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公开(公告)号：CN105209974B
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201480025526.3
申请日：2014-05-08
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G14/073 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供用于形成具有高干蚀刻耐性与扭曲耐性，且对高低差、凹凸部显示良好的平坦化性、埋入性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含通过包含芳香族环的有机化合物A和醛B的反应得到的树脂，所述醛B具有至少2个具有酚式羟基的芳香族碳环基，且具有该芳香族碳环基通过叔碳原子结合而成的结构。醛B为下述式(1)。Ar1和Ar2分别表示碳原子数6～40的芳基。得到的树脂为式(2)。包含芳香族环的有机化合物A为芳香族胺或含有酚式羟基的化合物。还包含溶剂。还包含酸和/或产酸剂、交联剂。一种抗蚀剂图案的形成方法，用于半导体的制造，包含将抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布于半导体基板上，并烧成从而形成下层膜的工序。
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公开(公告)号：CN106233206B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201580020531.X
申请日：2015-05-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 本发明的课题在于提供用于形成抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物，该抗蚀剂下层膜在从上层转印图案、基板加工时能够干蚀刻，在基板加工后能够用碱性水溶液除去。解决手段为一种包含具有丙烯酰胺结构或丙烯酸酯结构的聚合物(A)、具有封端异氰酸酯结构的聚合物(B)以及溶剂(C)的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。聚合物(A)为包含下述式(1)的结构单元的聚合物。聚合物(B)为包含下述式(2)的结构单元的聚合物。一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：形成抗蚀剂图案的工序；通过抗蚀剂图案对无机硬掩模层进行蚀刻的工序；通过图案化的无机硬掩模层对抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；以及通过图案化的抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。
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公开(公告)号：CN106164774B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201580018433.2
申请日：2015-05-11
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供用于形成在从上层进行图案转印、基板加工时能够进行干蚀刻，在基板加工后能够利用碱性水溶液除去的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明的解决方法是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，含有聚合物(A)、交联性化合物(B)和溶剂(C)，所述聚合物(A)含有下述式(1)所示的结构单元和下述式(2)所示的结构单元，所述交联性化合物(B)具有至少2个选自封闭异氰酸酯基、羟甲基或碳原子数为1～5的烷氧基甲基中的基团，该聚合物(A)是该式(1)所示的单元结构与该式(2)所示的单元结构以摩尔百分比计为式(1)所示的单元结构:式(2)所示的单元结构＝(25～60):(75～40)的比例进行共聚而得到的聚合物。
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公开(公告)号：CN103649835B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201280035179.3
申请日：2012-07-31
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G61/12 , C08G73/06 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3081 , C08G73/06 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/0274 , H01L21/3086
Abstract: 本发明的课题是提供用于使用了EUV光刻的器件制作工序，降低由EUV带来的不良影响，对获得良好的抗蚀剂图案有效的EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物，以及使用该EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成法。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含具有式(1)：(式中，A1、A2、A3、A4、A5和A6各自表示氢原子、甲基或乙基，X1表示式(2)、式(3)、式(4)或式(0)，Q表示式(5)或式(6))所示的重复单元结构的聚合物、和溶剂。包含具有式(1)所示的重复单元结构的聚合物、交联性化合物和溶剂的形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。
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公开(公告)号：CN106662819A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580036571.3
申请日：2015-08-04
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G8/24 , C08G14/06 , C08G14/073 , C08G14/09
