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公开(公告)号：CN105103316A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480018506.3
申请日：2014-03-14
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L35/24 , C08G61/12 , C08G61/124 , C08G61/126 , C08G2261/11 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/1424 , C08G2261/1426 , C08G2261/1428 , C08G2261/148 , C08G2261/228 , C08G2261/312 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/3221 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/3244 , C08G2261/55 , H01L35/14 , H01L35/20 , H01L35/32
Abstract: 本发明涉及热电转换元件(1)、使用了该热电转换元件(1)的热电发电用物品和传感器用电源，所述热电转换元件(1)在基材(12)上具有第1电极(13)、热电转换层(14)和第2电极(15)，该热电转换层(14)含有纳米导电性材料和低能带隙材料；以及涉及一种含有该纳米导电性材料和该低能带隙材料的热电转换材料。
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公开(公告)号：CN1916667A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610115043.X
申请日：2006-08-17
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: G02B1/00 , G02B5/30 , G02F1/1335
Abstract: 一种光学树脂膜，其具有满足延迟要求(A)－(D)的Re(λ)和Rth(λ)，并且具有5％或更少的面内宽度方向延迟(Re)变化系数和10％或更少的厚度方向延迟(Rth)变化系数：(A)0.1＜Re(450)/Re(550)＜0.95(B)1.03＜Re(650)/Re(550)＜1.93(C)0.4＜(Re/Rth(450))/(Re/Rth(550))=＜0.95(D)1.05＜(Re/Rth(650))/(Re/Rth(550))＜1.9，以及使用该光学树脂膜的偏光板和液晶显示装置。
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公开(公告)号：CN104919609B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201480004536.9
申请日：2014-01-23
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C08G61/10 , C08G61/12 , C08G61/122 , C08G61/123 , C08G61/124 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/148 , C08G2261/312 , C08G2261/314 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/3241 , C08G2261/3245 , C08G2261/3246 , C08G2261/55 , H01L35/22 , H01L35/24
Abstract: 本发明涉及热电转换材料、热电转换元件以及使用其的热电发电用物品和传感器用电源。本发明的热电转换元件(1)是在基材(12)上具有第一电极(13)、热电转换层(14)和第二电极(15)的热电转换元件(1)，在该热电转换层(14)中含有纳米导电性材料、以及至少含有通式(1A)或(1B)所表示的芴结构作为重复结构的高分子；本发明的热电发电用物品和传感器用电源使用了该热电转换元件(1)；本发明的热电转换材料含有该高分子和纳米导电性材料。式中，R11和R12各自独立地表示取代基。R13和R14各自独立地表示芳香族烃环基、芳香族杂环基、烷基或烷氧基。此处，R13与R14可以相互键合而形成环。n11和n12b各自独立地表示0～3的整数，n12表示0～2的整数。La表示单键、‑N(Ra)‑或将选自由2价芳香族烃环基、2价芳香族杂环基以及‑N(Ra)‑组成的组中的基团组合而成的连接基团。Lb表示单键、2价芳香族烃环基、2价芳香族杂环基、‑N(Ra)‑、或者将这些基团组合而成的连接基团。此处，Ra表示取代基。Xb表示3价芳香族烃环基、3价芳香族杂环基或>N‑。*表示键合位置。
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公开(公告)号：CN105103317A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480018311.9
申请日：2014-03-25
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明涉及一种热电转换元件的制造方法，其为在基材上具有第1电极、热电转换层和第2电极的热电转换元件的制造方法，该制造方法具有以下工序：至少对纳米导电性材料和分散介质进行高速旋转薄膜分散法，制备含有纳米导电性材料的热电转换层用分散物；和将所制备的热电转换层用分散物涂布至基材上，并进行干燥；另外涉及一种热电转换层用分散物的制造方法，其中，至少对纳米导电性材料和分散介质进行高速旋转薄膜分散法。
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公开(公告)号：CN102472837B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201080035795.X
申请日：2010-08-12
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 丸山阳一
CPC classification number: G02B1/11 , B29D11/00009 , G02B3/0031 , G02B7/022 , G02B13/001 , G02B13/0085 , H01L27/14627
Abstract: 本发明公开了一种通过其可以获得足够的遮光性的晶片级透镜，所述晶片级透镜具有至少一个透镜模块，所述透镜模块具有基板和形成在所述基板上的多个透镜，并且具有形成在所述透镜模块的表面上或所述基板的表面上的黑色抗蚀剂层，其中所述黑色抗蚀剂层形成有在与所述透镜的光轴交叉的部分具有开口的图案。此外，可以避免归因于反射光的缺陷如重影和耀斑的产生，并且可以抑制生产成本的增加。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1329776C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN00136222.4
