公开(公告)号：CN1630077A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410092680.0

申请日：2004-11-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈行聪 ,  斯特芬尼·鲁斯·奇拉斯 ,  马修·伊尔·科尔伯恩 ,  蒂莫西·约瑟夫·达尔顿 ,  杰弗里·科蒂斯·海德里克 ,  黄遏明 ,  考什克·阿伦·库马尔 ,  迈克尔·怀恩·雷恩 ,  凯利·马龙 ,  昌德拉塞克哈尔·纳拉扬 ,  萨特扬纳拉扬纳·文卡塔·尼塔 ,  萨姆巴斯·普鲁肖萨曼 ,  罗伯特·罗森伯格 ,  克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格 ,  虞蓉卿

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种半导体器件结构及其制造工艺，在多层微电子集成电路中，空气构成永久线路层电介质，超低K材料作为通孔层电介质。在通过清洁的热分解以及通过IC结构中多孔的副产品的辅助扩散去除牺牲材料之后，将空气用于线路层。优选地，在通孔层电介质中的多孔内也包括空气。通过将空气并入本发明的广泛产品中，层内和层间电介质的值被最小化。

公开(公告)号：CN1360346B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN01143660.3

申请日：2001-12-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 小西里尔·卡布拉尔 ,  罗伊·A·卡拉瑟斯 ,  詹姆斯·M·E·哈珀 ,  胡朝坤 ,  李金阳 ,  伊斯梅尔·C·诺延 ,  罗伯特·罗森伯格 ,  托马斯·M·肖

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01B1/02

CPC classification number: H01L21/76843 ,  B32B15/01 ,  C22C27/02 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S428/929 ,  Y10S428/935 ,  Y10S428/936 ,  Y10S428/938 ,  Y10T428/12639 ,  Y10T428/12743 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12812 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/12826 ,  Y10T428/12833 ,  Y10T428/1284 ,  Y10T428/12903 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于电子结构中的导电体，它包括一种由含有约0.001％(原子)到大约2％(原子)之间的选自Ti，Zr，In，Sn和Hf中的元素的合金所形成的导电体，和一种邻接所述导电体，由含有Ta，W，Ti，Nb和V的合金所形成的衬。本发明还公开了一种用于半导体内连接件的衬，它由选自Ti，Hf，In，Sn，Zr及其合金，TiCu3，Ta1-XTiX，Ta1-XHfX，Ta1-XInX，Ta1-XSnX，Ta1-XZrX中的材料形成。

公开(公告)号：CN1719606A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200510082037.4

申请日：2005-07-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 迈克尔·莱恩 ,  斯特法尼·R·奇拉斯 ,  特里·A·斯普纳尔 ,  罗伯特·罗森伯格 ,  丹尼尔·C·埃德尔斯坦

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C25D5/10 ,  C25D5/50 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53233 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种导电材料包括：包含铜和0.001at.％～0.6at.％的一种或多种选自包括Ir、Os或Re的组中的金属的导电芯部区。界面区包括至少80at.％或更多的一种或多种金属。本发明也涉及一种制造导电材料的方法，它包括：提供一底层；与底层接触的籽晶层，该籽晶层包括铜和一种或多种选自包括Ir、Os或Re的组中的金属；在籽晶层上淀积包含铜的导电层，和对导电层进行退火处理，退火温度足以引起导电层中晶粒的生长，而使一种或多种金属从籽晶层向导电层的迁移最小。该方法进一步包括抛光该导电层以提供一抛光的铜面层材料，和对抛光的铜面层材料进行退火处理，退火温度引起一种或多种金属从籽晶层向抛光的铜面层迁移以提供铜导电芯部与界面区接触。界面区和铜导电芯部包含一种或多种金属。

公开(公告)号：CN100416820C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200410092680.0

申请日：2004-11-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈行聪 ,  斯特芬尼·鲁斯·奇拉斯 ,  马修·伊尔·科尔伯恩 ,  蒂莫西·约瑟夫·达尔顿 ,  杰弗里·科蒂斯·海德里克 ,  黄遏明 ,  考什克·阿伦·库马尔 ,  迈克尔·怀恩·雷恩 ,  凯利·马龙 ,  昌德拉塞克哈尔·纳拉扬 ,  萨特扬纳拉扬纳·文卡塔·尼塔 ,  萨姆巴斯·普鲁肖萨曼 ,  罗伯特·罗森伯格 ,  克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格 ,  虞蓉卿

