公开(公告)号：CN108695255A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201711120779.0

申请日：2017-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  康珉材 ,  李周利

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L21/02656 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/347 ,  C23C16/36 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/458 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823468 ,  H01L27/0886

Abstract: 一种制造集成电路装置的方法和一种根据该方法制造的集成电路装置，所述方法包括：在基底的有源区上形成氧碳氮化硅(SiOCN)材料层，形成SiOCN材料层包括使用具有硅(Si)原子与碳(C)原子之间的键的前驱体；蚀刻有源区的一部分，以在有源区中形成凹部；在氢(H2)气氛下以大约700℃至大约800℃焙烧凹部的表面，并在执行焙烧的同时将SiOCN材料层暴露于焙烧的气氛；以及从在氢气氛下焙烧的凹部的表面生长半导体层。

公开(公告)号：CN108140552A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680059078.8

申请日：2016-09-08

Applicant: 麻省理工学院

Inventor： J·金

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/532 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L21/02444 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02499 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02658 ,  H01L23/532

Abstract: 公开一种基于石墨烯的层转移(GBLT)技术。在此方法中，在石墨烯层上制造包括III-V半导体、Si、Ge、III-N半导体、SiC、SiGe或II-VI半导体的设备层，所述石墨烯层进而设置在衬底上。所述石墨烯层或所述衬底可以与所述设备层晶格匹配以减少所述设备层中的缺陷。然后可以通过例如附接到所述设备层的应力物从所述衬底移除所述制造的设备层。在GBLT中，所述石墨烯层充当用于生长设备层的可重新使用且通用的平台，并且还充当允许在石墨烯表面处快速、精确且可重复地释放的释放层。

公开(公告)号：CN104011883B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201280063612.4

申请日：2012-12-19

Applicant: 法国原子能及替代能源委员会

Inventor： 阿梅利耶·迪赛涅 ,  菲利普·吉莱 ,  弗朗索瓦·马丁

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/18 ,  H01L21/02 ,  H01L33/40 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02642 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/007 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及制造用于形成光电结构(10)的至少一个半导体微或纳米线的方法。所述方法包括如此步骤，提供半导体衬底(100)、在所述衬底(100)上形成晶态的所谓缓冲层(110)，所述缓冲层(110)在部分厚度上具有主要由MgxNy形式的氮化镁构成的第一区(110)，所述方法还包括在所述缓冲层上形成至少一个半导体微或纳米线(150)的步骤。本发明还涉及包括微或纳米线(150)的光电结构(10)，以及能够制造所述结构(10)的方法。

公开(公告)号：CN107170669A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710431266.5

申请日：2017-06-08

Applicant: 西南大学

Inventor： 胡卫华 ,  汪雪辉

IPC: H01L21/02 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/02554 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02645

Abstract: 本发明公开了一种适用于不同衬底生长图案化氧化锌纳米结构的方法，在衬底上制备图案化的聚多巴胺薄膜，通过聚多巴胺对氧化锌纳米结构生长的抑制作用，生长成图案化的氧化锌纳米结构。本发明利用聚多巴胺为抑制层，实现了对氧化锌湿化学生长的抑制，结合铁离子激活或氧化锌种子层，通过对聚多巴胺薄膜的图案化，可以在任意惰性衬底上实现氧化锌的图案化生长；在金属或金属氧化物衬底上利用聚多巴胺也可以实现氧化锌的图案化生长。

公开(公告)号：CN104233457B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410250941.0

申请日：2014-06-06

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 久米川尚平 ,  药师康英 ,  永井诚二 ,  守山实希

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明提供了一种用于制造第III族氮化物半导体晶体和GaN衬底的方法，其中可以确定地减小生长衬底上位错密度的转移或裂纹的出现，并且第III族氮化物半导体晶体可以容易地分离于籽晶。在GaN衬底上形成掩模层，以由此形成GaN衬底的露出部分和GaN衬底的未露出部分。通过助熔剂法，在包含至少第III族金属和Na的熔融混合物中在GaN衬底的露出部分上形成GaN层。此时，在掩模层上形成包含熔融混合物的组分的非晶体部分以被生长在GaN衬底和掩模层上的GaN层覆盖。

