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公开(公告)号：CN106415860B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201580027376.4
申请日：2015-05-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 井上知也
Abstract: 氮化物半导体发光元件具备：基板(1)；和在基板(1)之上依次设置的n型氮化物半导体层(7)、包含单量子阱构造或多量子阱构造的发光层(15)、及p型氮化物半导体层(17)。n型氮化物半导体层(7)具有在从基板(1)侧朝向发光层(15)侧的方向上依次设置的第一n型氮化物半导体层(9)、第二n型氮化物半导体层(11)及第三n型氮化物半导体层(13)。第二n型氮化物半导体层(11)的n型掺杂剂浓度比第一n型氮化物半导体层(9)的n型掺杂剂浓度低。第三n型氮化物半导体层(13)的n型掺杂剂浓度比第二n型氮化物半导体层(11)的n型掺杂剂浓度高。在第二n型氮化物半导体层(11)、第三n型氮化物半导体层(13)和发光层(15)中局部形成有V凹坑构造(27)。V凹坑构造(27)的开始点(27C)的平均位置存在于第二n型氮化物半导体层(11)内。
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公开(公告)号：CN106415860A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580027376.4
申请日：2015-05-12
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 井上知也
Abstract: 氮化物半导体发光元件具备：基板(1)；和在基板(1)之上依次设置的n型氮化物半导体层层(15)、及p型氮化物半导体层(17)。n型氮化物半导体层(7)具有在从基板(1)侧朝向发光层(15)侧的方向上依次设置的第一n型氮化物半导体层(9)、第二n型氮化物半导体层(11)及第三n型氮化物半导体层(13)。第二n型氮化物半导体层(11)的n型掺杂剂浓度比第一n型氮化物半导体层(9)的n型掺杂剂浓度低。第三n型氮化物半导体层(13)的n型掺杂剂浓度比第二n型氮化物半导体层(11)的n型掺杂剂浓度高。在第二n型氮化物半导体层(11)、第三n型氮化物半导体层(13)和发光层(15)中局部形成有V凹坑构造(27)。V凹坑构造(27)的开始点(27C)的平均位置存在于第二n型氮化物半导体层(11)内。(7)、包含单量子阱构造或多量子阱构造的发光
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公开(公告)号：CN104364917A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380031117.X
申请日：2013-05-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2933/0033 , H01L33/20
Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)具备：基板(3)、设置在基板(3)上的缓冲层(5)、设置在缓冲层(5)上的基底层(7)、设置在基底层(7)上的n侧氮化物半导体层、设置在n侧氮化物半导体层上的MQW发光层(14)、和设置在MQW发光层(14)上的p侧氮化物半导体层，关于作为构成氮化物半导体发光元件(1)的各层的结晶面的(004)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(004)为40arcsec以下，或者关于(102)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(102)为130arcsec以下，同一工作电流下的25℃时的光输出P(25)和80℃时的光输出P(80)的比率P(80)/P(25)为95％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107924966A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201580046876.2
申请日：2015-08-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/32 , H01L21/205
Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)至少具备n型氮化物半导体层(8)、发光层(14)、p型氮化物半导体层(16)。n型氮化物半导体层(8)和发光层(14)之间，设置有具有1组以上的第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的层叠结构的多层结构体。第二半导体层(122)的带隙能量比第一半导体层(121)的带隙能量大。第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的各自的厚度大于10nm而在30nm以下。或者，在重视室温下的发光效率的用途中，第一半导体层(121)的厚度大于10nm而在30nm以下，第二半导体层(122)的厚度大于10nm而在40nm以下，发光层上形成有在其剖视时为V字形的凹部。
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公开(公告)号：CN107924966B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201580046876.2
申请日：2015-08-31
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/32 , H01L21/205
Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)至少具备n型氮化物半导体层(8)、发光层(14)、p型氮化物半导体层(16)。n型氮化物半导体层(8)和发光层(14)之间，设置有具有1组以上的第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的层叠结构的多层结构体。第二半导体层(122)的带隙能量比第一半导体层(121)的带隙能量大。第一半导体层(121)和第二半导体层(122)的各自的厚度大于10nm而在30nm以下。或者，在重视室温下的发光效率的用途中，第一半导体层(121)的厚度大于10nm而在30nm以下，第二半导体层(122)的厚度大于10nm而在40nm以下，发光层上形成有在其剖视时为V字形的凹部。
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公开(公告)号：CN104919604B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201480004398.4
申请日：2014-03-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 氮化物半导体发光元件依次具备第一n型氮化物半导体层、第二n型氮化物半导体层、n型电子注入层和发光层，第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度为第一n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的0.53倍以下，n型电子注入层的平均n型掺杂物浓度为第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的1.5倍以上。
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公开(公告)号：CN104364917B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201380031117.X
申请日：2013-05-15
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2933/0033
Abstract: 氮化物半导体发光元件(1)具备：基板(3)、设置在基板(3)上的缓冲层(5)、设置在缓冲层化物半导体层、设置在n侧氮化物半导体层上的MQW发光层(14)、和设置在MQW发光层(14)上的p侧氮化物半导体层，关于作为构成氮化物半导体发光元件(1)的各层的结晶面的(004)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(004)为40arcsec以下，或者关于(102)面的X射线的摇摆曲线半峰宽度ω(102)为130arcsec以下，同一工作电流下的25℃时的光输出P(25)和80℃时的光输出P(80)的比率P(80)/P(25)为95％以上。(5)上的基底层(7)、设置在基底层(7)上的n侧氮
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公开(公告)号：CN104919604A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201480004398.4
申请日：2014-03-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/025 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32
Abstract: 氮化物半导体发光元件依次具备第一n型氮化物半导体层、第二n型氮化物半导体层、n型电子注入层和发光层，第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度为第一n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的0.53倍以下，n型电子注入层的平均n型掺杂物浓度为第二n型氮化物半导体层的平均n型掺杂物浓度的1.5倍以上。
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