公开(公告)号：CN104919604B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201480004398.4

申请日：2014-03-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 渡边昌规 ,  驹田聪 ,  井上知也 ,  川畑昴佑

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/025 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: 氮化物半导体发光元件依次具备第一n型氮化物半导体层、第二n型氮化物半导体层、n型电子注入层和发光层，第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度为第一n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的0.53倍以下，n型电子注入层的平均n型掺杂物浓度为第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的1.5倍以上。

公开(公告)号：CN104919604A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201480004398.4

申请日：2014-03-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 渡边昌规 ,  驹田聪 ,  井上知也 ,  川畑昴佑

IPC: H01L33/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/025 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: 氮化物半导体发光元件依次具备第一n型氮化物半导体层、第二n型氮化物半导体层、n型电子注入层和发光层，第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度为第一n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的0.53倍以下，n型电子注入层的平均n型掺杂物浓度为第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的1.5倍以上。