一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法

    公开(公告)号:CN103755352A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201410031875.8

    申请日:2014-01-23

    Abstract: 一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,本发明涉及多孔BN/Si3N4复合陶瓷的表面封孔工艺。本发明要解决现有的多孔BN/Si3N4复合透波陶瓷封孔层材料对整体材料介电性能的影响大,且较难满足高温使用要求的问题。方法:一、按比例称取原料;二、制备封孔浆料;三、采用真空浸渍法制备封孔层;四、进行干燥处理,热处理。本发明所述制备方法工艺简单,封孔层厚度均匀、致密,封孔层由Si3N4和Si2N2O复合陶瓷构成,可以通过控制Si3N4和SiO2比例实现对封孔层物相组成的控制。封孔处理后的多孔BN/Si3N4复合陶瓷可作为承载、透波和热防护材料,用于航空航天、机械工业领域。

    一种具有球形气孔结构的BN/Si3N4复合陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN103232264A

    公开(公告)日:2013-08-07

    申请号:CN201310135823.0

    申请日:2013-04-18

    Abstract: 一种具有球形气孔结构的BN/Si3N4复合陶瓷的制备方法,它涉及一种多孔复合陶瓷的制备方法。本发明是要解决现有方法制备的陶瓷材料由于气孔重叠和气孔形状不规整而导致材料的稳定性和可靠性下降的问题,本发明的具体方法为:一、制备混合粉体;二、制备浆料;三、制备干燥后的生坯;四、将干燥后的生坯在空气炉中进行脱脂和脱除造孔剂处理,然后进行烧结,即得到具有球形气孔结构的多孔BN/Si3N4复合陶瓷。本发明适用于航空航天和机械工业领域。

    一种BN-Si2N2O复合陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN103145112A

    公开(公告)日:2013-06-12

    申请号:CN201310106226.5

    申请日:2013-03-29

    Abstract: 一种BN-Si2N2O复合陶瓷及其制备方法,它涉及一种氮化硼基陶瓷材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有氮化硼基复合材料的制备方法存在制备成本高、效率低和难于制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的问题。一种BN-Si2N2O复合陶瓷由非晶态纳米二氧化硅、氮化硅粉末和六方氮化硼粉末制成;方法:一、称量;二、球磨制浆料;三、干燥制粉;四、预压成型;五、冷等静压处理;六、烧结处理,即得到BN-Si2N2O复合陶瓷。本发明优点:降低了制备成本高,提高了效率,降低了制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的难度。本发明主要用于制备BN-Si2N2O复合陶瓷。

    一种具有球形气孔结构的BN/Si3N4复合陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN103232264B

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201310135823.0

    申请日:2013-04-18

    Abstract: 一种具有球形气孔结构的BN/Si3N4复合陶瓷的制备方法,它涉及一种多孔复合陶瓷的制备方法。本发明是要解决现有方法制备的陶瓷材料由于气孔重叠和气孔形状不规整而导致材料的稳定性和可靠性下降的问题,本发明的具体方法为:一、制备混合粉体;二、制备浆料;三、制备干燥后的生坯;四、将干燥后的生坯在空气炉中进行脱脂和脱除造孔剂处理,然后进行烧结,即得到具有球形气孔结构的多孔BN/Si3N4复合陶瓷。本发明适用于航空航天和机械工业领域。

    一种以金属铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN102173803B

    公开(公告)日:2013-02-20

    申请号:CN201110027087.8

    申请日:2011-01-25

    Abstract: 一种以金属铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法,它涉及一种硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法。它解决了现有制备硅硼碳氮铝材料的方法存在成本高、工艺复杂、难于控制、产量低和成型过程伴有分解的问题。方法:一、称取立方硅粉、六方氮化硼、石墨和金属铝粉为原料;二、原料球磨,得到非晶态的硅硼碳氮铝粉末;三、非晶态的硅硼碳氮铝粉末进行气氛热压烧结即完成。本发明具有制备过程简单、工艺可控、成型过程没有分解、成本低、产量高,适于工业化生产等优点,可成为开发硅硼碳氮铝陶瓷复合材料在工业中应用的有效手段;所得以金属铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的力学性能好。

