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公开(公告)号：CN119480851A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202311006067.1
申请日：2023-08-10
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/768
Abstract: 本申请实施例提供一种连接组件及制备方法、互连组件及制备方法、电子设备，涉及机械结构领域，用于改善连接组件的性能。连接组件包括第一待连接件和设置于第一待连接件上的第一连接膜。第一连接膜包括金属层和位于金属层内的多个孔洞。沿第一待连接件指向第一连接膜的方向，多个孔洞的分布密度逐渐增大。
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公开(公告)号：CN117245238B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311223856.0
申请日：2023-09-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K26/60 , B23K26/70 , B23K26/36 , B23K26/362 , B23K26/20 , B23K26/402 , B23K26/324 , G16C60/00 , G06F30/20 , G06T17/00 , G06F119/08 , G06F119/06 , G06F113/10 , G06F113/26 , G06F113/22
Abstract: 金刚石微流道加工方法，涉及电子器件散热领域。解决了目前复杂形状金刚石微流道难以加工的问题。本发明方法先进行3维微流道模型建模，对其分割，形成衬底和微流道加工层，并对微流道加工层进行切换形成N个单层切片，并对切片格式转化及切片合并；形成单层的激光切割路径总矢量图；按激光切割路径总矢量图中的切割路径对N个金刚石片进行激光烧蚀加工；并对激光烧蚀加工后的金刚石片累加键合，完成对金刚石复杂结构微流道的加工。
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公开(公告)号：CN115568481A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110687669.2
申请日：2021-06-21
IPC: A21B5/08 , B32B3/30 , B32B7/027 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B15/04 , B32B15/18 , B32B33/00 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本公开涉及热传导模块及制备方法和应用、电子产品，属于散热技术领域。该热传导模块的制备方法包括：对金刚石晶片和衬底依次进行清洗处理和活化处理，得到预处理金刚石晶片和预处理衬底；在预处理金刚石晶片上依次沉积第一金属粘合层和第一金属键合层，以及，在预处理衬底上依次沉积第二金属粘合层和第二金属键合层；通过原子扩散工艺，使第一金属键合层和第二金属键合层进行键合，得到热传导模块。该方法操作工艺简单可靠，利于放宽对金刚石晶片的表面粗糙度的要求，成本更低，成品率高，便于规模化推广应用。所制备得到的热传导模块，利用金刚石高导热特性实现局部“热点”的快速降温，利用金刚石各向同性导热特性实现均温。
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公开(公告)号：CN119121153A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411039723.2
申请日：2024-07-31
Abstract: 使用铂族金属对金刚石进行表面直接金属化且增强与非浸润金属结合强度的方法，本发明为了解决非浸润金属在金刚石上附着力差易脱落，钛、钨等常用中间层需要后续退火等繁琐步骤的问题。增强与非浸润金属结合强度的方法：一、对金刚石片进行抛光，然后放入王水中煮沸处理；二、将预处理后的金刚石片放入氧化性酸液中，煮沸处理；三、采用真空物理气相沉积工艺或者湿法镀覆工艺在金刚石片镀覆铂族金属层；四、在金属化的金刚石片表面沉积或者镀覆非浸润金属层。本发明利用铂族金属易与金刚石相互扩散形成致密固溶体的倾向，直接沉积即可完成对金刚石的表面金属化，所制成的金刚石‑铂族金属结构具有较高结合强度、较低电阻与热阻。
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公开(公告)号：CN116580869A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310479247.5
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含金刚石颗粒的烧结银浆料的制备方法及利用其进行焊接的方法，本发明涉及烧结银浆料的制备方法及利用其进行焊接的方法。本发明要解决现有银烧结浆料烧结温度高，且对于大尺寸表面的连接需要施加压力，而压力过大对器件的可靠性影响大，而无压烧结通常仅适用于小尺寸连接，烧结层致密度较低，导致低连接强度以及热导率低于块体银，并且烧结后溶剂有机物部分残留，会引起长期可靠性下降的问题。方法：一、柠檬酸处理；二、混合；三、分散；四、离心收集并干燥；五、制备含有稀释剂的浆料；六、去除稀释剂。本发明用于含金刚石颗粒的烧结银浆料的制备及利用其进行焊接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119170598A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202310738323.X
