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公开(公告)号：CN112534569B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201880096226.2
申请日：2018-08-01
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 具备：具有彼此相对的第一主面(11)和第二主面(12)、在第一主面(11)形成有槽的导电性的半导体基板(10)；以及沿着槽的侧面的面法线方向层叠的、分别为第一导电层(2A)和第二导电层(2B)的多个导电层；分别配置在多个导电层中最接近槽的侧面的导电层与槽的侧面之间、以及多个导电层的相互之间的介电层(30)；配置在槽的外部、与第一导电层(2A)电连接的第一电极(41)；配置在槽的外部、与第二导电层(2B)电连接的第二电极(42)，第一导电层(2A)与半导体基板(10)电绝缘，在槽的内部与第二导电层(2B)电连接的半导体基板(10)和第二电极(42)电连接。
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公开(公告)号：CN112005349B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201880092483.9
申请日：2018-04-19
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 具备：基板(1)；配置在基板(1)的主面上的第一导电型的漂移区域(4)；从漂移区域(4)的第二主面向第二主面的垂直方向延伸设置、且具有到达基板(1)内的底部的第二导电型的第一阱区域(21)；与底部接触、且配置在比底部更下方的基板(1)内的第二导电型的第二阱区域(22)；以及，从第二主面中的形成有第一阱区域(21)的区域向垂直方向延伸设置、且到达第二阱区域(22)的第一导电型的源极区域(3)。在与第二主面平行且从源极电极(15)朝向漏极电极(16)的方向上，第二阱区域(22)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离比第一阱区域(21)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离短。
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公开(公告)号：CN111937123A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201880091847.1
申请日：2018-03-26
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：在主面形成有槽(100)的基板(10)、具有在槽(100)的底部配置的部分的第一导电型的漂移区域(20)、与漂移区域(20)连接而在槽(100)的一方的侧面配置的第二导电型的阱区(30)、与漂移区域(20)分离而在槽(100)的侧面配置在阱区(30)的表面的第一导电型的第一半导体区域(40)、在槽(100)的内部间隔着漂移区域(20)而与阱区(30)对置配置的第一导电型的第二半导体区域(50)、以及在跨越阱区(30)及第一半导体区域(40)各自的上表面而形成有开口部且在槽(100)的深度方向上延伸的栅极沟槽的内部配置并与阱区(30)对置的栅电极(60)。
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公开(公告)号：CN111699560A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201880088719.1
申请日：2018-02-06
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 半导体装置具备：在基板的主面形成的主槽、与主槽的表面接触而形成的半导体区域、至少与主槽的侧面的相反侧的半导体区域的表面接触而形成并在半导体区域产生二维电子气体层的电子供给区域、与二维电子气体层接触且相互分离而形成的第一电极和第二电极。
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公开(公告)号：CN109219869A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201680086244.3
申请日：2016-05-30
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/786
Abstract: 一种半导体装置，其具备：衬底；第一导电型的漂移区域，其形成于衬底的主面；第二导电型的阱区域，其形成于漂移区域的主面；第一导电型的源极区域，其形成于阱区域；栅极槽，其从漂移区域的主面沿垂直方向形成，与源极区域、阱区域及漂移区域相接；第一导电型的漏极区域，其形成于漂移区域的主面；栅电极，其经由栅极绝缘膜形成于栅极槽的表面；第二导电型的保护区域，其形成于栅极绝缘膜的与漏极区域相对的面；第二导电型的连接区域，其与阱区域和保护区域相接而形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105556647B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201480051481.7
申请日：2014-06-03
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/1095 , H01L21/047 , H01L21/0475 , H01L21/26586 , H01L21/30604 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L29/0865 , H01L29/0882 , H01L29/1608 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/66696 , H01L29/66704 , H01L29/7816 , H01L29/7825 , H01L29/7835
Abstract: 提供一种能够提高耐压的半导体装置。具有：衬底(1)；n型的漂移区域(4)，其形成于衬底(1)的主面；p型的阱区域(2)、n型的漏极区域(5)及n型的源极区域(3)，它们分别在漂移区域(4)内，从漂移区域(4)的与同衬底(1)接触的第1主面相反一侧的第2主面开始，沿第2主面的垂直方向延伸设置；栅极槽(8)，其从第2主面开始沿垂直方向设置，在与衬底1的第1主面平行的方向上将源极区域(3)以及阱区域(2)贯通；以及栅极电极(7)，其隔着栅极绝缘膜(6)而形成于栅极槽(8)的表面，漂移区域(4)的杂质浓度比衬底(1)的杂质浓度高，阱区域(2)延伸设置至衬底(1)内。
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公开(公告)号：CN111699560B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201880088719.1
申请日：2018-02-06
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 半导体装置具备：在基板的主面形成的主槽、与主槽的表面接触而形成的半导体区域、至少与主槽的侧面的相反侧的半导体区域的表面接触而形成并在半导体区域产生二维电子气体层的电子供给区域、与二维电子气体层接触且相互分离而形成的第一电极和第二电极。
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公开(公告)号：CN109416967B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN201680086940.4
申请日：2016-06-21
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 能够兼得电感的提高和电流密度的提高这两者。一种电感器(1A)，将基板(2)用作母材，并具备磁芯部(3)及线圈部(4)、形成于线圈部(4)的导体(40)间的绝缘部(5)、将磁芯部(3)及线圈部(4)与外部连接的端子部(6、7)。根据在线圈部(4)流动的电流生成的磁场的主要方向为基板(2)的平面方向。在线圈部(4)的至少一部分，将线圈部(4)的长方形状截面积(S1)的宽度(w)和厚度(t)双方设定为比绝缘部(5)的宽度(d)大。
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公开(公告)号：CN113330578A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980089860.8
申请日：2019-01-21
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：半导体基体(20)、以及配置在半导体基体(20)的第一主电极(30)及第二主电极(40)。半导体基体(20)具有：主电流流动的第一导电型的漂移区域(21)、与主电流的电流通路平行且与漂移区域(21)邻接而配置的第二导电型的柱区(22)、与第二主电极(40)电连接的第一导电型的第二电极连接区域(24)、以及配置在第二电极连接区域(24)与柱区(22)之间且杂质浓度比漂移区域(21)低的第一导电型的低浓度电场缓和区域(25)。
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公开(公告)号：CN112534569A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201880096226.2
申请日：2018-08-01
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06
Abstract: 具备：具有彼此相对的第一主面(11)和第二主面(12)、在第一主面(11)形成有槽的导电性的半导体基板(10)；以及沿着槽的侧面的面法线方向层叠的、分别为第一导电层(2A)和第二导电层(2B)的多个导电层；分别配置在多个导电层中最接近槽的侧面的导电层与槽的侧面之间、以及多个导电层的相互之间的介电层(30)；配置在槽的外部、与第一导电层(2A)电连接的第一电极(41)；配置在槽的外部、与第二导电层(2B)电连接的第二电极(42)，第一导电层(2A)与半导体基板(10)电绝缘，在槽的内部与第二导电层(2B)电连接的半导体基板(10)和第二电极(42)电连接。
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