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件结构及其制造工艺，在多层微电子集成电路中，空气构成永久线路层电介质，超低K材料作为通孔层电介质。在通过清洁的热分解以及通过IC结构中多孔的副产品的辅助扩散去除牺牲材料之后，将空气用于线路层。优选地，在通孔层电介质中的多孔内也包括空气。通过将空气并入本发明的广泛产品中，层内和层间电介质的值被最小化。

公开(公告)号：CN100375280C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200510082037.4

申请日：2005-07-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 迈克尔·莱恩 ,  斯特法尼·R·奇拉斯 ,  特里·A·斯普纳尔 ,  罗伯特·罗森伯格 ,  丹尼尔·C·埃德尔斯坦

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C25D5/10 ,  C25D5/50 ,  C25D7/123 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76886 ,  H01L23/53233 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种导电材料包括：包含铜和0.001at.%～0.6at.%的一种或多种选自包括Ir、Os或Re的组中的金属的导电芯部区。界面区包括至少80at.%或更多的一种或多种金属。本发明也涉及一种制造导电材料的方法，它包括：提供一底层；与底层接触的籽晶层，该籽晶层包括铜和一种或多种选自包括Ir、Os或Re的组中的金属；在籽晶层上淀积包含铜的导电层，和对导电层进行退火处理，退火温度足以引起导电层中晶粒的生长，而使一种或多种金属从籽晶层向导电层的迁移最小。该方法进一步包括抛光该导电层以提供一抛光的铜面层材料，和对抛光的铜面层材料进行退火处理，退火温度引起一种或多种金属从籽晶层向抛光的铜面层迁移以提供铜导电芯部与界面区接触。界面区和铜导电芯部包含一种或多种金属。

公开(公告)号：CN1728374A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510083277.6

申请日：2005-07-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈行聪 ,  斯特法尼·R·奇拉斯 ,  迈克尔·莱恩 ,  林庆煌 ,  罗伯特·罗森伯格 ,  托马斯·M·肖 ,  特里·A·斯普纳尔

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832

Abstract: 本发明提供一种塑性和/或粘弹性变形层，该变形层可以和低k电介质(k小于4.0)联合使用以提供一种具有改善的稳定性的电子半导体结构。变形层可以包含在电子结构中的各种地方以耗散结构中的能量，这种能量可以引起低k电介质材料断裂或分层。而且，电子结构中存在变形层提高了合成结构的整体强度。

公开(公告)号：CN1360346A

公开(公告)日：2002-07-24

申请号：CN01143660.3

申请日：2001-12-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 小西里尔·卡布拉尔 ,  罗伊·A·卡拉瑟斯 ,  詹姆斯·M·E·哈珀 ,  胡朝坤 ,  李金阳 ,  伊斯梅尔·C·诺延 ,  罗伯特·罗森伯格 ,  托马斯·M·肖

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01B1/02

CPC classification number: H01L21/76843 ,  B32B15/01 ,  C22C27/02 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S428/929 ,  Y10S428/935 ,  Y10S428/936 ,  Y10S428/938 ,  Y10T428/12639 ,  Y10T428/12743 ,  Y10T428/12806 ,  Y10T428/12812 ,  Y10T428/12819 ,  Y10T428/12826 ,  Y10T428/12833 ,  Y10T428/1284 ,  Y10T428/12903 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种用于电子结构中的导电体,它包括一种由含有约0.001%(原子)到大约2%(原子)之间的选自Ti,Zr In,Sn和Hf中的元素的合金所形成的导电体,和一种邻接所述导电体,由含有Ta,W,Ti,Nb和V的合金所形成的衬。本发明还公开了一种用于半导体内连接件的衬,它由选自Ti,Hf,In,Sn,Zr及其合金,TiCu3,Ta1－xTix,Ta1－xHfx,Ta1－xInx,Ta1－xSnx,Ta1－xZrx中的材料形成。