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公开(公告)号：CN101042946B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200710092059.8
申请日：2004-07-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01B1/02 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/532 , H01L27/32 , H05K1/09 , G02F1/1343 , H05B33/24 , H05B33/26 , C22C5/06
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的电路基板使用以银作为主要成分，至少含有从锡、锌、铅、铋、铟和镓中选择的一种以上元素的银合金材料，作为构成栅极布线和栅电极的材料。在栅极布线或栅电极中特别优选使用以银作为主要成分，含有铟的银合金材料。这样，通过调整铟的含有量，可以提供一种可适宜调整低电阻、附着性、耐等离子体性、反射性等的银合金材料。而且，能够将这些合金配合在电路基板的各部位所要求的特性而适用。
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公开(公告)号：CN101042946A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710092059.8
申请日：2004-07-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01B1/02 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/532 , H01L27/32 , H05K1/09 , G02F1/1343 , H05B33/24 , H05B33/26 , C22C5/06
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的电路基板使用以银作为主要成分，至少含有从锡、锌、铅、铋、铟和镓中选择的一种以上元素的银合金材料，作为构成栅极布线和栅电极的材料。在栅极布线或栅电极中特别优选使用以银作为主要成分，含有铟的银合金材料。这样，通过调整铟的含有量，可以提供一种可适宜调整低电阻、附着性、耐等离子体性、反射性等的银合金材料。而且，能够将这些合金配合在电路基板的各部位所要求的特性而适用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1679171A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN03820547.5
申请日：2003-08-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/00
CPC classification number: H01L27/1292 , H01L29/42384 , H01L29/66765 , H01L29/78633 , H01L29/78696
Abstract: 一种TFT阵列基板包括薄膜晶体管部件，其中栅极形成在基板上，半导体层经栅极绝缘层形成在栅极上。这种TFT阵列基板的半导体层具有通过滴落液滴形成的形状。因而，可以通过滴落液滴直接形成半导体层或用于形成半导体层的抗蚀剂层。由此，本发明允许使用喷墨法，因而减少了制造工艺的成本和数量。
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公开(公告)号：CN1577637A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410054483.X
申请日：2004-07-22
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C22C5/06 , G02F2001/136295 , H01B1/02 , H01L27/124 , H01L27/1292 , H01L2924/0002 , H05K1/097 , H05K3/125 , H05K2201/0391 , H05K2203/013 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的电路基板使用以银作为主要成分，至少含有从锡、锌、铅、铋、铟和镓中选择的一种以上元素的银合金材料，作为构成栅极布线和栅电极的材料。在栅极布线或栅电极中特别优选使用以银作为主要成分，含有铟的银合金材料。这样，通过调整铟的含有量，可以提供一种可适宜调整低电阻、附着性、耐等离子体性、反射性等的银合金材料。而且，能够将这些合金配合在电路基板的各部位所要求的特性而适用。
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公开(公告)号：CN100477272C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN03820547.5
申请日：2003-08-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/00
CPC classification number: H01L27/1292 , H01L29/42384 , H01L29/66765 , H01L29/78633 , H01L29/78696
Abstract: 一种TFT阵列基板包括薄膜晶体管部件，其中栅极形成在基板上，半导体层经栅极绝缘层形成在栅极上。这种TFT阵列基板的半导体层具有通过滴落液滴形成的形状。因而，可以通过滴落液滴直接形成半导体层或用于形成半导体层的抗蚀剂层。由此，本发明允许使用喷墨法，因而减少了制造工艺的成本和数量。
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公开(公告)号：CN101111124A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710140960.8
申请日：2004-07-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H05K1/09 , H01B1/02 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H01L23/48
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的电路基板使用以银作为主要成分，至少含有从锡、锌、铅、铋、铟和镓中选择的一种以上元素的银合金材料，作为构成栅极布线和栅电极的材料。在栅极布线或栅电极中特别优选使用以银作为主要成分，含有铟的银合金材料。这样，通过调整铟的含有量，可以提供一种可适宜调整低电阻、附着性、耐等离子体性、反射性等的银合金材料。而且，能够将这些合金配合在电路基板的各部位所要求的特性而适用。
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公开(公告)号：CN100339914C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200410054483.X
申请日：2004-07-22
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: C22C5/06 , G02F2001/136295 , H01B1/02 , H01L27/124 , H01L27/1292 , H01L2924/0002 , H05K1/097 , H05K3/125 , H05K2201/0391 , H05K2203/013 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的电路基板使用以银作为主要成分，至少含有从锡、锌、铅、铋、铟和镓中选择的一种以上元素的银合金材料，作为构成栅极布线和栅电极的材料。在栅极布线或栅电极中特别优选使用以银作为主要成分，含有铟的银合金材料。这样，通过调整铟的含有量，可以提供一种可适宜调整低电阻、附着性、耐等离子体性、反射性等的银合金材料。而且，能够将这些合金配合在电路基板的各部位所要求的特性而适用。
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