公开(公告)号：CN116917811A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202280015192.6

申请日：2022-02-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 小道格拉斯•A•布池贝尔格尔 ,  德米特里·卢博米尔斯基 ,  约翰·O·杜科维奇 ,  斯里尼瓦斯•D•内曼尼

IPC: G03F7/38

Abstract: 本文提供了一种方法和设备，用于在光刻工艺期间将电场和/或磁场施加到光刻胶层，而没有气隙干预。这些方法和设备中的每一者包括电极组件和底座组件，电极组件和底座组件被配置为密封在一起并且形成工艺容积。所述电极组件包括可渗透的电极，所述底座组件被配置为支撑基板并且在暴露后烘烤操作期间加热所述基板。一个或多个工艺流体通道被配置为用工艺流体填充所述工艺容积。所述电极组件被配置为在暴露后烘烤操作期间将电场施加到设置在所述工艺容积内的所述基板。

公开(公告)号：CN117038578A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202311053792.4

申请日：2017-05-22

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 贝纳切克·梅巴克 ,  肖恩·S·康 ,  基思·塔特森·王 ,  任河 ,  梅裕尔•B•奈克 ,  怡利•Y•叶 ,  斯里尼瓦斯•D•内曼尼

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/321 ,  H01L23/532

Abstract: 本公开内容的方面包括处理基板以移除来自形成在基板上的互连的空隙、缝和晶界中的一种或多种的方法。所述方法包括在加压至过大气压力的环境中加热基板。在一个例子中，可在含氢气氛中加热所述基板。

公开(公告)号：CN116897409A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202280016117.1

申请日：2022-02-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 杰思罗·塔诺斯 ,  巴加夫•斯里达尔•西特拉 ,  斯里尼瓦斯•D•内曼尼 ,  叶怡利 ,  约书亚•阿伦•鲁布尼茨 ,  埃莉卡•陈 ,  索汉姆•桑杰•阿斯拉尼 ,  尼古劳斯·贝基亚里斯 ,  小道格拉斯·阿瑟·布彻格尔

IPC: H01J37/32

Abstract: 本文提供了用于处理基板的方法及设备。例如，一种方法包括：将气化的前驱物供应到处理容积中；从远程等离子体源供应包括离子和自由基的被激活元素；以第一工作周期使用RF源功率激励这些被激活元素以与该气化的前驱物反应，以将SiNHx膜沉积到设置在该处理容积中的基板上；从该远程等离子体源供应第一工艺气体，同时以不同于该第一工作周期的第二工作周期向该基板支撑件提供RF偏置功率以将该SiNHx膜转化为SiOx膜；供应由从该远程等离子体源供应的第二工艺气体和从该气体源供应的第三工艺气体形成的工艺气体混合物，同时以该第二工作周期向该基板支撑件提供RF偏置功率；以及对该基板进行退火。