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公开(公告)号：CN100472808C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200610005451.X
申请日：2006-01-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0873 , H01L29/0878
Abstract: 横向双扩散MOS晶体管，包括设置在第二传导类型的半导体衬底上的第一传导类型的漂移区和形成在漂移区内的表面上的第二传导类型的体扩散区。MOS晶体管包括形成在该一个位置以使其经由绝缘膜而覆盖从体扩散区部分到位于扩散区外的漂移区的部分的栅极；MOS晶体管还包括分别形成在体扩散区顶部和漂移区顶部的第一传导类型的源极扩散区以及第一传导类型的漏极扩散区，它们分别对应于栅极的两侧。漏极扩散区包括具有源极扩散区峰值浓度的1/1000或更高浓度的深度扩散部分，且它被定位在比源极扩散区更深的位置上。
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公开(公告)号：CN1815757A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200610005451.X
申请日：2006-01-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0873 , H01L29/0878
Abstract: 横向双扩散MOS晶体管，包括设置在第二传导类型的半导体衬底上的第一传导类型的漂移区和形成在漂移区内的表面上的第二传导类型的体扩散区。MOS晶体管包括形成在该一个位置以使其经由绝缘膜而覆盖从体扩散区部分到位于扩散区外的漂移区的部分的栅极；MOS晶体管还包括分别形成在体扩散区顶部和漂移区顶部的第一传导类型的源极扩散区以及第一传导类型的漏极扩散区，它们分别对应于栅极的两侧。漏极扩散区包括具有源极扩散区峰值浓度的1/1000或更高浓度的深度扩散部分，且它被定位在比源极扩散区更深的位置上。
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公开(公告)号：CN101655350B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200910162934.4
申请日：2009-08-20
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G01B11/026 , G01C3/08 , G01S7/481 , G01S17/48
Abstract: 一种光学式测距传感器，具备：与发光元件设置在同一平面上的受光元件(2)。受光元件(2)包括：受光部(21)，其具有多个单元(21A)且把从发光元件(1)发出而由被测定物反射的光进行聚光；闪存部(25)，其记忆受光部(21)中的规定位置；信号处理电路部(22)，其根据由多个单元(21A)得到的所述光的检测结果来检测受光部(21)中所述光的聚光位置，而且根据闪存部(25)记忆的规定位置与受光部(21)中所述光的聚光位置的相对关系来计测距测定物的距离。
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公开(公告)号：CN101655350A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200910162934.4
申请日：2009-08-20
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G01B11/026 , G01C3/08 , G01S7/481 , G01S17/48
Abstract: 一种光学式测距传感器，具备：与发光元件设置在同一平面上的受光元件(2)。受光元件(2)包括：受光部(21)，其具有多个单元(21A)且把从发光元件(1)发出而由被测定物反射的光进行聚光；闪存部(25)，其记忆受光部(21)中的规定位置；信号处理电路部(22)，其根据由多个单元(21A)得到的所述光的检测结果来检测受光部(21)中所述光的聚光位置，而且根据闪存部(25)记忆的规定位置与受光部(21)中所述光的聚光位置的相对关系来计测距测定物的距离。
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公开(公告)号：CN1988154A
公开(公告)日：2007-06-27
申请号：CN200610173251.5
申请日：2006-12-21
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/0259
Abstract: 一种包括用于向外部电路提供电流的输出级晶体管的调节电路，该调节电路具有与输出级晶体管并联所形成的静电保护晶体管。静电保护晶体管的基极例如连接到输出级晶体管的基极，或者可选地连接到接地线或连接到静电保护晶体管自身的发射极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1925170A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610129019.1
申请日：2006-08-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/088
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0696 , H01L29/0886 , H01L29/42368 , H01L29/66681
Abstract: 在本发明的横向双扩散场效应晶体管中，栅绝缘膜包括覆盖源扩散层直到超过基体扩散层图案的区域的第一栅绝缘膜、以及具有比第一栅绝缘膜的膜厚大的膜厚且覆盖比第一栅绝缘膜覆盖的区域更接近漏扩散层的区域的第二栅绝缘膜。第一栅绝缘膜和第二栅绝缘膜之间的界线由与基体扩散层的图案的一侧平行的直线部分和以一距离围绕该基体扩散层的图案的顶点的拐角部分组成。基体扩散层的图案的顶点与界线的拐角部分之间的距离等于或小于基体扩散层的图案的一侧与界线的直线部分之间的距离。
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公开(公告)号：CN1238906C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN03120928.9
申请日：2003-03-21
CPC classification number: H01L31/02024 , H01L21/761 , H01L21/76202 , H01L21/763 , H01L27/0203 , H01L27/1446
Abstract: 在具有由第一导电类型半导体构成的表面层的下层衬底上形成第一层。第一层由电阻高于下层衬底表面层电阻的半导体构成。在第一层的部分表面区中形成第二导电类型的第一杂质扩散区。第一杂质扩散区没有到达下层衬底的表面。在第一层中设置第一导电类型的第二杂质扩散区且在面内方向上与第一杂质扩散区隔开一定的距离。第二杂质扩散区到达下层衬底的表面。在第一和第二杂质扩散区之间设置分隔区。分隔区包括在第一层中形成的沟槽和至少在沟槽部分内部区域中设置的介电材料。
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公开(公告)号：CN1487602A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03155529.2
申请日：2003-08-28
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L31/103
Abstract: 本发明公开了一种光接收元件及其制造方法以及具有内建电路的光接收元件，其中该元件包括：衬底；以及，外延层，设置在衬底上并包括从外延层的表面延伸至预定深度的杂质扩散层。该预定深度为小于等于约0.3μm。杂质扩散层包括浓度小于约1×1020cm－3的杂质。
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公开(公告)号：CN100552949C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610173251.5
申请日：2006-12-21
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/0259
Abstract: 一种包括用于向外部电路提供电流的输出级晶体管的调节电路，该调节电路具有与输出级晶体管并联所形成的静电保护晶体管。静电保护晶体管的基极例如连接到输出级晶体管的基极，或者可选地连接到接地线或连接到静电保护晶体管自身的发射极。
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公开(公告)号：CN100472809C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200610129019.1
申请日：2006-08-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/088
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0696 , H01L29/0886 , H01L29/42368 , H01L29/66681
Abstract: 在本发明的横向双扩散场效应晶体管中，栅绝缘膜包括覆盖源扩散层直到超过基体扩散层图案的区域的第一栅绝缘膜、以及具有比第一栅绝缘膜的膜厚大的膜厚且覆盖比第一栅绝缘膜覆盖的区域更接近漏扩散层的区域的第二栅绝缘膜。第一栅绝缘膜和第二栅绝缘膜之间的界线由与基体扩散层的图案的一侧平行的直线部分和以一距离围绕该基体扩散层的图案的顶点的拐角部分组成。基体扩散层的图案的顶点与界线的拐角部分之间的距离等于或小于基体扩散层的图案的一侧与界线的直线部分之间的距离。
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