申请日：2023-06-20
IPC: H01L23/528 , H01L21/60
Abstract: 本申请实施例公开了一种器件互连组件及其制备方法、电子设备，涉及机械结构，改善了器件互连处性能不佳的问题。具体方案为：在第一器件表面形成第一连续相结构层，第一连续相结构层包括粒径大的第一金属颗粒和贯穿在第一金属颗粒之间的孔隙，第一金属颗粒相互连接。在第二器件表面形成含有粒径小的第二金属颗粒的预制层，贴合预制层和第一连续相结构层，然后烧结，使第二金属颗粒进入孔隙内并连接形成第二连续相结构。第二连续相结构和第一金属颗粒连接。烧结过程中液体或气体从孔隙内排出，使复合层质地均匀。具有尺寸差异的第一金属颗粒和第二金属颗粒相互填充，提高第一器件和第二器件的连接强度和传热性能，同时空隙为应力提供缓冲。
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公开(公告)号：CN116669521A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310873049.7
申请日：2023-07-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种金刚石集成半导体制冷器结构及其制备方法，涉及半导体制冷器结构及其制备方法。解决现有金刚石基半导体制冷器无法实现主‑被动一体式的问题。结构由金刚石衬底、下金属电极、第一型热电偶、第二型热电偶、金刚石生长层一、上金属电极及金刚石生长层二组成；方法：一、通过光刻和物理气相沉积技术，在金刚石衬底表面沉积下金属电极；二、通过光刻和物理气相沉积技术，或者通过焊接技术，制备第一型热电偶和第二型热电偶；三、利用化学气相沉积技术，制备金刚石生长层一；四、通过光刻和物理气相沉积技术，沉积上金属电极；五、利用化学气相沉积技术，制备金刚石生长层二。本发明用于金刚石集成半导体制冷器结构及其制备。
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公开(公告)号：CN111154126B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202010047126.X
申请日：2020-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米金刚石修饰氮化硼高柔性高导热复合薄膜的制备方法，涉及一种氮化硼复合薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的聚合物基复合薄膜热导率低的技术问题。本发明先将六方氮化硼进行剥离处理及表面改性，然后通过静电力结合上纳米金刚石颗粒，再和聚乙烯醇混合均匀得到混合液，均匀涂布至PET薄膜上，在加热条件下静置干燥，最后脱模所得的纳米金刚石氮化硼复合薄膜，具有大尺寸、高柔性、高导热率。并且生产快速成本低廉，具有极大的工业推广价值。本发明应用于制备高导热复合薄膜。
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公开(公告)号：CN111154126A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010047126.X
申请日：2020-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米金刚石修饰氮化硼高柔性高导热复合薄膜的制备方法，涉及一种氮化硼复合薄膜的制备方法。本发明是要解决现有的聚合物基复合薄膜热导率低的技术问题。本发明先将六方氮化硼进行剥离处理及表面改性，然后通过静电力结合上纳米金刚石颗粒，再和聚乙烯醇混合均匀得到混合液，均匀涂布至PET薄膜上，在加热条件下静置干燥，最后脱模所得的纳米金刚石氮化硼复合薄膜，具有大尺寸、高柔性、高导热率。并且生产快速成本低廉，具有极大的工业推广价值。本发明应用于制备高导热复合薄膜。
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公开(公告)号：CN116580869B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202310479247.5
申请日：2023-04-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含金刚石颗粒的烧结银浆料的制备方法及利用其进行焊接的方法，本发明涉及烧结银浆料的制备方法及利用其进行焊接的方法。本发明要解决现有银烧结浆料烧结温度高，且对于大尺寸表面的连接需要施加压力，而压力过大对器件的可靠性影响大，而无压烧结通常仅适用于小尺寸连接，烧结层致密度较低，导致低连接强度以及热导率低于块体银，并且烧结后溶剂有机物部分残留，会引起长期可靠性下降的问题。方法：一、柠檬酸处理；二、混合；三、分散；四、离心收集并干燥；五、制备含有稀释剂的浆料；六、去除稀释剂。本发明用于含金刚石颗粒的烧结银浆料的制备及利用其进行焊接。
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