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公开(公告)号：CN117604640B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202311569349.2
申请日：2023-11-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明属于复合材料制备技术领域，具体涉及一种钪铈铁掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体，光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，解决了铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料和铌酸锂晶体抗光损伤能力低的问题。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体无宏观缺陷、成分均匀、满足使用性能，具备更优全息存储性能。本发明制备的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体，具有光折变响应速度快、灵敏度高、掺杂阈值低和晶体光学质量好等优点，是一种理想的三维体全息存储材料。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体在全息光存储、光波导放大器和集成光学等应用领域有着重要的地位，尤其适合用于光学体全息存储。
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公开(公告)号：CN110230098A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201810181606.8
申请日：2018-03-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: Yb:Eu:LiNbO3晶体及其制备方法，它涉及一种晶体及其制备方法。本发明Yb:Eu:LiNbO3晶体由纯度均为99.99%的Nb2O3、Li2CO3、Yb2O3和Eu2O3制成，其中Yb2O3的掺杂摩尔量占四种原料总摩尔量的0.5mol%，Eu2O3的掺杂摩尔量占四种原料总摩尔量的0.5mol%。Nb2O3和Li2CO3为同成分即[Li2CO3]/[Nb2O3]=48.6/51.4。制备方法是：一、称取并混合Nb2O3、Li2CO3、Yb2O3和Eu2O3；二、提拉法进行生长；三、极化；四、切割并进行光学质量极抛光；得到实验所需的晶片。本发明Yb:Eu:LiNbO3晶体光泽度高，成分均一，无裂纹，无瑕疵。本发明Yb:Eu:LiNbO3晶体的制备方法简单，生长速度快，便于操作。
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公开(公告)号：CN106087057A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610415225.2
申请日：2016-06-12
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及铪钕镱铥四掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。它要解决现有技术制备的上转换发光材料存在应用局限性和铌酸锂晶体抗光损伤能力低的问题。产品：由Nb2O5、LiCO3、HfO2、Tm2O3、Yb2O3和Nd2O3制成。方法：一、混合六种原料；二、采用提拉法生长晶体，得到多畴晶体；三、极化，得到极化后的晶体；四、切割、抛光，得到Hf:Nd:Yb:Tm:LiNbO3晶体。本发明制备的Hf:Nd:Yb:Tm:LiNbO3晶体是三方晶系单晶，晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，抗光损伤性能较高；本发明制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。
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公开(公告)号：CN106012019A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610415223.3
申请日：2016-06-12
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及铪镝双掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。它要解决。产品：由Nb2O5、LiCO3、HfO2和Dy2O3制成。方法：一、混合四种原料；二、采用提拉法生长晶体，得到多畴晶体；三、极化，得到极化后的晶体；四、切割、抛光，得到Hf:Dy:LiNbO3晶体。本发明制备的Hf:Dy:LiNbO3晶体光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，抗光损伤性能较高，能够做为激光晶体材料；本发明制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快；这种晶体材料可在制备紧凑型、激光二极管泵浦、全固态可调谐激光器应用前景广阔，此外对高密度存储、制备集成光学器件、红外探测也具有重要意义。
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公开(公告)号：CN117604640A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311569349.2
申请日：2023-11-23
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明属于复合材料制备技术领域，具体涉及一种钪铈铁掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体，光泽度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，解决了铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料和铌酸锂晶体抗光损伤能力低的问题。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体无宏观缺陷、成分均匀、满足使用性能，具备更优全息存储性能。本发明制备的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体，具有光折变响应速度快、灵敏度高、掺杂阈值低和晶体光学质量好等优点，是一种理想的三维体全息存储材料。本发明提供的钪铈铁掺杂铌酸锂晶体在全息光存储、光波导放大器和集成光学等应用领域有着重要的地位，尤其适合用于光学体全息存储。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104262655A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410491049.1
申请日：2014-09-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种新型偶联方式制备尺寸统一且分散均匀的PI/SiO2纳米复合薄膜的方法，它涉及一种制备PI/SiO2纳米复合薄膜的方法。本发明是要解决现有PI/SiO2纳米复合薄膜制备过程中存在纳米颗粒在聚酰亚胺基体中分布不均和团聚的问题。方法：在传统溶胶-凝胶聚合法的基础上，利用向体系中加入偶联剂，采用一种新型的偶联方式将SiO2与PI基体连接在一起制备分散均匀，尺寸统一的PI/SiO2纳米复合薄膜，作为一种新的工业材料。本发明用于制备PI/SiO2纳米复合薄膜。
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公开(公告)号：CN118461139A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310946037.2
申请日：2023-07-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明属于晶体材料制备技术领域，具体涉及一种镁镱镝掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用。本发明中Dy3+作为激光晶体的激活离子，其容易发生上转换的能级结构，掺杂Dy3+的铌酸锂晶体将Dy3+的上转换特性和铌酸锂晶体的非线性有机结合成一整体；Mg2+的掺入有效提升了晶体的抗光损伤能力。本发明提供的镁镱镝掺杂铌酸锂晶体抗光损伤能力强，上转换特性优异，光泽度高，成分均一，无瑕疵，无生长条纹和裂纹产生，光学应用表现更优，解决了铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料的问题。
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公开(公告)号：CN118461138A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202310946014.1
申请日：2023-07-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明属于晶体材料技术领域，具体涉及一种锆钬掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用。本发明中的Ho3+作为激光晶体的激活离子，易发生上转换的能级结构，而Zr4+的掺入则可以有效提升铌酸锂晶体的抗光损伤能力，改善Zr4+在晶体里的占位。本发明提供的锆钬掺杂铌酸锂晶体结合Ho3+的上转换发光性能和Zr4+的抗光损伤能力，解决了铌酸锂晶体不能做为激光晶体材料的问题。
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公开(公告)号：CN118422341A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202310946022.6
申请日：2023-07-28
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明属于晶体材料制备技术领域，具体涉及一种铪镱铕掺杂铌酸锂晶体及其制备方法和应用。本发明采用Yb3+离子作为敏化离子，Yb3+离子在上转换和激发态吸收时，几乎不发生浓度淬灭效应；并且，Yb3+的吸收截面大，并且能有效地将其能量转移到稀土离子上。本发明结合Eu3+的上转换发光性能和Yb3+离子的敏化激活能力，同时掺入Hf4+离子对抗光损伤性能进行优化，制备得到具有良好上转化发光性能的铪镱铕掺杂铌酸锂晶体，光学性能整体上更优异。
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公开(公告)号：CN103320861A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310252932.0
申请日：2013-06-24
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及一种掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。本发明是要解决现有的镱铥掺杂的铌酸锂晶体抗光损伤能力较低的问题。本发明一种铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体由Nb2O5、LiCO3、In2O3、Yb2O3和Tm2O3制成。制备方法：一、混合；二、采用提拉法生长晶体；三、极化；即得到铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体。本发明制备的铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体光洋度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，在保证了镱铥掺杂的铌酸锂晶体原有优良性能的同时抗光损伤能力显著提高；本发明铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体的制备方法简单，便于操作，晶体生长速度快。本发明可用于制备铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体。
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