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公开(公告)号:CN118624048A
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202410696127.5
申请日:2024-05-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01K7/16 , C09D183/16 , C09D7/61
Abstract: 本发明提供了一种适用于高温有氧环境下的SiBCN陶瓷传感器及其制备方法,属于传感器技术领域,所述适用于高温有氧环境下的SiBCN陶瓷传感器为敏感元表面包覆有涂层的SiBCN陶瓷传感器;所述涂层包含SiBCN、ZrO2、SiO2和BN。本发明提供的适用于高温有氧环境下的SiBCN陶瓷传感器高温抗氧化性能优异、测温范围广(室温~1200℃)、耐氧腐蚀性能好,可应用于1200℃有氧环境的温度测量,解决了现有SiBCN传感器使用温度均低于1000℃,无法满足高温有氧环境的使用需求的问题。
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公开(公告)号:CN115745626B
公开(公告)日:2023-07-28
申请号:CN202211428395.6
申请日:2022-11-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/589 , C04B35/583 , C04B35/622 , C04B35/64 , G01K7/16
Abstract: 本发明提供了一种氧化石墨烯改性SiBCN陶瓷温度传感器及其制备方法,属于温度传感器技术领域,该温度传感器的制备方法包括:S1.将片状氧化石墨烯和N,N‑二甲基甲酰胺的混合物在密封条件下进行超声分散,得到氧化石墨烯分散液;S2.将氧化石墨烯分散液与聚硼硅氮烷混匀,得到混合液;S3.将混合液进行热交联、粉碎、筛分,得到改性聚硼硅氮烷粉末;S4.将混合液与改性聚硼硅氮烷粉末的混合物进行热压成型,得到圆柱形素坯;S5.在圆柱形素坯表面钻两个小孔,并在所述小孔中插入钨丝,经热解处理,得到氧化石墨烯改性SiBCN陶瓷温度传感器。本发明提供的温度传感器的制备方法简单,所制得的温度传感器尺寸小、测温范围广、耐氧腐蚀、灵敏度高。
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公开(公告)号:CN115745626A
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202211428395.6
申请日:2022-11-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/589 , C04B35/583 , C04B35/622 , C04B35/64 , G01K7/16
Abstract: 本发明提供了一种氧化石墨烯改性SiBCN陶瓷温度传感器及其制备方法,属于温度传感器技术领域,该温度传感器的制备方法包括:S1.将片状氧化石墨烯和N,N‑二甲基甲酰胺的混合物在密封条件下进行超声分散,得到氧化石墨烯分散液;S2.将氧化石墨烯分散液与聚硼硅氮烷混匀,得到混合液;S3.将混合液进行热交联、粉碎、筛分,得到改性聚硼硅氮烷粉末;S4.将混合液与改性聚硼硅氮烷粉末的混合物进行热压成型,得到圆柱形素坯;S5.在圆柱形素坯表面钻两个小孔,并在所述小孔中插入钨丝,经热解处理,得到氧化石墨烯改性SiBCN陶瓷温度传感器。本发明提供的温度传感器的制备方法简单,所制得的温度传感器尺寸小、测温范围广、耐氧腐蚀、灵敏度高。
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公开(公告)号:CN116041073B
公开(公告)日:2023-11-10
申请号:CN202310072275.5
申请日:2023-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种改性SiBCN陶瓷材料及其制备方法,属于陶瓷基复合材料技术领域,该陶瓷材料的制备方法包括:S1.将液态聚硼硅氮烷进行交联固化、粉碎,得到聚硼硅氮烷粉末;S2.将聚硼硅氮烷粉末与活性填料进行球磨混合、筛分,得到改性聚硼硅氮烷粉末;S3.将所述改性聚硼硅氮烷粉末与液态聚硼硅氮烷混合,经热压成型,得到素坯;S4.将所述素坯进行热解处理,得到所述改性SiBCN陶瓷材料。本发明提供的制备方法工艺简单,成本低,制得的陶瓷材料介电常数低、介电损耗角正切低、耐氧腐蚀,可在极端环境下使用。
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公开(公告)号:CN116041073A
公开(公告)日:2023-05-02
申请号:CN202310072275.5
申请日:2023-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种改性SiBCN陶瓷材料及其制备方法,属于陶瓷基复合材料技术领域,该陶瓷材料的制备方法包括:S1.将液态聚硼硅氮烷进行交联固化、粉碎,得到聚硼硅氮烷粉末;S2.将聚硼硅氮烷粉末与活性填料进行球磨混合、筛分,得到改性聚硼硅氮烷粉末;S3.将所述改性聚硼硅氮烷粉末与液态聚硼硅氮烷混合,经热压成型,得到素坯;S4.将所述素坯进行热解处理,得到所述改性SiBCN陶瓷材料。本发明提供的制备方法工艺简单,成本低,制得的陶瓷材料介电常数低、介电损耗角正切低、耐氧腐蚀,可在极端环境下使用。
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