π电子共轭类有机硅烷化合物、功能性有机薄膜及它们的制造方法

    公开(公告)号:CN1993371A

    公开(公告)日:2007-07-04

    申请号:CN200580026636.2

    申请日:2005-07-28

    Abstract: 本发明提供不仅可以通过使用溶液处理的简便方法形成、而且可牢固地吸附于基板表面并具有高有序性(结晶性)和高密度填充特性的功能性有机薄膜,可形成该薄膜的有机硅烷化合物及它们的制造方法。以式:A-B-C-SiX1X2X3(A为氢原子可被卤素原子取代的碳原子数1~30的1价脂肪族烃基;B为氧原子或硫原子;C为表现出π电子共轭的2价有机基团;X1~X3为通过水解产生羟基的基团)表示的π电子共轭类有机硅烷化合物。使用该有机硅烷化合物的有机薄膜。上述有机硅烷化合物的制造方法是,对于含以式:H-C-H(C与上述意义相同)表示的化合物由威廉逊反应通过醚键或硫醚键引入烃基A后,通过与以式:X4-SiX1X2X3(X1~X3与上述意义相同)表示的化合物的反应引入硅烷基。功能性有机薄膜的制造方法是,将上述有机硅烷化合物中的硅烷基水解,使其与基板表面反应,形成与基板直接吸附的单分子膜后,使用非水性有机溶剂将该单分子膜上未反应的有机硅烷化合物清洗除去。

    两末端具有消去反应性不同的异种官能团的有机化合物、有机薄膜、有机元件及它们的制造方法

    公开(公告)号:CN1961435A

    公开(公告)日:2007-05-09

    申请号:CN200580017057.1

    申请日:2005-05-27

    Abstract: 本发明提供膜厚均一、且结晶取向的有序性高的单一单分子膜及其累积膜、可以再现性良好地制造这些膜的有机化合物、导电特性良好的有机元件以及它们的制造方法。本发明提供通式(A1)(A2)(A3)-B-Si(A4)(A5)(A6)的有机化合物、使用该化合物的有机薄膜、具有该薄膜的有机元件,A1~A6为氢原子、卤素原子、烷氧基或烷基,消去反应性满足A1~A3>A4~A6的关系。本发明提供有机薄膜和有机元件的制造方法,其中包括使上述有机化合物中的具有A1~A3的硅烷基与基板表面反应而形成单一单分子膜的工序、使用非水溶剂清洗除去未反应的有机化合物的工序和将存在于单分子膜的膜表面侧的未反应的硅烷基作为吸附位点而使上述的由有机化合物形成的单分子膜累积的工序。

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