公开(公告)号：CN106206258A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610751506.5

申请日：2012-12-06

Applicant: 电力集成公司

Inventor： J·拉姆德尼 ,  J·P·爱德华兹 ,  L·刘

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/10 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/205 ,  H01L21/0226 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及在硅衬底上形成GaN层的方法以及GaN衬底。所述在硅衬底上形成GaN层的方法包括：在硅晶圆和位于该硅晶圆表面上的Al2O3膜之间形成一个非晶AlSiO膜；以及在所述Al2O3膜上方沉积多个层压层，其中每个层压层都包括位于AlN层上方的GaN层。所述GaN衬底包括：一个硅衬底，具有沿着 晶体取向的顶部表面和底部表面；一个Al2O3膜，在所述硅衬底的顶部表面的上方，其中所述Al2O3膜是晶体；一个非晶膜，在所述硅衬底的顶部表面和所述Al2O3膜之间；以及多个层压层，在所述Al2O3膜上方，其中每个层压层都包括位于AlN膜上方的GaN膜。

公开(公告)号：CN102760800B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201110110764.2

申请日：2011-04-29

Applicant: 清华大学 ,  鸿富锦精密工业(深圳)有限公司

Inventor： 魏洋 ,  范守善

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L33/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一支持外延层生长的外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一第一碳纳米管层；在基底的外延生长面依次外延生长第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层；刻蚀第二半导体层及活性层的部分区域以暴露第一半导体层；以及在第一半导体层的表面制备一第一电极，在第二半导体层的表面制备第二电极。本发明提供的发光二极管的制备方法可得到具有较高出光率的发光二极管。

公开(公告)号：CN104233457A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410250941.0

申请日：2014-06-06

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 久米川尚平 ,  药师康英 ,  永井诚二 ,  守山实希

IPC: C30B19/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/7806

Abstract: 本发明提供了一种用于制造第III族氮化物半导体晶体和GaN衬底的方法，其中可以确定地减小生长衬底上位错密度的转移或裂纹的出现，并且第III族氮化物半导体晶体可以容易地分离于籽晶。在GaN衬底上形成掩模层，以由此形成GaN衬底的露出部分和GaN衬底的未露出部分。通过助熔剂法，在包含至少第III族金属和Na的熔融混合物中在GaN衬底的露出部分上形成GaN层。此时，在掩模层上形成包含熔融混合物的组分的非晶体部分以被生长在GaN衬底和掩模层上的GaN层覆盖。

公开(公告)号：CN103999202A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280062010.7

申请日：2012-11-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  J·欧文 ,  裴成文 ,  R·M·托蒂 ,  王耕

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02642 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了在基板上沉积介电模板层。通过采用图案化的屏蔽层的各向异性蚀刻在所述介电模板层的内部形成线沟槽。该图案化的屏蔽层可为图案化的光阻层，或通过其他影像转移法所形成的图案化的硬屏蔽层。通过选择性稀土氧化物外延工艺在各个线沟槽的较低部分填充外延稀土氧化物材料。通过选择性半导体外延工艺在各个线沟槽的较高部分填充外延半导体材料。使介电模板层凹陷以形成介电材料层，其提供在各鳍结构之间的侧向电性绝缘，每个鳍结构包括由稀土氧化物鳍部分和半导体鳍部分构成的堆栈。

公开(公告)号：CN101996862B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201010148168.9

申请日：2010-03-24

Applicant: 日立金属株式会社

Inventor： 藤仓序章

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/0242 ,  C30B29/403 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/32341 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体自支撑衬底、氮化物半导体自支撑衬底的制造方法以及氮化物半导体装置，所述半导体自支撑衬底难以发生成为氮化物半导体结晶破坏的原因的裂纹。本发明的氮化物半导体自支撑衬底直径为40mm以上，厚度为100μm以上，位错密度在5×106/cm2以下，杂质浓度在4×1019/cm3以下，最大荷重在1mN以上50mN以下范围内时的纳米压痕硬度为19.0GPa以上。