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公开(公告)号：CN103299432A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201180058731.6
申请日：2011-12-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/0682 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种背面电极型太阳能电池的制造方法及背面电极型太阳能电池。该背面电极型太阳能电池（1）的制造方法在第一导电型硅基板（4）的表面涂布包括含有第一导电型杂质的化合物、钛醇和乙醇的溶液（27），并在氮气环境下对溶液（27）进行热处理，由此形成受光面扩散层（6）及防反射膜（12）。另外，该背面电极型太阳能电池（1）的受光面扩散层（6）的薄层电阻为100Ω/□以上且不足250Ω/□。
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公开(公告)号：CN102971859A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180031967.0
申请日：2011-04-21
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 伊坂隆行
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种背面电极型太阳能电池及其制造方法。该背面电极型太阳能电池（1，14）具有：第一导电型硅基板（4）、设置于与硅基板（4）的受光面相反一侧的面即背面的第一导电型用电极（2）及第二导电型用电极（3）、设置于硅基板（4）背面的第一导电型杂质扩散层（9）及第二导电型杂质扩散层（10），第一导电型杂质扩散层（9）与第二导电型杂质扩散层（10）相邻设置，在硅基板（4）背面的外周边缘设有第一导电型杂质扩散层（9）。
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公开(公告)号：CN107851672B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201680038843.8
申请日：2016-06-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/068
Abstract: 本发明的光电转换元件(1)具备复合钝化膜(6)，所述复合钝化膜(6)设置在与供光入射的第一表面(10a)相反一侧的半导体基板(10)的第二表面(10b)。复合钝化膜(6)包括：具有负的固定电荷的第一钝化膜(14)、和保护第一钝化膜(14)的保护膜(15)。因此，可提高光电转换元件(1)的载流子的收集效率。
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公开(公告)号：CN107851672A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680038843.8
申请日：2016-06-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L21/316 , H01L31/068
Abstract: 本发明的光电转换元件(1)具备复合钝化膜(6)，所述复合钝化膜(6)设置在与供光入射的第一表面(10a)相反一侧的半导体基板(10)的第二表面(10b)。复合钝化膜(6)包括：具有负的固定电荷的第一钝化膜(14)、和保护第一钝化膜(14)的保护膜(15)。因此，可提高光电转换元件(1)的载流子的收集效率。
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公开(公告)号：CN102971859B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201180031967.0
申请日：2011-04-21
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 伊坂隆行
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种背面电极型太阳能电池及其制造方法。该背面电极型太阳能电池（1，14）具有：第一导电型硅基板（4）、设置于与硅基板（4）的受光面相反一侧的面即背面的第一导电型用电极（2）及第二导电型用电极（3）、设置于硅基板（4）背面的第一导电型杂质扩散层（9）及第二导电型杂质扩散层（10），第一导电型杂质扩散层（9）与第二导电型杂质扩散层（10）相邻设置，在硅基板（4）背面的外周边缘设有第一导电型杂质扩散层（9）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105940499A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201480074515.4
申请日：2014-11-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/068
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 提供一种使半导体基板与电极之间的串联电阻减小并且转换效率好的光电转换装置。一种光电转换装置，具有半导体基板、形成于半导体基板的第1导电类型区域以及与第1导电类型区域电连接的电极，第1导电类型区域具有与电极相对的电极区域，所述光电转换装置的特征在于，在与电极区域相对的半导体基板中具有晶体缺陷。
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公开(公告)号：CN100583461C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200580035580.7
申请日：2005-10-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/02167 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池，其包括形成在硅基板(1)的光接收表面上的钝化膜(2)和形成在该钝化膜(2)上的抗反射膜(3)，其中该钝化膜(2)的折射率高于抗反射膜(3)的折射率。还公开了制造这样的太阳能电池的方法。在该太阳能电池中，钝化膜(2)和抗反射膜(3)均可以由氮化硅膜构成。
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公开(公告)号：CN101471390B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200910003203.5
申请日：2005-10-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/02167 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法。太阳能电池包括硅基板，在硅基板的后表面侧上的p型杂质扩散区和n型杂质扩散区；后表面侧钝化膜，形成于所述硅基板的后表面侧；光接收表面侧钝化膜，形成于所述硅基板的光接收表面上；抗反射膜，形成于所述光接收表面侧钝化膜上。所述光接收表面侧钝化膜的折射率高于所述抗反射膜的折射率。所述光接收表面侧钝化膜和所述抗反射膜分别由氮化硅膜制成。所述后表面侧钝化膜由氧化硅制成。根据本发明，可以提高太阳能电池的最大电功率。
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公开(公告)号：CN101548392A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200780044547.X
申请日：2007-11-19
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0216 , C23C16/34
CPC classification number: H01L31/02168 , C23C16/345 , C23C16/56 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池(10)，其中，在该太阳能电池(10)中形成的钝化膜(3)对于太阳能电池(10)中的硅基板表面(1)上的p区及n区中的任一区域均可发挥高度钝化效果。在该太阳能电池(10)中，在硅基板(1)上与受光面相反的面上形成了由氮化硅膜构成的第1钝化膜，该第1钝化膜的折射率在2.6以上。在该太阳能电池(10)中，优选在硅基板(1)和第1钝化膜之间形成含有氧化硅膜和/或氧化铝膜的第2钝化膜。并且，该太阳能电池(10)优选为下述的背结型太阳能电池——在硅基板(1)上与受光面相反的面上形成了pn结的太阳能电池。
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公开(公告)号：CN101471390A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200910003203.5
申请日：2005-10-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02168 , H01L31/02167 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及太阳能电池的制造方法。太阳能电池包括硅基板，在硅基板的后表面侧上的p型杂质扩散区和n型杂质扩散区；后表面侧钝化膜，形成于所述硅基板的后表面侧；光接收表面侧钝化膜，形成于所述硅基板的光接收表面上；抗反射膜，形成于所述光接收表面侧钝化膜上。所述光接收表面侧钝化膜的折射率高于所述抗反射膜的折射率。所述光接收表面侧钝化膜和所述抗反射膜分别由氮化硅膜制成。所述后表面侧钝化膜由氧化硅制成。根据本发明，可以提高太阳能电池的最大电功率。
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