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公开(公告)号：CN118163501B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410493305.4
申请日：2024-04-23
Applicant: 扬州大学 , 扬州大学扬州碳中和技术创新研究中心
Abstract: 本发明涉及太阳能光伏电池技术领域，尤其涉及一种BC电池金属化工艺、一种丝网印刷台及其控制方法。具体采用无主栅结构，通过BC金属化过程中预留焊接区域用作与组件焊接，使得P区与N区的隔离也被简化，极大的简化了BC电池结构的金属化难度；提高了组件焊接良率，解决了焊接精度问题，同时改善了CTM，降低了度电成本；在此基础上减少背面主栅与焊带遮光问题，提升了电池及相应组件的双面率；并通过改进印刷台面，增加烘干功能，使得印刷完栅线可以快速固化成型，保证了电池的产能与效果。
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公开(公告)号：CN118448510A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410549439.3
申请日：2024-05-06
Applicant: 扬州大学 , 扬州大学扬州碳中和技术创新研究中心
IPC: H01L31/18 , H01L31/068
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种基于局部扩散的TBC电池的制备方法，包括如下操作步骤：Step1：在链式设备中实现样品抛光、双面氧化及硼与磷掺杂剂的局部沉积；形成N区和P区；通过精确控制硼与磷掺杂剂的分布和浓度，可以确保电池N区和P区的性能得到优化。Step2：在形成的样品单面进行非晶硅沉积。通过隧穿完成后在非晶硅沉积前完成局部掺杂剂的涂覆；可以采用链式制绒（单面）、链式碱抛（单面）、链式氧化、图形化印刷实现图形化区分，此部分设备全为链式设备可连接至一起作为一步操作，此后非晶硅沉积与退火均为管式设备也可以集成，从而实现简化实验过程的目的。
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公开(公告)号：CN116799091A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310723906.5
申请日：2023-06-16
Applicant: 扬州大学 , 扬州大学扬州碳中和技术创新研究中心
IPC: H01L31/0687 , H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L31/0224
Abstract: 本发明属于太阳能晶硅电池领域，尤其涉及一种基于Poly finger的叠层p型钝化接触结构及其制备方法。本发明在电池正面分别采用掺镓Poly Si层与掺硼Poly Si层应用于底层钝化与finger金属接触，可在提高Poly Si在绒面的钝化效果的同时实现良好的金属接触，同时满足钝化与接触需求。在此基础上，通过在正面表面形成图形化掩膜并反刻处理，在电池正面的金属遮蔽区采用厚Poly作为finger，而非金属遮蔽区采用薄Poly，较现有技术中正面整面Poly寄生吸收明显下降，电池Jsc得到保持。与现有技术相比，本发明中高硼掺杂保证了电极接触效果，带来更高的FF优势；提高了电池的光电能量转换效率。
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公开(公告)号：CN118163501A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410493305.4
申请日：2024-04-23
Applicant: 扬州大学 , 扬州大学扬州碳中和技术创新研究中心
Abstract: 本发明涉及太阳能光伏电池技术领域，尤其涉及一种BC电池金属化工艺、一种丝网印刷台及其控制方法。具体采用无主栅结构，通过BC金属化过程中预留焊接区域用作与组件焊接，使得P区与N区的隔离也被简化，极大的简化了BC电池结构的金属化难度；提高了组件焊接良率，解决了焊接精度问题，同时改善了CTM，降低了度电成本；在此基础上减少背面主栅与焊带遮光问题，提升了电池及相应组件的双面率；并通过改进印刷台面，增加烘干功能，使得印刷完栅线可以快速固化成型，保证了电池的产能与效果。
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公开(公告)号：CN116799091B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202310723906.5
申请日：2023-06-16
Applicant: 扬州大学 , 扬州大学扬州碳中和技术创新研究中心
IPC: H01L31/0687 , H01L31/18 , H01L31/0288 , H01L31/0224
Abstract: 本发明属于太阳能晶硅电池领域，尤其涉及一种基于Poly finger的叠层p型钝化接触结构及其制备方法。本发明在电池正面分别采用掺镓Poly Si层与掺硼Poly Si层应用于底层钝化与finger金属接触，可在提高Poly Si在绒面的钝化效果的同时实现良好的金属接触，同时满足钝化与接触需求。在此基础上，通过在正面表面形成图形化掩膜并反刻处理，在电池正面的金属遮蔽区采用厚Poly作为finger，而非金属遮蔽区采用薄Poly，较现有技术中正面整面Poly寄生吸收明显下降，电池Jsc得到保持。与现有技术相比，本发明中高硼掺杂保证了电极接触效果，带来更高的FF优势；提高了电池的光电能量转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118678712A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410993122.9
