公开(公告)号：CN100505236C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200710139955.5

申请日：2007-08-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 詹姆斯·P.·多伊尔 ,  布鲁斯·G.·艾尔梅格林 ,  利亚·克鲁辛-艾尔鲍姆 ,  林仲汉 ,  刘小虎 ,  丹尼斯·M.·纽恩斯 ,  克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L45/1233 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1666

Abstract: 一种用于集成电路器件中的电可再编程熔丝(eFUSE)器件，包括：延长的加热器元件、包围延长的加热器元件的外表面的，对应于其纵轴的，使延长的加热器元件的相对端与第一和第二加热器电极电接触的电绝缘衬垫。相变材料(PCM)包围电绝缘衬垫的外表面的一部分，热和电绝缘层包围PCM的外表面，并且第一和第二熔丝电极与PCM的相对端电接触。PCM密封在电绝缘衬垫、热和电绝缘层，以及第一和第二熔丝电极中。

公开(公告)号：CN1630077A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410092680.0

申请日：2004-11-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈行聪 ,  斯特芬尼·鲁斯·奇拉斯 ,  马修·伊尔·科尔伯恩 ,  蒂莫西·约瑟夫·达尔顿 ,  杰弗里·科蒂斯·海德里克 ,  黄遏明 ,  考什克·阿伦·库马尔 ,  迈克尔·怀恩·雷恩 ,  凯利·马龙 ,  昌德拉塞克哈尔·纳拉扬 ,  萨特扬纳拉扬纳·文卡塔·尼塔 ,  萨姆巴斯·普鲁肖萨曼 ,  罗伯特·罗森伯格 ,  克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格 ,  虞蓉卿

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 公开了一种半导体器件结构及其制造工艺，在多层微电子集成电路中，空气构成永久线路层电介质，超低K材料作为通孔层电介质。在通过清洁的热分解以及通过IC结构中多孔的副产品的辅助扩散去除牺牲材料之后，将空气用于线路层。优选地，在通孔层电介质中的多孔内也包括空气。通过将空气并入本发明的广泛产品中，层内和层间电介质的值被最小化。

公开(公告)号：CN100416820C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200410092680.0

申请日：2004-11-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈行聪 ,  斯特芬尼·鲁斯·奇拉斯 ,  马修·伊尔·科尔伯恩 ,  蒂莫西·约瑟夫·达尔顿 ,  杰弗里·科蒂斯·海德里克 ,  黄遏明 ,  考什克·阿伦·库马尔 ,  迈克尔·怀恩·雷恩 ,  凯利·马龙 ,  昌德拉塞克哈尔·纳拉扬 ,  萨特扬纳拉扬纳·文卡塔·尼塔 ,  萨姆巴斯·普鲁肖萨曼 ,  罗伯特·罗森伯格 ,  克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格 ,  虞蓉卿

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件结构及其制造工艺，在多层微电子集成电路中，空气构成永久线路层电介质，超低K材料作为通孔层电介质。在通过清洁的热分解以及通过IC结构中多孔的副产品的辅助扩散去除牺牲材料之后，将空气用于线路层。优选地，在通孔层电介质中的多孔内也包括空气。通过将空气并入本发明的广泛产品中，层内和层间电介质的值被最小化。

公开(公告)号：CN101131989A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710139955.5

申请日：2007-08-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 詹姆斯·P.·多伊尔 ,  布鲁斯·G.·艾尔梅格林 ,  利亚·克鲁辛-艾尔鲍姆 ,  林仲汉 ,  刘小虎 ,  丹尼斯·M.·纽恩斯 ,  克里斯蒂·森塞尼什·蒂伯格

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L45/1233 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1206 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/1293 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1666

Abstract: 一种用于集成电路器件中的电可再编程熔丝(eFUSE)器件，包括：延长的加热器元件、包围延长的加热器元件的外表面的，对应于其纵轴的，使延长的加热器元件的相对端与第一和第二加热器电极电接触的电绝缘衬垫。相变材料(PCM)包围电绝缘衬垫的外表面的一部分，热和电绝缘层包围PCM的外表面，并且第一和第二熔丝电极与PCM的相对端电接触。PCM密封在电绝缘衬垫、热和电绝缘层，以及第一和第二熔丝电极中。