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公开(公告)号：CN117867637B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410111971.7
申请日：2024-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用倾斜单温区合成炉一步制备单晶生长用高纯硒锗镓钡多晶料的方法，它涉及单晶生长用多晶料的制备方法。它是要解决现有合成BGGSe多晶料的方法制备的BGGSe多晶料纯度低，进而影响生长的单晶品质的技术问题。本方法：一、在惰性气氛的手套箱中按化学计量比称取的Ba源、Ga源、Ge源和Se源及过量的Ba源和Ge源；再称取提供压力气体氛围的物质；将原料分组放在圆筒状坩埚和石英管中，再将圆筒状坩埚放在石英管中，抽真空再注入惰性气体后密封；放在倾斜单温区管式炉中分步反应，得到高纯硒锗镓钡多晶料BaGa2GeSe6，其晶胞结构参数与相关理论值一致，各元素均符合化学计量比，纯度高，可用于单晶生长。
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公开(公告)号：CN119121407B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411254059.3
申请日：2024-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种减少重力影响生长低光学吸收高均匀性碲铟铅单晶的方法，它涉及碲铟铅单晶的生长方法。它是要解决现有的PIT晶体生长方法存在晶体开裂严重、光学吸收强、晶体内部元素分布不均匀的问题。本方法：将Pb源、In源和Te源和额外的In2Te3置于圆筒状坩埚中，再向石英管中加入单质Te后熔融密封；将石英管放入倾斜单温区管式炉中反应，得到PIT多晶，再将多晶料装入带有籽晶阱的热解氮化硼坩埚内并放入石英管中真空密封；在多温区水平晶体生长炉中进行单晶生长，得到PIT单晶体。切成的6mm厚双面抛光晶片在2～3μm波段内透过率接近60％，在2.09μm处光学吸收小于0.11cm‑1，可用于工业、医疗和能源领域。
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公开(公告)号：CN119121391A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411254058.9
申请日：2024-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 水平梯度结晶法制备单晶生长用碲铟铅多晶料的方法，它涉及碲铟铅多晶料的制备方法。它是要解决现有PIT单晶体开裂严重、光学吸收强的技术问题。本方法：称取Pb源、In源、Te源和In2Te3原料放在一个坩埚中，将提供气氛压力的Te放在另一个坩埚中，再将两个坩埚置于石英管两端，充入惰性气体后熔封；将石英管放入双温区水平管式炉中，原料坩埚放在高温区，另一坩埚放在低温区，经过反应阶段、均质化阶段、梯度结晶阶段和降温阶段，得到碲铟铅多晶料。用该多晶料生长单晶，厚度为4.385mm并双面抛光的晶片在2.09μm处光学吸收小于0.17cm‑1，可借助激光器泵浦输出中远红外激光，用于工业、医疗和能源领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117867649A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410111972.1
申请日：2024-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 水平梯度结晶法提纯硒锗镓钡多晶料并生长高透过率晶体的方法，它涉及硒锗镓钡多晶料提纯及单晶体生长方法。它是要解决现有方法合成的BaGa2GeSe6多晶体纯度低，进而影响单晶体的透过率的技术问题。本方法：先按BaGa2GeSe6的化学计量比称取Ba源、Ga源、Ge源和Se源置于坩埚中，再放入石英管中，抽真空并熔融密封；放在水平管式炉中通过反应阶段、均质化阶段和梯度结晶阶段进行多晶合成；然后捣碎在垂直布里奇曼单晶生长炉中生长BGGSe单晶。本发明生长出单晶的透过率在0.6～17μm宽范围内大于55％。可用于非线性光学变频技术领域。
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公开(公告)号：CN117867637A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410111971.7
申请日：2024-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用倾斜单温区合成炉一步制备单晶生长用高纯硒锗镓钡多晶料的方法，它涉及单晶生长用多晶料的制备方法。它是要解决现有合成BGGSe多晶料的方法制备的BGGSe多晶料纯度低，进而影响生长的单晶品质的技术问题。本方法：一、在惰性气氛的手套箱中按化学计量比称取的Ba源、Ga源、Ge源和Se源及过量的Ba源和Ge源；再称取提供压力气体氛围的物质；将原料分组放在圆筒状坩埚和石英管中，再将圆筒状坩埚放在石英管中，抽真空再注入惰性气体后密封；放在倾斜单温区管式炉中分步反应，得到高纯硒锗镓钡多晶料BaGa2GeSe6，其晶胞结构参数与相关理论值一致，各元素均符合化学计量比，纯度高，可用于单晶生长。
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公开(公告)号：CN119121391B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411254058.9
申请日：2024-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 水平梯度结晶法制备单晶生长用碲铟铅多晶料的方法，它涉及碲铟铅多晶料的制备方法。它是要解决现有PIT单晶体开裂严重、光学吸收强的技术问题。本方法：称取Pb源、In源、Te源和In2Te3原料放在一个坩埚中，将提供气氛压力的Te放在另一个坩埚中，再将两个坩埚置于石英管两端，充入惰性气体后熔封；将石英管放入双温区水平管式炉中，原料坩埚放在高温区，另一坩埚放在低温区，经过反应阶段、均质化阶段、梯度结晶阶段和降温阶段，得到碲铟铅多晶料。用该多晶料生长单晶，厚度为4.385mm并双面抛光的晶片在2.09μm处光学吸收小于0.17cm‑1，可借助激光器泵浦输出中远红外激光，用于工业、医疗和能源领域。
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公开(公告)号：CN119121407A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411254059.3
申请日：2024-09-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种减少重力影响生长低光学吸收高均匀性碲铟铅单晶的方法，它涉及碲铟铅单晶的生长方法。它是要解决现有的PIT晶体生长方法存在晶体开裂严重、光学吸收强、晶体内部元素分布不均匀的问题。本方法：将Pb源、In源和Te源和额外的In2Te3置于圆筒状坩埚中，再向石英管中加入单质Te后熔融密封；将石英管放入倾斜单温区管式炉中反应，得到PIT多晶，再将多晶料装入带有籽晶阱的热解氮化硼坩埚内并放入石英管中真空密封；在多温区水平晶体生长炉中进行单晶生长，得到PIT单晶体。切成的6mm厚双面抛光晶片在2～3μm波段内透过率接近60％，在2.09μm处光学吸收小于0.11cm‑1，可用于工业、医疗和能源领域。
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公开(公告)号：CN117867649B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410111972.1
申请日：2024-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 水平梯度结晶法提纯硒锗镓钡多晶料并生长高透过率晶体的方法，它涉及硒锗镓钡多晶料提纯及单晶体生长方法。它是要解决现有方法合成的BaGa2GeSe6多晶体纯度低，进而影响单晶体的透过率的技术问题。本方法：先按BaGa2GeSe6的化学计量比称取Ba源、Ga源、Ge源和Se源置于坩埚中，再放入石英管中，抽真空并熔融密封；放在水平管式炉中通过反应阶段、均质化阶段和梯度结晶阶段进行多晶合成；然后捣碎在垂直布里奇曼单晶生长炉中生长BGGSe单晶。本发明生长出单晶的透过率在0.6～17μm宽范围内大于55％。可用于非线性光学变频技术领域。
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