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公开(公告)号：CN104838315B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201380065075.1
申请日：2013-12-12
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/04 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C09D161/12 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/02118 , H01L21/02318 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , Y10T428/31942
Abstract: 提供具有高的干蚀刻耐性、扭曲耐性、耐热性等的用于光刻工序的抗蚀剂下层膜。光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有聚合物，所述聚合物含有式(1)的单元结构，式(1)中，A表示源于多羟基芳香族化合物的碳原子数为6～40的羟基取代亚芳基，B表示碳原子数为6～40的亚芳基或含有氮原子、氧原子、硫原子或它们的组合的碳原子数为4～30的杂环基，X+表示H+、NH4+、伯铵离子、仲铵离子、叔铵离子、或季铵离子，T表示氢原子、或可被卤素基、羟基、硝基、氨基、羧酸酯基、腈基、或它们组合成的取代基取代的碳原子数为1～10的烷基、碳原子数为6～40的芳基或含有氮原子、氧原子、硫原子或它们的组合的碳原子数为4～30的杂环基，B和T可与它们所结合的碳原子一起形成碳原子数为4～40的环。
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公开(公告)号：CN104067175B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201380006128.2
申请日：2013-01-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/11 , C08G12/26 , C08G16/0275 , C08G73/06 , C08G73/0627 , C09D161/26 , C09D179/04 , G03F7/094 , H01L21/3088
Abstract: 本发明提供用于形成兼有干蚀刻耐性、耐热性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。因而提供了含有具有下式(1)所表示的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物，优选式(1)中的R3为氢原子，n1和n2都是0。提供给了含有下述工序的半导体装置的制造方法：在半导体基板上使用本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成下层膜的工序、在其上形成硬掩模的工序、进而在其上形成抗蚀剂膜的工序、通过光或电子束的照射和显影而形成抗蚀剂图案的工序、通过该抗蚀剂图案而蚀刻硬掩模的工序、通过图案化了的硬掩模而蚀刻该下层膜的工序、和通过图案化了的下层膜而加工半导体基板的工序。
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公开(公告)号：CN107407883A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680012680.6
申请日：2016-02-05
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0046 , C07C67/347 , C07C69/753 , C07C2601/02 , C07C2604/00 , C08F20/36 , C09D133/14 , G03F7/0752 , G03F7/0757 , G03F7/094 , G03F7/168 , H01L21/3086
Abstract: 本发明的课题是提供对包含碳氟化合物的气体具有高干蚀刻耐性的抗蚀剂下层膜的形成方法。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜的形成方法，将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在基板上，将涂布有上述抗蚀剂下层膜形成用组合物的基板在氮气、氩气或它们的混合物的气氛下，在240℃以上的温度烘烤至少1次，所述抗蚀剂下层膜形成用组合物包含：相对于富勒烯1分子加成有下述式(1)：(式中，2个R各自独立地表示碳原子数1～10的烷基。)所示的丙二酸二酯1～6分子的富勒烯衍生物、具有至少2个环氧基的化合物以及溶剂。
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公开(公告)号：CN101641644B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880009871.2
申请日：2008-04-04
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/091 , H01L21/0271 , H01L21/0276
Abstract: 本发明的课题是提供一种含有富勒烯衍生物的形成抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物容易涂布在基板上，且得到的抗蚀剂下层膜干蚀刻特性优异。作为本发明的解决课题的方法是，例如，通过使用含有下述式(3)所示的富勒烯衍生物和有机溶剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物，来解决上述课题。(式中，R4表示选自氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳基和可以具有取代基的杂环基中的一种基团，R5表示可以具有取代基的烷基或可以具有取代基的芳基)。
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公开(公告)号：CN101641644A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200880009871.2
申请日：2008-04-04
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/091 , H01L21/0271 , H01L21/0276
Abstract: 本发明的课题是提供一种含有富勒烯衍生物的形成抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物容易涂布在基板上，且得到的抗蚀剂下层膜干蚀刻特性优异。作为本发明的解决课题的方法是，例如，通过使用含有下述式(3)所示的富勒烯衍生物和有机溶剂的形成抗蚀剂下层膜的组合物，来解决上述课题。(式中，R 4 表示选自氢原子、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的芳基和可以具有取代基的杂环基中的一种基团，R 5 表示可以具有取代基的烷基或可以具有取代基的芳基。)