    一种非晶硅硼碳氮铝粉体材料的制备方法

    公开(公告)号:CN102173805A

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN201110027090.X

    申请日:2011-01-25

    Abstract: 一种非晶硅硼碳氮铝粉体材料的制备方法,它涉及一种硅硼碳氮铝粉体材料的制备方法。它解决了现有制备硅硼碳氮铝材料的方法存在成本高、工艺复杂、难于控制和产量低的问题。方法:一、称取立方硅粉、六方氮化硼、石墨和氮化铝粉(或金属铝粉)为原料;二、在手套箱中,将称取的原料和氮化硅磨球共同放入氮化硅球磨罐中,密封后从手套箱中取出,安装到球磨机上球磨,球磨结束后,再将氮化硅球磨罐置于手套箱中进行取粉,取出的粉即为非晶硅硼碳氮铝粉体。本发明提出用机械合金化的方法制备非晶硅硼碳氮铝粉体材料,具有制备过程简单、工艺易于控制、成本低、产量高,适于工业化生产等优点。

    一种以金属铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN102173803A

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN201110027087.8

    申请日:2011-01-25

    Abstract: 一种以金属铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法,它涉及一种硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法。它解决了现有制备硅硼碳氮铝材料的方法存在成本高、工艺复杂、难于控制、产量低和成型过程伴有分解的问题。方法:一、称取立方硅粉、六方氮化硼、石墨和金属铝粉为原料;二、原料球磨,得到非晶态的硅硼碳氮铝粉末;三、非晶态的硅硼碳氮铝粉末进行气氛热压烧结即完成。本发明具有制备过程简单、工艺可控、成型过程没有分解、成本低、产量高,适于工业化生产等优点,可成为开发硅硼碳氮铝陶瓷复合材料在工业中应用的有效手段;所得以金属铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的力学性能好。

    一种以氮化铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN102173804A

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN201110027089.7

    申请日:2011-01-25

    Abstract: 一种以氮化铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法,它涉及一种硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的制备方法。它解决了现有制备硅硼碳氮铝材料的方法存在成本高、工艺复杂和难于制造大尺寸块体陶瓷材料的问题。方法:一、称取立方硅粉、六方氮化硼、石墨和氮化铝粉为原料;二、原料球磨,得到非晶态的硅硼碳氮铝粉末;三、非晶态的硅硼碳氮铝粉末进行气氛热压烧结即完成。本发明具有制备过程简单、工艺可控、能够制造大尺寸块体陶瓷材料、成本低、产量高,适于工业化生产等优点,可成为开发硅硼碳氮铝陶瓷复合材料在工业中应用的有效手段;所得以氮化铝粉为铝源的非晶和纳米晶硅硼碳氮铝陶瓷复合材料的力学性能好。

    一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法

    公开(公告)号:CN103755352B

    公开(公告)日:2015-04-08

    申请号:CN201410031875.8

    申请日:2014-01-23

    Abstract: 一种多孔BN/Si3N4复合陶瓷封孔层的制备方法,本发明涉及多孔BN/Si3N4复合陶瓷的表面封孔工艺。本发明要解决现有的多孔BN/Si3N4复合透波陶瓷封孔层材料对整体材料介电性能的影响大,且较难满足高温使用要求的问题。方法:一、按比例称取原料;二、制备封孔浆料;三、采用真空浸渍法制备封孔层;四、进行干燥处理,热处理。本发明所述制备方法工艺简单,封孔层厚度均匀、致密,封孔层由Si3N4和Si2N2O复合陶瓷构成,可以通过控制Si3N4和SiO2比例实现对封孔层物相组成的控制。封孔处理后的多孔BN/Si3N4复合陶瓷可作为承载、透波和热防护材料,用于航空航天、机械工业领域。

    一种BN-Si2N2O复合陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN103145112B

    公开(公告)日:2014-11-19

    申请号:CN201310106226.5

    申请日:2013-03-29

    Abstract: 一种BN-Si2N2O复合陶瓷及其制备方法,它涉及一种氮化硼基陶瓷材料及其制备方法。本发明的目的是要解决现有氮化硼基复合材料的制备方法存在制备成本高、效率低和难于制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的问题。一种BN-Si2N2O复合陶瓷由非晶态纳米二氧化硅、氮化硅粉末和六方氮化硼粉末制成;方法:一、称量;二、球磨制浆料;三、干燥制粉;四、预压成型;五、冷等静压处理;六、烧结处理,即得到BN-Si2N2O复合陶瓷。本发明优点:降低了制备成本高,提高了效率,降低了制备大尺寸氮化硼基陶瓷构件的难度。本发明主要用于制备BN-Si2N2O复合陶瓷。

Patent Agency Ranking