有源矩阵基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN112349732B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202010782151.2

    申请日:2020-08-06

    Abstract: 有源矩阵基板包括栅极总线、源极总线、下部绝缘层以及氧化物半导体TFT,氧化物半导体TFT具有配置在下部绝缘层上的氧化物半导体层、栅电极、源电极、以及连接氧化物半导体层以及源电极的第一欧姆导电部,下部绝缘层具有使源电极的至少一部分露出的源极用开口部,第一欧姆导电部配置在下部绝缘层上以及源极用开口部内,且在源极用开口部内与源电极的至少一部分直接接触,氧化物半导体层的第一区域与第一欧姆导电部的上表面直接接触。

    有源矩阵基板以及其制造方法

    公开(公告)号:CN112071860B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202010444250.X

    申请日:2020-05-22

    Abstract: 本发明提供一种有源矩阵基板以及其制造方法。有源矩阵基板包括:基板;多个下部总线以及多个上部总线;下部绝缘层,位于多个下部总线与多个上部总线之间;氧化物半导体TFT,是配置在各像素区域的氧化物半导体TFT,包含配置在下部绝缘层上的氧化物半导体层;像素电极,配置在各像素区域;多个配线连接部,配置在非显示区域。各配线连接部包含:下部导电层,使用与多个下部总线相同的导电膜而形成;绝缘层,是在下部导电层上延伸设置的,包含下部绝缘层的绝缘层,包含露出下部导电层的一部分的第一开口部;其他导电层,在第一开口部内连接在下部导电层。多个下部总线以及下部导电层包含:包含金属层、和覆盖金属层的上面以及侧面的透明导电层。

    有源矩阵基板
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110310960A

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201910210031.2

    申请日:2019-03-19

    Abstract: 本发明提供包括电阻低的栅极金属层的有源矩阵基板。有源矩阵基板包括包含多条源极总线SL的源极金属层及包含多条栅极总线GL的栅极金属层、与配置于各像素区域的薄膜晶体管(101),薄膜晶体管包括:栅极电极(3)、隔着栅极绝缘层(5)而配置在栅极电极(3)上的氧化物半导体层(7)、源极电极(8)及漏极电极(9),栅极电极(3)形成在栅极金属层内,且电连接于多条栅极总线GL中的对应的一条栅极总线GL,栅极金属层具有层叠构造,该层叠构造包含铜合金层(g1)、与配置在铜合金层(g1)上的铜层(g2),铜合金层(g1)由包含Cu与至少一个添加金属元素的铜合金形成,添加金属元素包含Al,铜合金中的Al的含有量为2at%以上且为8at%以下。

    有源矩阵基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN109698205B

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN201811238583.6

    申请日:2018-10-23

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种也可适用于大型液晶面板的有源矩阵基板。有源矩阵基板(100)具备源极总线及栅极总线、分别配置于各像素区域P的薄膜晶体管(10)及像素电极PE、隔着介电层配置于像素电极上的共用电极CE、以及在显示区域内配置于栅极金属层与源极金属层之间的旋涂玻璃层(23),像素电极是由与薄膜晶体管的氧化物半导体层(7)相同的金属氧化物膜形成,旋涂玻璃层在各像素区域内的形成有薄膜晶体管的部分具有开口部(23p),旋涂玻璃层位于源极总线SL与栅极总线GL交叉的交叉部Dsg的源极总线与栅极总线之间、且位于各像素区域内的像素电极PE的至少一部分与基板(1)之间。

    有源矩阵基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN109698205A

    公开(公告)日:2019-04-30

    申请号:CN201811238583.6

    申请日:2018-10-23

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种也可适用于大型液晶面板的有源矩阵基板。有源矩阵基板(100)具备源极总线及栅极总线、分别配置于各像素区域P的薄膜晶体管(10)及像素电极PE、隔着介电层配置于像素电极上的共用电极CE、以及在显示区域内配置于栅极金属层与源极金属层之间的旋涂玻璃层(23),像素电极是由与薄膜晶体管的氧化物半导体层(7)相同的金属氧化物膜形成,旋涂玻璃层在各像素区域内的形成有薄膜晶体管的部分具有开口部(23p),旋涂玻璃层位于源极总线SL与栅极总线GL交叉的交叉部Dsg的源极总线与栅极总线之间、且位于各像素区域内的像素电极PE的至少一部分与基板(1)之间。

    显示面板
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109597234A

    公开(公告)日:2019-04-09

    申请号:CN201811139272.4

    申请日:2018-09-28

    Abstract: 一种显示面板,抑制位置检测配线与其它配线发生干扰的事态。其特征在于,具备:玻璃基板(31);多个像素电极(33),其设置于玻璃基板(31);多个位置检测电极(48),其设置于玻璃基板(31),检测位置输入体的输入位置;多个TFT(32),其在玻璃基板(31)中相比于像素电极(33)和位置检测电极(48)设置在下层,连接到多个像素电极(33)中的每一个像素电极(33);位置检测配线(50),其在玻璃基板(31)中相比于TFT(32)设置在下层,电连接到位置检测电极(48);以及SOG膜(52),其配置在位置检测配线(50)与TFT(32)之间。

    有源矩阵基板及带触摸传感器的液晶显示装置

    公开(公告)号:CN112051690B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202010493248.1

    申请日:2020-06-03

    Abstract: 一种有源矩阵基板及带触摸传感器的液晶显示装置,有源矩阵基板具备:源极金属层,其包含源极总线;下部绝缘层,其覆盖源极金属层;顶栅型的氧化物半导体TFT,其包含设置在下部绝缘层上的氧化物半导体层;层间绝缘层,其覆盖氧化物半导体TFT;像素电极,其设置在层间绝缘层上;共用电极,其包含能作为触摸传感器用的电极发挥功能的多个子共用电极;栅极金属层,其包含栅极总线和栅极电极;漏极金属层,其包含漏极电极;以及多个触摸传感器用配线,其分别电连接到多个子共用电极中的任意一个子共用电极,并且包含于漏极金属层。

    有源矩阵基板及带触摸传感器的液晶显示装置

    公开(公告)号:CN112051690A

    公开(公告)日:2020-12-08

    申请号:CN202010493248.1

    申请日:2020-06-03

    Abstract: 一种有源矩阵基板及带触摸传感器的液晶显示装置,有源矩阵基板具备:源极金属层,其包含源极总线;下部绝缘层,其覆盖源极金属层;顶栅型的氧化物半导体TFT,其包含设置在下部绝缘层上的氧化物半导体层;层间绝缘层,其覆盖氧化物半导体TFT;像素电极,其设置在层间绝缘层上;共用电极,其包含能作为触摸传感器用的电极发挥功能的多个子共用电极;栅极金属层,其包含栅极总线和栅极电极;漏极金属层,其包含漏极电极;以及多个触摸传感器用配线,其分别电连接到多个子共用电极中的任意一个子共用电极,并且包含于漏极金属层。

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