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公开(公告)号：CN107851703B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201680040105.7
申请日：2016-06-17
Applicant: 马勒国际有限公司
Inventor： 于尔根·格伦瓦尔德 , 克里斯蒂安娜·黑内卡
IPC: H01L35/30
Abstract: 本发明涉及一种尤其是机动车(2)的热电热交换器(1)，该热交换器具有用于其温度待控制的流体的流动室(3)。热交换器(1)还具有珀尔帖元件(4)，该珀尔帖元件具有多个半导体(5、6)，其中半导体在面向流动室(3)的侧面上通过连接结构(7)电接触。通过连接结构(7)具有电连接两个半导体(5、6)并且布置在流动室(3)中的至少一个连接元件(9)，实现了热交换器(1)的改进的效率和/或改进的耐用性。本发明还涉及一种所述类型的热交换器(1)的所述类型的珀尔帖元件(4)。
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公开(公告)号：CN107078202B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201580052847.7
申请日：2015-09-24
Applicant: 德尔塔蒂研究财团
Abstract: 在3D集成热电发电机(iTEG)的基板晶片上的集成Z‑器件结构的晶方可以三维异质集成模式、在没有或具有中介层晶片晶方的情况下进行堆叠，从而在它们之间进行相干热耦合。与谷底金属接头触点几何投影对应的穿过集成Z‑器件结构晶方的基板的半导体晶体厚度的穿通硅通孔(TSV)洞，以及与耦合Z‑器件结构的山顶金属接头触点几何投影对应的穿过中介层晶方的半导体晶体厚度的穿通硅通孔(TSV)洞具有铜或其它良好的热导体填充物，形成穿过堆叠的Z‑器件结构的低热阻热传导路径。热电生成的电流从在平面外热通量构造中操作的多层iTEG中的每个集成Z‑器件进行收集。
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公开(公告)号：CN109755378A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811301386.4
申请日：2018-11-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 公开了热电器件和用于形成热电器件的方法。该热电器件包括多个第一半导体台面结构，其具有第一导电性类型。此外，热电器件包括多个第二半导体台面结构，其具有第二导电性类型。多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构和多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构被串联电连接。热电器件进一步包括玻璃结构，其横向位于多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构和多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构之间。所述玻璃结构将多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构与多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构横向地电绝缘。
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公开(公告)号：CN109065699A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810889321.X
申请日：2018-08-07
Applicant: 太仓碧奇新材料研发有限公司
Inventor： 蓝碧健
Abstract: 本发明属于能源材料技术领域，具体为一种噻蒽复合热电材料的制备方法。本发明提出的方法是将四种噻蒽有机物、碘化亚铜、四氯苯醌、氧化镁粉以及二甲亚砜混合，加热搅拌，冷却抽滤，乙醇淋洗，真空干燥，粉体球磨等制备噻蒽复合热电材料。将噻蒽复合热电材料冷压成型，测试热导、热电系数，依据功率因子公式计算出噻蒽复合热电材料的功率因子高于878μW·m‑1·K‑2，热电优值高于1.72。
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公开(公告)号：CN108963066A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810756797.6
申请日：2018-07-11
Applicant: 重庆大学
IPC: H01L35/34
CPC classification number: H01L35/34
Abstract: 本发明公开了一种柔性热电材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)热电材料的制备；1.1)将磺酸溶液与PEDOT:PSS分散液混合，进行搅拌，得到掺杂PEDOT:PSS分散液的样品导电溶液；1.2)将步骤1.1)中得到的导电溶液涂覆到预处理过的基片上，进行恒温加热处理后，自然冷却至室温；2)热电材料的后处理；2.1)将水合肼溶液与二甲基亚砜混合，进行搅拌，得到混合物A；2.2)将步骤2.1)中得到的混合物A均匀地涂覆在步骤1.2)中得到的热处理过的基片上，通过恒温加热处理后，自然冷却至室温，得到目标产物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108963065A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810672690.3
申请日：2018-06-26
Applicant: 上海电力学院
Inventor： 汤乃云
IPC: H01L35/34
CPC classification number: H01L35/34
Abstract: 本发明涉及一种激光烧蚀制备单层多层石墨烯热电探测器的方法，包括以下步骤：在衬底材料上生长一层绝缘介质层；在绝缘介质层上转移一层多层石墨烯薄膜；对部分多层石墨烯薄膜进行激光烧蚀，使部分多层石墨烯薄膜变成单层石墨烯薄膜；在未经烧蚀的多层石墨烯薄膜的一端淀积第一金属电极，在经激光烧蚀后得到的单层石墨烯薄膜的一端淀积第二金属电极，即得到单层多层石墨烯热电探测器。由于多层石墨烯和单层石墨存在塞贝克系数差，光辐照时，由于衬底和石墨烯层间导热性差异会导致在异质结界面处存在温差，产生热电压，可在第一、第二金属电极处探测到热电流，构建热电探测器具备制作方法简单，体积小，探测灵敏度高等优点。
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公开(公告)号：CN108950347A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810708757.4
申请日：2018-07-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种MgAgSb系热电材料的制备方法，该方法具体包括以下步骤：(1)配比原料粉末装入石墨坩埚中，放置在真空微波烧结炉中，在950℃～1000℃保温至少20min进行微波熔炼，冷却后获得初始熔锭；(2)将熔锭磨碎之后得到的合金粉末装入模具中，进行热压烧结致密成型，烧结温度为450℃～500℃得致密成型的块体；(3)将块体在543K～573K下处理至少5天进行微波烧结退火，即可得到单相α‑MgAgSb系热电材料。本发明通过对制备方法关键的整体流程工艺设计进行改进，采用微波熔炼结合微波烧结工艺来制备MgAgSb系热电材料，并对微波熔炼及微波烧结工艺所采用的条件参数进行优化，可制备得到α‑MgAgSb系热电材料。
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公开(公告)号：CN108767103A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810533904.9
申请日：2018-05-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能P型α‑MgAgSb基热电材料及其制备方法，原料组成为Mg1‑xZnxAgSb，选取的材料价格相对低廉，制备方法简单，绿色环保，可大规模快速制备得到纯相的p型α‑MgZnAgSb热电材料，该材料可重复性高，热稳定性和机械强度好，在473K，材料的热导率为0.757W/(m*k)，为目前该体系的最低值，ZT为1.5，为目前该体系的最大值，解决了传统高温熔炼和两步高能球磨法中Mg元素的挥发、封管条件复杂、杂质含量较高，高能球磨价格昂贵的问题。
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公开(公告)号：CN108550687A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810363874.1
申请日：2018-04-22
Applicant: 长沙大衡智能科技有限公司
Inventor： 不公告发明人
CPC classification number: H01L35/24 , B82Y30/00 , C08G73/1007 , C08G73/1071 , C08J5/18 , C08J2379/08 , H01L35/16 , H01L35/34
Abstract: 本发明公开了一种热电材料及其制造工艺，具体是一种聚酰亚胺多孔膜/Sn2Te3-xFex热电薄膜复合材料及其制备方法。本发明采用磁控溅射制备纳米级热电材料镶嵌于多孔膜中，热电材料可达纳米尺度，热电系数高。
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