Abstract: 本发明的课题是提供一种光刻用抗蚀剂下层膜，其为了呈现良好的涂布成膜性而在抗蚀剂溶剂(光刻中使用的溶剂)中具有高溶解性，且具有比抗蚀剂小的干蚀刻速度选择比。本课题的解决方法是一种包含酚醛清漆树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物，所述酚醛清漆树脂含有通过芳香族化合物(A)的芳香环与含羟基的芳香族羟甲基化合物(B)反应而得到的结构体(C)。芳香族化合物(A)是用于构成酚醛清漆树脂中包含的结构体(C)的成分。含羟基的芳香族羟甲基化合物(B)用式(1)表示。含羟基的芳香族羟甲基化合物(B)为2‑羟基苄醇、4‑羟基苄醇、或2,6‑二叔丁基‑4‑羟基甲基苯酚。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104303107B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201380023663.9
申请日：2013-04-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , C08G63/00 , C08G63/6856 , C08G73/101 , C09D167/00 , C09D167/02 , C09D175/12 , G03F7/11 , G03F7/2037 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L21/0276 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/3086
Abstract: 本发明的课题是提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，所述抗蚀剂下层膜能够提高与抗蚀剂图案之间的附着性。解决手段是一种用于形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其含有聚合物和有机溶剂，所述聚合物在末端具有下述式(1a)、式(1b)或式(2)所表示的结构。式中，R1表示氢原子或甲基，R2和R3分别独立地表示氢原子或烃基等有机基团，所述烃基可以具有至少1个羟基或甲基硫基作为取代基，R4表示氢原子或羟基，Q1表示亚芳基，v表示0或1，y表示1～4的整数，w表示1～4的整数，x1表示0或1，x2表示1～5的整数。
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公开(公告)号：CN103907060A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280051419.9
申请日：2012-10-12
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F20/36 , C08F220/36
CPC classification number: H01L21/3081 , C08F8/14 , C08F20/36 , C08F220/32 , C08F220/36 , G03F7/11 , H01L21/0271 , C08F2220/325 , C08F220/24
Abstract: 本发明的课题是使抗蚀剂下层膜上所形成的抗蚀剂图案与该抗蚀剂下层膜的密合性增大，此外抑制该抗蚀剂图案的底切形状。作为解决本发明课题的方法涉及由具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物构成的形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂，以及包含树脂粘合剂、有机溶剂和上述形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。(式中，R1表示氢原子或甲基，L表示二价的连接基团，X表示具有被叔丁氧基羰基保护了的氨基或被叔丁氧基羰基保护了的含氮杂环的酰氧基。)。
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公开(公告)号：CN103415809A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201280012762.2
申请日：2012-03-08
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/09 , C08G59/1455 , C08G59/4223 , G03F7/11 , G03F7/38
Abstract: 本发明的课题是提供即使在形成膜厚20nm以下的薄膜的情况下，也可以形成没有缺陷的均匀的抗蚀剂下层膜的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的手段涉及一种形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含：在聚合物链的末端具有下述式(1)所示结构的聚合物、交联剂、用于促进交联反应的化合物以及有机溶剂。(式中，R1、R2以及R3各自独立地表示氢原子、碳原子数1～13的直链状或支链状的烃基、或羟基，上述R1、R2以及R3中的至少1个为上述烃基，m以及n各自独立地表示0或1，在n表示1时上述聚合物的主链与亚甲基结合，在n表示0时上述聚合物的主链与由－O－表示的基团结合。)。
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公开(公告)号：CN101946210B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN200980105915.6
申请日：2009-02-19
Applicant: 日产化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/091 , C08G59/1455 , C08G63/20 , C08G63/42 , C08G63/668 , C08G63/6854
Abstract: 本发明的课题在于提供一种干蚀刻速度的选择比大、且ArF准分子激光那样的短波长下的k值和n值显示所期望的值的抗蚀剂下层膜形成用的组合物。本发明通过提供下述组合物而解决了上述课题，即，一种抗蚀剂下层膜形成用的组合物，其含有下述聚合物和溶剂，所述聚合物是至少使用具有脂环式结构或脂肪族结构的四羧酸二酐和具有两个环氧基的二环氧化合物，与包括具有OH基的醇系化合物(其中具有2个以上的OH基的二醇等除外)的有机溶剂一起反应而获得的。
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公开(公告)号：CN106575082B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201580040881.2
申请日：2015-07-23
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 一种在半导体装置的制造工序中的光刻工艺中使用的EUV或电子束抗蚀剂上层膜形成用组合物，包含(a)聚合物(P)和(b)溶剂，该溶剂包含相对于该溶剂全体为1质量％～13质量％的碳原子数为4～12的酮化合物，所述EUV或电子束用抗蚀剂上层膜形成用组合物不与抗蚀剂混合，特别是在EUV曝光时遮蔽不优选的曝光光线例如UV、DUV而仅仅选择性透过EUV，此外，曝光后能够用显影液进行显影。
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