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公开(公告)号:CN103145112B
公开(公告)日:2014-11-19
申请号:CN201310106226.5
申请日:2013-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/00
Abstract: 一种BN-Si2N2O复合陶瓷及其制备方法,它涉及一种氮化硼基陶瓷材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有氮化硼基复合材料的制备方法存在制备成本高、效率低和难于制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的问题。一种BN-Si2N2O复合陶瓷由非晶态纳米二氧化硅、氮化硅粉末和六方氮化硼粉末制成;方法:一、称量;二、球磨制浆料;三、干燥制粉;四、预压成型;五、冷等静压处理;六、烧结处理,即得到BN-Si2N2O复合陶瓷。本发明优点:降低了制备成本高,提高了效率,降低了制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的难度。本发明主要用于制备BN-Si2N2O复合陶瓷。
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公开(公告)号:CN103964860A
公开(公告)日:2014-08-06
申请号:CN201410186383.6
申请日:2014-05-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/5833 , C04B35/63
Abstract: 一种以纳米硅溶胶为烧结助剂热压制备的氮化硼基透波复合材料及其制备方法,本发明涉及氮化硼基透波复合材料及其制备方法。本发明要解决现有氮化硼透波陶瓷复合材料的度低、韧性差的不足的技术问题。氮化硼基透波复合材料按体积百分比非晶态纳米SiO2为10%~40%和六方氮化硼粉末为60%~90%制成;方法:一、混合,球磨,制得浆料;二、研碎、过筛,得到混料;三、烧结,冷却。本发明获得的氮化硼基透波复合材料的力学性能,热学性能和介电性能均达到天线窗材料的要求。本发明具有制备过程简单、工艺可控、能够制造大尺寸天线窗陶瓷材料,适于批量生产的优点。本发明用于制备氮化硼基透波复合材料。
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公开(公告)号:CN103964860B
公开(公告)日:2015-09-09
申请号:CN201410186383.6
申请日:2014-05-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/5833 , C04B35/63
Abstract: 一种以纳米硅溶胶为烧结助剂热压制备的氮化硼基透波复合材料的制备方法,本发明涉及氮化硼基透波复合材料的制备方法。本发明要解决现有氮化硼透波陶瓷复合材料的度低、韧性差的不足的技术问题。方法:一、混合,球磨,制得浆料;二、研碎、过筛,得到混料;三、烧结,冷却。本发明获得的氮化硼基透波复合材料的力学性能,热学性能和介电性能均达到天线窗材料的要求。本发明具有制备过程简单、工艺可控、能够制造大尺寸天线窗陶瓷材料,适于批量生产的优点。本发明用于制备氮化硼基透波复合材料。
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公开(公告)号:CN103145112A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201310106226.5
申请日:2013-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/00
Abstract: 一种BN-Si2N2O复合陶瓷及其制备方法,它涉及一种氮化硼基陶瓷材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有氮化硼基复合材料的制备方法存在制备成本高、效率低和难于制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的问题。一种BN-Si2N2O复合陶瓷由非晶态纳米二氧化硅、氮化硅粉末和六方氮化硼粉末制成;方法:一、称量;二、球磨制浆料;三、干燥制粉;四、预压成型;五、冷等静压处理;六、烧结处理,即得到BN-Si2N2O复合陶瓷。本发明优点:降低了制备成本高,提高了效率,降低了制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的难度。本发明主要用于制备BN-Si2N2O复合陶瓷。
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