公开(公告)号：CN118422340A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202310946017.5

申请日：2023-07-28

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 代丽 ,  杨顺翔 ,  阎哲华 ,  王晔 ,  代滋宇

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明属于晶体材料制备技术领域，具体涉及一种钪铬铥掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用。本发明首次采用Cr3+和Tm3+掺杂铌酸锂晶体，结合Tm3+离子优良的上转换发光性能和Cr3+离子的能量传递过程，同时掺入Sc3+离子有效提高晶体的抗光损伤能力。Tm3+具有容易发生上转换的能级结构，作为激光晶体的激活离子，本发明将铌酸锂晶体的非线性和Tm3+的上转换特性有机结合成一整体，集优良的压电、电光、声光和非线性光学性能于一身。

公开(公告)号：CN117604640B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202311569349.2

申请日：2023-11-23

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 代丽 ,  阎哲华 ,  杨顺翔 ,  王晔 ,  代滋宇

IPC: C30B29/30 ,  C30B29/66 ,  C30B15/04 ,  G02F1/355 ,  G11C13/04

Abstract: 本发明属于复合材料制备技术领域，具体涉及一种钪铈铁掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体，光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，解决了铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料和铌酸锂晶体抗光损伤能力低的问题。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体无宏观缺陷、成分均匀、满足使用性能，具备更优全息存储性能。本发明制备的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体，具有光折变响应速度快、灵敏度高、掺杂阈值低和晶体光学质量好等优点，是一种理想的三维体全息存储材料。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体在全息光存储、光波导放大器和集成光学等应用领域有着重要的地位，尤其适合用于光学体全息存储。

公开(公告)号：CN117604640A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311569349.2

申请日：2023-11-23

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 代丽 ,  阎哲华 ,  杨顺翔 ,  王晔 ,  代滋宇

IPC: C30B29/30 ,  C30B29/66 ,  C30B15/04 ,  G02F1/355 ,  G11C13/04

Abstract: 本发明属于复合材料制备技术领域，具体涉及一种钪铈铁掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体，光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，解决了铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料和铌酸锂晶体抗光损伤能力低的问题。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体无宏观缺陷、成分均匀、满足使用性能，具备更优全息存储性能。本发明制备的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体，具有光折变响应速度快、灵敏度高、掺杂阈值低和晶体光学质量好等优点，是一种理想的三维体全息存储材料。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体在全息光存储、光波导放大器和集成光学等应用领域有着重要的地位，尤其适合用于光学体全息存储。

公开(公告)号：CN118461139A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202310946037.2

申请日：2023-07-28

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 代丽 ,  王晔 ,  杨顺翔 ,  王厚亮 ,  阎哲华 ,  代滋宇

IPC: C30B29/30 ,  C30B31/00 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明属于晶体材料制备技术领域，具体涉及一种镁镱镝掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用。本发明中Dy3+作为激光晶体的激活离子，其容易发生上转换的能级结构，掺杂Dy3+的铌酸锂晶体将Dy3+的上转换特性和铌酸锂晶体的非线性有机结合成一整体；Mg2+的掺入有效提升了晶体的抗光损伤能力。本发明提供的镁镱镝掺杂铌酸锂晶体抗光损伤能力强，上转换特性优异，光泽度高，成分均一，无瑕疵，无生长条纹和裂纹产生，光学应用表现更优，解决了铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料的问题。

公开(公告)号：CN118461138A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202310946014.1

申请日：2023-07-28

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 代丽 ,  阎哲华 ,  杨顺翔 ,  王厚亮 ,  王晔 ,  代滋宇

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，具体涉及一种锆钬掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用。本发明中的Ho3+作为激光晶体的激活离子，易发生上转换的能级结构，而Zr4+的掺入则可以有效提升铌酸锂晶体的抗光损伤能力，改善Zr4+在晶体里的占位。本发明提供的锆钬掺杂铌酸锂晶体结合Ho3+的上转换发光性能和Zr4+的抗光损伤能力，解决了铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料的问题。

公开(公告)号：CN118422341A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202310946022.6

申请日：2023-07-28

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 代丽 ,  阎哲华 ,  杨顺翔 ,  王晔 ,  代滋宇

IPC: C30B29/30 ,  C30B15/00

Abstract: 本发明属于晶体材料制备技术领域，具体涉及一种铪镱铕掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用。本发明采用Yb3+离子作为敏化离子，Yb3+离子在上转换和激发态吸收时，几乎不发生浓度淬灭效应；并且，Yb3+的吸收截面大，并且能有效地将其能量转移到稀土离子上。本发明结合Eu3+的上转换发光性能和Yb3+离子的敏化激活能力，同时掺入Hf4+离子对抗光损伤性能进行优化，制备得到具有良好上转化发光性能的铪镱铕掺杂铌酸锂晶体，光学性能整体上更优异。