公开(公告)号：CN113811988B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202080032724.8

申请日：2020-05-01

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  姜浩 ,  梅裕尔·奈克

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 描述了形成连接在两个方向上延伸的两条金属线的完全对准的过孔的方法。完全对准的过孔沿着两个方向与第一金属线和第二金属线对准。在与第一金属层电接触的第二金属层的顶部上图案化第三金属层。图案化的第三金属层与第二金属层的顶部未对准。使第二金属层凹陷以暴露第二金属层的侧面并移除未对准第三金属层的侧面的部分。

公开(公告)号：CN113678231B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202080027926.3

申请日：2020-03-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 岑羲 ,  马飞越 ,  吴凯 ,  雷雨 ,  大东和也 ,  徐翼 ,  维卡什·班西埃 ,  张镁 ,  任河 ,  雷蒙德·霍曼·洪 ,  姚雅宽 ,  阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯 ,  戴维·T·奥 ,  周静 ,  蹇国强 ,  林志周 ,  赖一鸣 ,  叶佳 ,  王振宇

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  C23C14/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  C23C14/04

Abstract: 本公开内容一般涉及用于处理基板的方法，且更尤其涉及用于形成金属间隙填充物的方法。在一个实施方式中，该方法包括使用多步骤处理在开口中形成金属间隙填充物。多步骤处理包括：形成金属间隙填充物的第一部分，实行溅射处理以在一个或多个侧壁上形成一个或多个层，和使金属间隙填充物的第二部分生长以用金属间隙填充物来填充开口。通过多步骤处理形成的金属间隙填充物是无缝的，且形成在一个或多个侧壁上的一个或多个层密封在金属间隙填充物与侧壁之间的任何间隙或缺陷。由此，在后续处理中利用的流体不会扩散穿过金属间隙填充物。

公开(公告)号：CN115274549A

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN202210402704.6

申请日：2016-06-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  梅裕尔·B·奈克 ,  曹勇 ,  程亚娜 ,  叶伟锋

IPC: H01L21/768

Abstract: 本公开内容提供一种在基板上形成的互连及在基板上形成互连的方法。在一个实施方式中，在基板上形成互连的方法包括以下步骤：将阻挡层沉积在基板上，将过渡层沉积在阻挡层上，及将蚀刻停止层沉积在过渡层上，其中该过渡层与该阻挡层共有共同元素，且其中该过渡层与该蚀刻停止层共有共同元素。

公开(公告)号：CN107743651B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201680034165.8

申请日：2016-05-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  梅裕尔·B·奈克 ,  迪内士·帕德希 ,  普里扬卡·戴什 ,  巴斯卡·库马 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02 ,  C23C16/56 ,  C23C16/48 ,  C23C16/36 ,  C23C16/04

Abstract: 提供了一种密封多孔低k介电膜的方法。该方法包含以下步骤：将基板暴露于UV辐射和第一反应气体，其中基板具有限定在基板中的开口特征，开口特征由多孔低k介电层和导电材料所界定，其中多孔低k介电层是含硅和碳材料且使用UV辅助光化学气相沉积而在多孔低k介电层的暴露表面上选择性地形成孔密封层在开口特征中。

公开(公告)号：CN112236854A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN201980037590.6

申请日：2019-06-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜浩 ,  任河 ,  陈浩 ,  梅裕尔·B·奈克

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

Abstract: 一般而言，本文描述的实施方式涉及用于制造半导体装置的互连结构的方法，诸如双减法蚀刻工艺。一个实施方式为用于半导体处理的方法。氮化钛层形成于基板上方。硬掩模层形成于氮化钛层上方。将硬掩模层图案化成图案。将图案转印至氮化钛层，其中转印步骤包括蚀刻氮化钛层。在将图案转印至氮化钛层之后，去除硬掩模层，其中去除步骤包括执行含氧灰化工艺。

公开(公告)号：CN106537576B

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201580022152.4

申请日：2015-03-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  M·B·奈克

IPC: H01L21/764

Abstract: 本文所述的实施例涉及形成气隙互连的方法。将金属间隔垫层共形地沉积在其上形成有心轴结构的基板上。蚀刻金属间隔垫层以形成间隔垫特征并从基板移除心轴结构。可执行多种其他电介质沉积、图案化与蚀刻步骤以期望地图案化基板上存在的材料。最终，在相邻的间隔垫特征之间形成沟槽并在沟槽上沉积盖层以在相邻的间隔垫特征之间形成气隙。为了封装目的，互连通孔可配置成接触邻近气隙的间隔垫特征中的至少一者。

公开(公告)号：CN105814678B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201480068113.3

申请日：2014-12-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·B·奈克 ,  任河 ,  崔振江

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/7682 ,  C23C16/303 ,  C23C16/36 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834

Abstract: 一种用于在集成层堆叠中形成气隙结构的方法，该方法包括在真空下在处理系统中干蚀刻设置在堆叠上的模具层。模具层设置于一个或多个互连件之间，且模具层的干蚀刻的工艺暴露互连件的至少一部分。该方法还包括在互连件的所暴露的部分上沉积衬垫层。在另一个实施例中，一种用于在集成层堆叠中形成气隙结构的方法，包括在真空下在处理系统中的第一处理腔室中干蚀刻设置在堆叠上的氧化物模具层。该方法还包括在互连件上沉积低‑k材料衬垫层，其中衬垫具有小于约2纳米的厚度。在处理系统中执行本文中公开的方法而没有破坏真空。

公开(公告)号：CN106463396A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580006488.1

申请日：2015-01-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 任河 ,  M·B·奈克 ,  曹勇 ,  石美仪 ,  程亚娜 ,  S·R·V·克萨普拉嘎达

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28

Abstract: 描述一种在半导体器件中使用的互连件结构和用于制造所述互连件结构的方法。所述方法包括将基板定位在真空处理腔室中。所述基板具有暴露的铜表面和暴露的低k电介质表面。金属层形成在所述铜表面上方而不是在所述低k电介质表面上方。基于金属的电介质层形成在所述金属层和所述低k电介质层上方。

公开(公告)号：CN117321743A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280033047.0

申请日：2022-04-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 姜浩 ,  吕骐 ,  任河 ,  梅裕尔·奈克

IPC: H01L21/3213

Abstract: 提供了用于处理基板的方法和设备。例如，一种处理基板的方法包括：将氧气(O2)供应到蚀刻腔室的处理容积中以与钌的基底层顶上的硅基硬掩模层反应，以在硅基硬掩模层上形成类SiO材料的覆盖层，以及使用O2或氯气(Cl2)中的至少一种蚀刻钌的基底层，同时供应氮气(N2)以将类SiO材料的一些溅射到在蚀刻期间产生的暴露的钌侧壁上。

公开(公告)号：CN115004336A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180010141.X

申请日：2021-12-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 徐翼 ,  呼宇飞 ,  任河 ,  雷雨 ,  尤适 ,  大东和也

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06

Abstract: 本公开内容的实施方式提供减少或消除选择性钨层的横向生长的方法。进一步实施方式提供整合的清洁和沉积方法，此方法改善在沟槽结构上选择性沉积的钨的选择性。另外的实施方式提供用于形成针对沟槽结构的更均匀和更有选择性的自底向上的间隙填充而具有改善的膜性质的方法。