公开(公告)号：CN116960057A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310933530.0

申请日：2023-07-27

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  华为技术有限公司

Inventor： 王晨曦 ,  牛帆帆 ,  魏潇赟 ,  王敏才 ,  邓抄军

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/603

Abstract: 本发明涉及芯片制造技术领域，具体而言，涉及一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法。该方法包括：制备硅基Cu/SiO2混合键合样品和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品后进行等离子体活化处理；将经等离子体活化处理后Cu/SiO2混合键合样品浸泡于有机酸溶液中，清洗后吹干；在吹干后的硅基和/或金刚石基Cu/SiO2混合键合样品的待键合表面上滴加氢氟酸溶液，将硅基和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品对准贴合进行预键合，得到预键合芯片；将预键合芯片进行热压键合，退火处理，得到混合键合样品对。本发明实现了以Cu/SiO2混合键合为基础的硅/金刚石三维异质集成。

公开(公告)号：CN115513125A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202110691142.7

申请日：2021-06-22

Applicant: 华为技术有限公司 ,  哈尔滨工业大学

Inventor： 魏潇赟 ,  朱江波 ,  代兵 ,  孙华锐 ,  邓抄军

IPC: H01L21/768

Abstract: 本申请实施例公开了一种垂直互连结构及其制造方法，属于芯片制造技术领域。该方法包括提供金刚石衬底，所述金刚石衬底具有孔。在所述孔中形成导电柱。所述导电柱与孔壁接触的表面的材料为钛、钨、锰、铁、铬、镍、铂、金、银中的至少一种。金属钛、钨、锰、铁、铬、镍、铂、金、银与金刚石之间的浸润性较好，能够使导电柱与金刚石衬底形成良好的结合，从而避免导电柱脱落。

公开(公告)号：CN114695287A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202011627346.6

申请日：2020-12-31

Applicant: 华为技术有限公司 ,  哈尔滨工业大学

Inventor： 魏潇赟 ,  代兵 ,  赵柯臣 ,  邓抄军 ,  杨勇

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/40

Abstract: 本申请实施例公开了一种连接散热片和芯片的方法和芯片结构，属于芯片散热技术领域。所述方法包括：在散热片的第一表面形成第一金属层；在芯片的第二表面形成第二金属层；在所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一层上涂覆纳米金属颗粒粘接材料，形成纳米金属颗粒粘接材料层；将所述散热片和所述芯片相对重叠，使得所述纳米金属颗粒粘接材料层夹设于所述第一金属层和所述第二金属层之间；对重叠在一起的所述散热片和所述芯片加温加压，使得所述纳米金属颗粒粘接材料烧结，以将所述散热片和所述芯片连接在一起，增加连接的可靠性，提高产品良率。

公开(公告)号：CN114695133B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202210300888.5

申请日：2022-03-25

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 朱嘉琦 ,  赵柯臣 ,  代兵 ,  邓抄军 ,  魏潇赟 ,  赵继文 ,  韩杰才

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/373 ,  B23K26/382 ,  B23K26/402

Abstract: 一种带通孔金刚石集成三维芯片的制备方法，涉及三维芯片的制备方法。本发明要解决当金刚石应用于3D‑IC集成时，现有传统TSV制备及相应集成工艺不完全适用于金刚石，存在高深宽比金刚石通孔制备难、高深宽比金刚石通孔的电镀沉铜难以及如何进行三维集成工序相兼容的问题。方法：一、金刚石通孔的制备；二、金刚石和芯片的键合；三、金刚石通孔的金属填充；四、表面抛光及清洗。本发明用于带通孔金刚石集成三维芯片的制备。

公开(公告)号：CN115568481A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202110687669.2

申请日：2021-06-21

Applicant: 华为技术有限公司 ,  哈尔滨工业大学

Inventor： 魏潇赟 ,  代兵 ,  赵继文 ,  赵柯臣 ,  杨勇 ,  邓抄军

IPC: A21B5/08 ,  B32B3/30 ,  B32B7/027 ,  B32B9/00 ,  B32B9/04 ,  B32B15/04 ,  B32B15/18 ,  B32B33/00 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

Abstract: 本公开涉及热传导模块及制备方法和应用、电子产品，属于散热技术领域。该热传导模块的制备方法包括：对金刚石晶片和衬底依次进行清洗处理和活化处理，得到预处理金刚石晶片和预处理衬底；在预处理金刚石晶片上依次沉积第一金属粘合层和第一金属键合层，以及，在预处理衬底上依次沉积第二金属粘合层和第二金属键合层；通过原子扩散工艺，使第一金属键合层和第二金属键合层进行键合，得到热传导模块。该方法操作工艺简单可靠，利于放宽对金刚石晶片的表面粗糙度的要求，成本更低，成品率高，便于规模化推广应用。所制备得到的热传导模块，利用金刚石高导热特性实现局部“热点”的快速降温，利用金刚石各向同性导热特性实现均温。