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公开(公告)号：CN119170598A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202310738323.X
申请日：2023-06-20
IPC: H01L23/528 , H01L21/60
Abstract: 本申请实施例公开了一种器件互连组件及其制备方法、电子设备，涉及机械结构，改善了器件互连处性能不佳的问题。具体方案为：在第一器件表面形成第一连续相结构层，第一连续相结构层包括粒径大的第一金属颗粒和贯穿在第一金属颗粒之间的孔隙，第一金属颗粒相互连接。在第二器件表面形成含有粒径小的第二金属颗粒的预制层，贴合预制层和第一连续相结构层，然后烧结，使第二金属颗粒进入孔隙内并连接形成第二连续相结构。第二连续相结构和第一金属颗粒连接。烧结过程中液体或气体从孔隙内排出，使复合层质地均匀。具有尺寸差异的第一金属颗粒和第二金属颗粒相互填充，提高第一器件和第二器件的连接强度和传热性能，同时空隙为应力提供缓冲。
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公开(公告)号：CN115513125A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202110691142.7
申请日：2021-06-22
IPC: H01L21/768
Abstract: 本申请实施例公开了一种垂直互连结构及其制造方法，属于芯片制造技术领域。该方法包括提供金刚石衬底，所述金刚石衬底具有孔。在所述孔中形成导电柱。所述导电柱与孔壁接触的表面的材料为钛、钨、锰、铁、铬、镍、铂、金、银中的至少一种。金属钛、钨、锰、铁、铬、镍、铂、金、银与金刚石之间的浸润性较好，能够使导电柱与金刚石衬底形成良好的结合，从而避免导电柱脱落。
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公开(公告)号：CN114695287A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011627346.6
申请日：2020-12-31
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请实施例公开了一种连接散热片和芯片的方法和芯片结构，属于芯片散热技术领域。所述方法包括：在散热片的第一表面形成第一金属层；在芯片的第二表面形成第二金属层；在所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一层上涂覆纳米金属颗粒粘接材料，形成纳米金属颗粒粘接材料层；将所述散热片和所述芯片相对重叠，使得所述纳米金属颗粒粘接材料层夹设于所述第一金属层和所述第二金属层之间；对重叠在一起的所述散热片和所述芯片加温加压，使得所述纳米金属颗粒粘接材料烧结，以将所述散热片和所述芯片连接在一起，增加连接的可靠性，提高产品良率。
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公开(公告)号：CN115568481A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110687669.2
申请日：2021-06-21
IPC: A21B5/08 , B32B3/30 , B32B7/027 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B15/04 , B32B15/18 , B32B33/00 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本公开涉及热传导模块及制备方法和应用、电子产品，属于散热技术领域。该热传导模块的制备方法包括：对金刚石晶片和衬底依次进行清洗处理和活化处理，得到预处理金刚石晶片和预处理衬底；在预处理金刚石晶片上依次沉积第一金属粘合层和第一金属键合层，以及，在预处理衬底上依次沉积第二金属粘合层和第二金属键合层；通过原子扩散工艺，使第一金属键合层和第二金属键合层进行键合，得到热传导模块。该方法操作工艺简单可靠，利于放宽对金刚石晶片的表面粗糙度的要求，成本更低，成品率高，便于规模化推广应用。所制备得到的热传导模块，利用金刚石高导热特性实现局部“热点”的快速降温，利用金刚石各向同性导热特性实现均温。
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公开(公告)号：CN119684623A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411870236.0
申请日：2024-12-18
Applicant: 哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)
Abstract: 一种拓扑星形纳米中空反应器的制备方法及其应用，本发明是为了解决传统的MOF衍生的纳米中空反应器的形成需要模板辅助，去除模板的条件苛刻的问题。制备方法：一、将硝酸锌和CTAB混合溶于去离子水中，得到硝酸锌溶液；向去离子水中加入2‑甲基咪唑，搅拌后得到甲基咪唑溶液，将甲基咪唑溶液加入到硝酸锌溶液中反应得到星形ZIF‑8纳米柱材料；二、向星形ZIF‑8纳米柱材料分散液中加入单宁酸水溶液，得到星形中空ZIF‑8纳米柱材料；三、煅烧处理得到拓扑星形纳米中空反应器。本发明通过简易温和的化学手段实现了对MOF基材料几何拓扑结构的有效调控，利用有机酸刻蚀中空结构，避免了传统刻蚀中模板去除步骤的复杂性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119230628A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411341625.4