申请日：2000-12-14
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明涉及一种包含颗粒的卤化银照相乳剂，其中所有颗粒的等圆直径的分布变化系数为40%或更低，而且所有颗粒数量中的50%或更高都满足以下条件：碘溴化银或溴氯碘化银片状颗粒具有(111)面作为主表面；等圆直径为3.5μm或更高，而厚度为0.25μm或更低；以及片状颗粒的孪晶面之间的距离为0.016μm或更低。
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公开(公告)号：CN105103316B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201480018506.3
申请日：2014-03-14
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L35/24 , C08G61/12 , C08G61/124 , C08G61/126 , C08G2261/11 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/1424 , C08G2261/1426 , C08G2261/1428 , C08G2261/148 , C08G2261/228 , C08G2261/312 , C08G2261/3142 , C08G2261/3162 , C08G2261/3221 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/3244 , C08G2261/55 , H01L35/14 , H01L35/20 , H01L35/32
Abstract: 本发明涉及热电转换元件(1)、使用了该热电转换元件(1)的热电发电用物品和传感器用电源，所述热电转换元件(1)在基材(12)上具有第1电极(13)、热电转换层(14)和第2电极(15)，该热电转换层(14)含有纳米导电性材料和低能带隙材料；以及涉及一种含有该纳米导电性材料和该低能带隙材料的热电转换材料。
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公开(公告)号：CN104919608B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201480004535.4
申请日：2014-01-23
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L35/24 , C08G73/024 , C08G73/026 , C08L79/02 , H01L35/22 , H01L35/34
Abstract: 本发明涉及热电转换材料、热电转换元件以及使用其的热电发电用物品和传感器用电源。本发明的热电转换元件(1)是在基材(12)上具有第一电极(13)、热电转换层(14)和第二电极(15)的热电转换元件(1)，在该热电转换层(14)中含有纳米导电性材料、以及至少含有通式(1)所表示的结构作为重复结构的高分子；本发明的热电发电用物品和传感器用电源等使用了该热电转换元件(1)；本发明的热电转换材料含有该高分子和纳米导电性材料。通式(1)中，Ar11和Ar12表示亚芳基或杂亚芳基。Ar13表示芳基或杂芳基。R11、R12和R13表示取代基。此处，R11与R12、R11与R13、R12与R13可以相互键合而形成环。L表示单键或下式(l‑1)～(l‑4)中的任意式所表示的连接基团。n11、n12和n13表示0～4的整数，n1表示5以上的整数。连接基团中，Ar14和Ar16表示亚芳基或杂亚芳基，Ar15表示芳基或杂芳基。R14～R16表示取代基。此处，R14与R12、R15与R12、R16与R12、R15与R16可以相互键合而形成环。n14～n16表示0～4的整数。X1表示亚芳基羰基亚芳基或亚芳基磺酰基亚芳基，X2表示亚芳基、杂亚芳基或者将它们组合而成的连接基团。
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公开(公告)号：CN104919608A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201480004535.4
申请日：2014-01-23
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L35/24 , C08G73/024 , C08G73/026 , C08L79/02 , H01L35/22 , H01L35/34
Abstract: 本发明涉及热电转换材料、热电转换元件以及使用其的热电发电用物品和传感器用电源。本发明的热电转换元件(1)是在基材(12)上具有第一电极(13)、热电转换层(14)和第二电极(15)的热电转换元件(1)，在该热电转换层(14)中含有纳米导电性材料、以及至少含有通式(1)所表示的结构作为重复结构的高分子；本发明的热电发电用物品和传感器用电源等使用了该热电转换元件(1)；本发明的热电转换材料含有该高分子和纳米导电性材料。通式(1)中，Ar11和Ar12表示亚芳基或杂亚芳基。Ar13表示芳基或杂芳基。R11、R12和R13表示取代基。此处，R11与R12、R11与R13、R12与R13可以相互键合而形成环。L表示单键或下式(l-1)～(l-4)中的任意式所表示的连接基团。n11、n12和n13表示0～4的整数，n1表示5以上的整数。连接基团中，Ar14和Ar16表示亚芳基或杂亚芳基，Ar15表示芳基或杂芳基。R14～R16表示取代基。此处，R14与R12、R15与R12、R16与R12、R15与R16可以相互键合而形成环。n14～n16表示0～4的整数。X1表示亚芳基羰基亚芳基或亚芳基磺酰基亚芳基，X2表示亚芳基、杂亚芳基或者将它们组合而成的连接基团。
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公开(公告)号：CN104335372A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380029249.9
申请日：2013-07-01
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: H01L35/32 , B82Y30/00 , C08G2261/55 , C08K3/04 , C08K3/041 , C08K2201/011 , C08L65/00 , H01L35/22 , H01L35/24 , H01L35/26 , H01L35/34 , Y10S977/783 , Y10S977/948
Abstract: 本发明涉及含有碳纳米管的热电转换材料、使用其的热电转换元件和热电发电用物品、热电转换元件的制造方法。通式(1)通式(1)中，R1和R2各自独立地表示碳原子数为1～20的烷基。
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