(Bi,Bismuth)的化合物置于包括ⅥA族化合物的气氛中进行热处理，使该化合物形成掺杂Bi(bismuth-doped)的IB-ⅢA-ⅥA化合物。另外，本发明亦提供一种制作掺杂Bi的光吸收层的太阳能电池，该光吸收层是由上述方法制备而得，可进一步应用于制作光电材料。
-
公开(公告)号：CN1800301A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200410103137.6
申请日：2004-12-31
Applicant: 吕宗昕
Inventor： 吕宗昕
Abstract: 本发明提供一种新型荧光材料，其组成为(SrxMyLnz)SiOn，其中M为选自Mg、Ca、Ba、Zn和Eu中的一种或一种以上的元素，Ln为选自Sc、Y、Mn、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu中的一种或一种以上的元素，且M与Ln非属同一元素，x范围为2.5至3.5，y范围为0.01至0.5，z范围为0.01至0.5，n范围为4.5至5.5。本发明同时提供了关于应用上述荧光材料的发光二极管、平面显示器及其它发光组件。
-
公开(公告)号：CN103361055B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310111580.7
申请日：2013-04-01
Applicant: 吕宗昕
CPC classification number: C09K11/7783 , C09K11/7743 , C09K11/7766 , H01L33/502 , Y10T428/2982
Abstract: 本发明，荧光粉体及发光装置，提供一种包括碱土族离子、Si离子、N离子及Tb离子的荧光粉体，其中，Tb离子为发光中心。该荧光粉体于激发后具有宽放射峰。本发明的荧光粉体，可用于发光装置，以符合产业利用的需求。
-
公开(公告)号：CN1900215A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200510085209.3
申请日：2005-07-19
Applicant: 吕宗昕
Inventor： 吕宗昕
Abstract: 本发明提供一种新型荧光材料，其组成为(SraMbNcLd)SiOn，其中M为选自Mg、Ca、Ba、Zn、Li、Na、K中的一种或一种以上的元素，N为选自Li、Na、K中的一种或一种以上的元素，L为选自Mn、Cu、Sn、Sb、Bi、Pb及稀土元素中的一种或一种以上的元素。a的范围为2.5至3.5，b的范围为0.001至0.5，c的范围为0.001至0.5，d的范围为0.001至0.5，n的范围为4.7至5.5。本发明还提供了上述荧光材料的制备方法。本发明同时记载了应用上述荧光材料的发光二极管、平面显示器及其它发光组件。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.015 seconds)