申请日：2024-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 河南碳真芯材科技有限公司 , 哈工大郑州研究院
Abstract: 利用金刚石固态量子自旋探测宽谱紫外光的方法及紫外电探测器的应用，本发明利用金刚石NV色心电荷态在UV作用下会发生转变，其光谱强度也会相应发生变化的特点。本发明利用金刚石固态量子自旋探测宽谱紫外光的方法中首先制备带有NV色心的金刚石，使用激光对带有NV色心的金刚石进行辐照激发，通过光学传感器采集金刚石外延区域处的荧光强度信号，当带有NV色心的金刚石受到紫外光照射时，荧光强度信号在575nm～637nm波段产生增强响应。本发明通过金刚石NV色心电荷态对紫外敏感的特点，通过光学传感器监测金刚石在激光激发下加载UV，光电信号对575nm及其声子边带范围内光学信号响应的变化，对紫外进行探测。
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公开(公告)号：CN119218990A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411341623.5
申请日：2024-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 河南碳真芯材科技有限公司 , 哈工大郑州研究院
Abstract: 利用紫外光调节金刚石固态量子自旋电荷态的方法及其应用，本发明是为了解决调控NV色心两种电荷态的难题。利用紫外光调节金刚石固态量子自旋电荷态的方法：一、制备带有氮空位色心金刚石；二、以激光作为激发光源，对带有色心的金刚石进行辐照；三、在激光辐照条件下，同时施加紫外光源进行辐照，使中性电荷态NV0含量增加，从而完成利用紫外光调节金刚石固态量子自旋电荷态的方法。本发明通过紫外光辐照的方式对NV色心电荷态进行调控，与终端法和肖特基接触法相比具有非接触、无破坏性的特点，能够更好的保证晶体质量。本发明调节金刚石固态量子自旋电荷态的方法能够推进NV色心在量子精密测量以及可扩展性量子系统的应用。
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公开(公告)号：CN114112100B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202111623400.4
申请日：2021-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及温度传感技术领域，尤其涉及一种温度敏感触头及分布式温度传感系统，该温度敏感触头包括金刚石基板、金属衬底和壳体；金刚石基板具有NV色心；金属衬底为周期性纳米金属结构，铺设在金刚石基板一侧的表面上，构成金刚石超表面，用于增强637nm波长等离子体信号；壳体套设在金刚石基板和金属衬底的外部，且设有输入光纤耦合口、输出光纤耦合口和波导耦合口；输入光纤耦合口和输出光纤耦合口均设置在金属衬底远离金刚石基板的一侧，且与金属衬底之间存在谐振空腔；波导耦合口为空心结构，穿入壳体，设于金刚石基板和金属衬底的一端。本发明可实现对温度的精准探测，且集成度高。
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公开(公告)号：CN116072744B
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202310058297.6
申请日：2023-01-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/0224 , C23C14/18 , C23C14/02 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C14/04 , C23C14/24 , C30B33/00 , C30B29/04 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 一种采用铟纳米粒子局域表面等离激元共振提升金刚石紫外探测性能的方法，本发明的目的是为了提高金刚石紫外探测器光谱的响应率。提升金刚石紫外探测性能的方法：一、将本征单晶金刚石浸于混合酸中加热，得到带有氧终端的金刚石；二、样品清洗；三、采用磁控溅射法依次在清洗后的金刚石表面溅射钛层和金层，形成叉指电极，退火处理得到欧姆接触的金刚石；四、在欧姆接触的金刚石的表面设置阳极氧化铝掩膜，通过热蒸发铟在欧姆接触的金刚石表面镀制铟纳米岛。本发明采用铟纳米粒子局域表面等离激元共振增强金刚石紫外探测光谱响应率，拓展了增强金刚石紫外探测性能的途径，使金刚石紫外探测器更加接近行业认可的“5S”标准。
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公开(公告)号：CN118116978A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410248833.3
申请日：2024-03-05
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/329 , G01K7/01
Abstract: 通过低掺杂耗尽层实现高灵敏度的金刚石肖特基二极管温度传感器及其制备方法，本发明是为了解决现有二级管温度传感器传感灵敏度低、温度监测范围小的问题。本发明通过低掺杂耗尽层实现高灵敏度的金刚石肖特基二极管温度传感器包括本征金刚石衬底、高浓度掺硼金刚石层、欧姆电极、金刚石低掺杂耗尽层和肖特基电极，在本征金刚石衬底上沉积高浓度掺硼金刚石层，在高浓度掺硼金刚石层上沉积欧姆电极并以欧姆电极作为金属掩膜进行选择性生长外延金刚石低掺杂耗尽层，在金刚石低掺杂耗尽层上沉积薄金属电极作为肖特基电极。本发明通过低掺杂耗尽层实现高灵敏度的金刚石肖特基二极管温度传感器具有更大的温度监测范围、更高的温度传感灵敏度。
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