公开(公告)号：CN103999202B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201280062010.7

申请日：2012-11-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  J·欧文 ,  裴成文 ,  R·M·托蒂 ,  王耕

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02642 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了在基板上沉积介电模板层。通过采用图案化的屏蔽层的各向异性蚀刻在所述介电模板层的内部形成线沟槽。该图案化的屏蔽层可为图案化的光阻层，或通过其他影像转移法所形成的图案化的硬屏蔽层。通过选择性稀土氧化物外延工艺在各个线沟槽的较低部分填充外延稀土氧化物材料。通过选择性半导体外延工艺在各个线沟槽的较高部分填充外延半导体材料。使介电模板层凹陷以形成介电材料层，其提供在各鳍结构之间的侧向电性绝缘，每个鳍结构包括由稀土氧化物鳍部分和半导体鳍部分构成的堆栈。

公开(公告)号：CN103999202A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280062010.7

申请日：2012-11-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  J·欧文 ,  裴成文 ,  R·M·托蒂 ,  王耕

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02642 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了在基板上沉积介电模板层。通过采用图案化的屏蔽层的各向异性蚀刻在所述介电模板层的内部形成线沟槽。该图案化的屏蔽层可为图案化的光阻层，或通过其他影像转移法所形成的图案化的硬屏蔽层。通过选择性稀土氧化物外延工艺在各个线沟槽的较低部分填充外延稀土氧化物材料。通过选择性半导体外延工艺在各个线沟槽的较高部分填充外延半导体材料。使介电模板层凹陷以形成介电材料层，其提供在各鳍结构之间的侧向电性绝缘，每个鳍结构包括由稀土氧化物鳍部分和半导体鳍部分构成的堆栈。