申请日：2024-07-24
Applicant: 扬州大学
Abstract: 本发明公开了一种新型隧道复合结的硅基叠层钝化接触电池制备方法及其产品，其以单晶硅片作为基体，对基体的一个单面进行制绒，形成正面绒面；在正面绒面上形成正面p+层；对基体的另一个单面进行制绒，形成反面绒面；反面生长表面钝化层和电子遂穿层；生长掺杂或本征单晶硅，形成n+‑poly‑Si层；清洗；分别在正面和反面同时沉积AlOx层和SiNx层；正面沉积MgFx；激光开槽并采用红光激光掺杂；正面生长掺杂或本征单晶硅，退火或POCl3沉积；在正面旋涂或浸渍C60，并进行退火处理；正面沉积钙钛矿层后再生长NiOx薄膜；正面沉积MgFx；使用本发明能制得更加高效的电池。
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公开(公告)号：CN116761448A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310971584.6
申请日：2023-08-03
Applicant: 扬州大学
IPC: H10K39/15 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/068 , H10K30/50 , H10K71/00
Abstract: 本发明属于太阳能光伏行业领域，尤其涉及一种钙钛矿/IBC三端叠层电池及其制备方法。晶硅底电池的结构为：以N/P型高少子寿命的硅片作为基体，正面依次为前表面场和钝化层；背面依次为宽量子阱双势垒隧穿层、掺杂硼的纳米晶硅形成的p+层、隧穿氧化层、掺杂磷的多晶硅形成的n+层、钝化层、p+ finger、n+ finger和n/p之间的隧穿氧化层隔绝带；钙钛矿顶电池的结构从上到下依次为：n+ finger、透明导电层、缓冲层、电子传输层、钙钛矿层和空穴传输层，空穴传输层设置在晶硅底电池的正面。本发明将宽量子阱设置在了p型掺杂纳米晶硅下方，降低B的偏析系数进而抑制B的扩散，提供更好钝化效果。
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公开(公告)号：CN117542919B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311493740.9
申请日：2023-11-09
Applicant: 扬州大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/228
Abstract: 本发明属于晶硅光伏电池新能源领域，尤其涉及一种全背电极接触晶硅光伏电池的图案化方法及制备方法，包括如下操作步骤：在抛光样品背面完成非晶硅层或多晶硅层的沉积；在非晶硅层或多晶硅层上沉积一层液态硼源，并使用激光加热烘干局部区域的硼源；对样品进行清洗以去除未固化区域的硼源，剩下的区域作为背接触的P+区；通过印刷的方式对P+区及其外周印扩散隔离材料覆盖；采用高温磷扩实现N+区的掺杂和P+区的硼元素激活，完成全背电极接触晶硅光伏电池的图案化制备。本发明采用硼源+印扩散隔离材料+磷扩的方式将P+区、N+区和Gap区制备在一个平面上，降低了电池金属化时印刷浆料的难度，降低了硅片的碎片率。
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公开(公告)号：CN117374158B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311344505.5
申请日：2023-10-17
Applicant: 扬州大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/225 , H01L21/268
Abstract: 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种基于光诱导掺杂的BC结构太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：S1：在单面抛光样品背面完成PolySi层的沉积；S2：将硼和磷的化合物混合制备溶液，并涂覆在S1完成PolySi制备的样品表面形成薄膜；S3：使用激光照射涂覆了薄膜的硅基底，诱导薄膜中不同化合物的分解，实现选择性掺杂；S4：双面钝化氧化铝和氮化硅；S5：表面钝化完成后在硅片背面进行P区与N区的金属化，依次在硅片背面印刷银浆电极和银铝浆电极，然后烧结完成电池制备。本发明通过光诱导方法实现硅基底的选择性掺杂，操作简便，低成本，掺杂深度和区域可控，有利于提高半导体太阳能电池等器件的制备效率和性能。
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公开(公告)号：CN116666479B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310719206.9
申请日：2023-06-16
Applicant: 扬州大学
IPC: H01L31/068 , H01L31/0288 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于太阳能光伏行业领域，尤其涉及一种双面发电的高效选择性发射极晶硅电池及其制备方法。所述电池以N/P型单晶硅片作为基体，正面依次为隧穿层，重掺杂p++/n++纳米晶化合物层，轻掺杂p+/n+纳米晶化合物层，氧化铝/氮化硅钝化层，p++/n++finger；背面依次为隧穿层，重掺杂n++/p++纳米晶化合物层，轻掺杂n+/p+纳米晶化合物层，氧化铝/氮化硅钝化层，n++/p++finger。本发明制备双面发电的高效选择性发射极晶硅电池，一方面形成正背面的全钝化接触层；可显著提升开路电压；另一方面形成选择性发射极，进一步降低了寄生光吸收。
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