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101164014A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680013280.3
申请日：2006-04-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/11 , G03F7/161 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体装置制造的光刻工艺中的光致抗蚀剂的下层使用的、具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合，且可以使具有大纵横比的孔的半导体基板的表面平坦化的下层膜，以及用于形成该下层膜的下层膜形成组合物，本发明是一种用于通过光照射来形成光致抗蚀剂的下层膜的组合物，是含有聚合性物质和光聚合引发剂的下层膜形成组合物。
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公开(公告)号：CN104412163B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201380035136.X
申请日：2013-06-21
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/32 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供一种使用能够形成良好图案而不发生分辨极限恶化的下层膜材料的半导体装置的制造方法。解决手段是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在半导体基板上形成有机下层膜的工序中，在该有机下层膜上形成无机硬掩模的工序中，在该无机硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序中，在通过进行光或电子射线的照射和溶剂显影而形成抗蚀剂图案的工序中，在利用抗蚀剂图案对该无机硬掩模进行蚀刻的工序中，在利用图案化了的无机硬掩模对有机下层膜进行蚀刻的工序中，以及在利用图案化了的有机下层膜对半导体基板进行加工的工序中，该有机下层膜是通过用于形成有机下层膜的组合物的涂布和加热而获得的有机下层膜，所述组合物含有包含有机基团的化合物和有机溶剂，所述有机基团具有选自环氧基、异氰酸酯基、封闭异氰酸酯基和苯并环丁烯环基中的官能团。
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公开(公告)号：CN105324720B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201480035763.8
申请日：2014-06-24
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种升华物的产生少，涂布于具有孔图案的基板时埋入性良好，具有高干蚀刻耐性、摆动耐性、耐热性等的光刻工序所使用的抗蚀剂下层膜，以及使用了该抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、以及下述式(1)或式(2)：(式中，Q1表示单键或m1价的有机基团，R1和R4分别表示碳原子数2～10的烷基、或具有碳原子数1～10的烷氧基的碳原子数2～10的烷基，R2和R5分别表示氢原子或甲基，R3和R6分别表示碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基。)所示的交联性化合物。
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公开(公告)号：CN105143979B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201480021117.6
申请日：2014-04-01
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G61/02 , C08L65/00 , H01L21/027
CPC classification number: C08G61/02 , C08G61/124 , C08G73/026 , C08G2261/1422 , C08G2261/3241 , C08G2261/3424 , C08L65/00 , C08L79/02 , G03F7/091
Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种包含聚合物和溶剂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述聚合物具有由下述式(1)表示的结构单元，式(1)中，X1表示具有至少1个可以被卤代基、硝基、氨基或羟基取代的芳香环的碳原子数6～20的二价有机基，X2表示具有至少1个可以被卤代基、硝基、氨基或羟基取代的芳香环的碳原子数6～20的有机基或甲氧基。
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公开(公告)号：CN104541205B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201380042336.8
申请日：2013-08-13
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/00 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: C09D161/12 , C07C39/15 , C08G8/02 , C08G8/04 , C09D161/04 , G03F7/038 , G03F7/11 , H01L21/0271 , H01L21/3088 , H01L21/31138 , H01L21/31144
Abstract: 本发明提供了一种用于形成具有高干蚀刻耐性和高耐扭曲性，相对于高度差和凹凸部表现出良好的平坦化性和填埋性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明提供了一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有通过使以下化合物与芳香族醛或芳香族酮在酸性催化剂的存在下进行反应而得的苯酚酚醛清漆树脂，所述化合物具有与叔碳原子或季碳原子结合的苯酚基至少3个，所述季碳原子上结合有甲基。苯酚酚醛清漆树脂含有下述式(1)、式(2)、式(3)或式(4)的结构单元、或这些结构单元的组合。
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