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公开(公告)号：CN102782864A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201080064809.0
申请日：2010-12-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/03046 , H01L31/06875 , H01L31/1844 , Y02E10/544
Abstract: 涉及一种多结化合物半导体太阳能电池，在所述第1单元(40A，40B)和所述第2单元(40C)之间的缓冲层(41)中，设置多个半导体层使得晶格常数按照从第1单元(40A，40B)侧至第2单元(40C)侧的顺序增大，在多个半导体层中，邻接的两层中晶格常数差最大的两层(21a，22a)位于比缓冲层(41)在厚度方向上的中央更接近第1单元(40A，40B)侧的位置。
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公开(公告)号：CN102782864B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201080064809.0
申请日：2010-12-27
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0687 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/03046 , H01L31/06875 , H01L31/1844 , Y02E10/544
Abstract: 涉及一种多结化合物半导体太阳能电池，在所述第1单元(40A，40B)和所述第2单元(40C)之间的缓冲层(41)中，设置多个半导体层使得晶格常数按照从第1单元(40A，40B)侧至第2单元(40C)侧的顺序增大，在多个半导体层中，邻接的两层中晶格常数差最大的两层(21a，22a)位于比缓冲层(41)在厚度方向上的中央更接近第1单元(40A，40B)侧的位置。
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公开(公告)号：CN1521867A
公开(公告)日：2004-08-18
申请号：CN200410003659.9
申请日：2004-02-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/305
Abstract: 本发明公开了一种单片结构的半导体发光元件，包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在第一导电类型的半导体衬底上的活性层；形成在活性层上的第二导电类型的覆层；以及，形成在第二导电类型的覆层上的电流扩散层，其中活性层为第一导电类型。
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公开(公告)号：CN1298058C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200410003659.9
申请日：2004-02-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/30 , H01L33/305
Abstract: 本发明公开了一种单片结构的半导体发光元件，包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在第一导电类型的半导体衬底上的活性层；形成在活性层上的第二导电类型的覆层；以及，形成在第二导电类型的覆层上的电流扩散层，其中活性层为第一导电类型。
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公开(公告)号：CN100376042C
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200410090000.1
申请日：2004-10-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/145 , H01L2224/48463 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光元件，其可得到均匀的发光的同时，可实现半导体发光元件的小型化。其具有：n型GaAs衬底(3)；由n型AlInP下涂敷层(4a)、AlGaInP活性层(5)以及p型AlInP上涂敷层(4b)构成的发光区域层(6)；p型AlGaInP电流扩散层(9)；由AuZn构成的p型电极(10)；还具有用于将发光限制在电流扩散层(9)的发光区域层(6)侧而部分形成的n型GaP电流阻止层(8)；由AuGe构成的n型电极(2)。其中，通过由中央区域部分(8a)和从该中央区域部分(8a)介由电流扩散层(9)的区域部分包围的外侧区域部分(8b)形成电流阻止层(8)，从而将在光取出侧面得到的发光部分(7)形成为环状，并且使电极(10)朝向所述中央区域部分(8a)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100347821C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200410002996.6
申请日：2004-01-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00 , H01S5/00
CPC classification number: H01L21/02502 , C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02507 , H01L21/02543 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备。III-V族化合物半导体层的制造方法，包括以下工序：在反应室中的衬底上形成第一III-V族化合物半导体层；在第一III-V族化合物半导体层形成工序之前或之后，向反应室提供III族材料气体，防止反应室内的III族气体的再次蒸发。
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公开(公告)号：CN1612368A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410090000.1
申请日：2004-10-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/145 , H01L2224/48463 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光元件，其可得到均匀的发光的同时，可实现半导体发光元件的小型化。其具有：n型GaAs衬底(3)；由n型AlInP下涂敷层(4a)、AlGaInP活性层(5)以及p型AlInP上涂敷层(4b)构成的发光区域层(6)；p型AlGaInP电流扩散层(9)；由AuZn构成的p型电极(10)；还具有用于将发光限制在电流扩散层(9)的发光区域层(6)侧而部分形成的n型GaP电流阻止层(8)；由AuGe构成的n型电极(2)。其中，通过由中央区域部分(8a)和从该中央区域部分(8a)介由电流扩散层(9)的区域部分包围的外侧区域部分(8b)形成电流阻止层(8)，从而将在光取出侧面得到的发光部分(7)形成为环状，并且使电极(10)朝向所述中央区域部分(8a)。
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公开(公告)号：CN1531022A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410002996.6
申请日：2004-01-08
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L33/00 , H01S5/00
CPC classification number: H01L21/02502 , C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02507 , H01L21/02543 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体层和发光元件的制造方法及汽相生长设备。III－V族化合物半导体层的制造方法，包括以下工序：在反应室中的衬底上形成第一III－V族化合物半导体层；在第一III－V族化合物半导体层形成工序之前或之后，向反应室提供III族材料气体，防止反应室内的III族气体的再次蒸发。
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