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公开(公告)号：CN103107289B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310049424.2
申请日：2009-04-28
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: H01L51/5056 , C09D11/52 , H01L51/0035 , H01L51/0039 , H01L51/0059 , H01L51/5088 , H01L51/5234 , H01L2251/5369 , H05B33/10 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是用于形成空穴注入传输层的含过渡金属的纳米粒子及其制造方法。提供一种制造工艺简单且可以实现长寿命的器件。所述器件的特征在于，具有在基板上对置的2个以上电极和配置在其中的2个电极间的空穴注入传输层，所述空穴注入传输层含有含过渡金属的纳米粒子，所述含过渡金属的纳米粒子包含至少含过渡金属氧化物的过渡金属化合物及过渡金属和保护剂，或者包含至少含过渡金属氧化物的过渡金属化合物和保护剂。
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公开(公告)号：CN102017217B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200980114949.1
申请日：2009-04-28
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: H01L51/5056 , C09D11/52 , H01L51/0035 , H01L51/0039 , H01L51/0059 , H01L51/5088 , H01L51/5234 , H01L2251/5369 , H05B33/10 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种制造工艺简单且可以实现长寿命的器件。所述器件的特征在于，具有在基板上对置的2个以上电极和配置在其中的2个电极间的空穴注入传输层，所述空穴注入传输层含有含过渡金属的纳米粒子，所述含过渡金属的纳米粒子包含至少含过渡金属氧化物的过渡金属化合物及过渡金属和保护剂，或者包含至少含过渡金属氧化物的过渡金属化合物和保护剂。
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公开(公告)号：CN103107289A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310049424.2
申请日：2009-04-28
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: H01L51/5056 , C09D11/52 , H01L51/0035 , H01L51/0039 , H01L51/0059 , H01L51/5088 , H01L51/5234 , H01L2251/5369 , H05B33/10 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是用于形成空穴注入传输层的含过渡金属的纳米粒子及其制造方法。提供一种制造工艺简单且可以实现长寿命的器件。所述器件的特征在于，具有在基板上对置的2个以上电极和配置在其中的2个电极间的空穴注入传输层，所述空穴注入传输层含有含过渡金属的纳米粒子，所述含过渡金属的纳米粒子包含至少含过渡金属氧化物的过渡金属化合物及过渡金属和保护剂，或者包含至少含过渡金属氧化物的过渡金属化合物和保护剂。
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公开(公告)号：CN102017217A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980114949.1
申请日：2009-04-28
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: H01L51/5056 , C09D11/52 , H01L51/0035 , H01L51/0039 , H01L51/0059 , H01L51/5088 , H01L51/5234 , H01L2251/5369 , H05B33/10 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供一种制造工艺简单且可以实现长寿命的器件。所述器件的特征在于，具有在基板上对置的2个以上电极和配置在其中的2个电极间的空穴注入传输层，所述空穴注入传输层含有含过渡金属的纳米粒子，所述含过渡金属的纳米粒子包含至少含过渡金属氧化物的过渡金属化合物及过渡金属和保护剂，或者包含至少含过渡金属氧化物的过渡金属化合物和保护剂。
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