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公开(公告)号：CN113330578B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201980089860.8
申请日：2019-01-21
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：半导体基体(20)、以及配置在半导体基体(20)的第一主电极(30)及第二主电极(40)。半导体基体(20)具有：主电流流动的第一导电型的漂移区域(21)、与主电流的电流通路平行且与漂移区域(21)邻接而配置的第二导电型的柱区(22)、与第二主电极(40)电连接的第一导电型的第二电极连接区域(24)、以及配置在第二电极连接区域(24)与柱区(22)之间且杂质浓度比漂移区域(21)低的第一导电型的低浓度电场缓和区域(25)。
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公开(公告)号：CN116635984B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202080107575.7
申请日：2020-12-01
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置，具备：漂移区域，其配置在衬底的主面上，杂质浓度比衬底高；第一阱区域，其与漂移区域连接；以及第二阱区域，其与第一阱区域邻接配置，并与漂移区域相对。第二阱区域的杂质浓度比第一阱区域高。在与衬底的主面平行的方向上，经由第一阱区域与漂移区域相对的源极区域与漂移区域之间的距离比第二阱区域与漂移区域之间的距离长。从第二阱区延伸的耗尽层到达漂移区。
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公开(公告)号：CN111279476B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN201780096258.8
申请日：2017-10-27
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 一种半导体装置，具有直接或间接地配置在平面部件上、且构成相互以具有时间差进行导通、断开动作的上臂以及下臂的至少三个半导体元件，各半导体元件的上面电压施加区域(3)构成为比该半导体元件整体的俯视的面积窄，以使构成上臂的半导体元件(1a)与(1b)之间的最短距离(L1)比构成上臂的半导体元件(1a)与构成下臂的半导体元件(2a)之间的最短距离(L2)长的方式，配置各半导体元件。
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公开(公告)号：CN109690800B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201680088889.0
申请日：2016-08-31
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 一种光伏装置，具备：有机半导体(10)，其包括产生激子的光活性区域(11)；以及无机半导体(20)，其包括将激子所包含的载流子解离出的解离区域(21)，具有压电性，其中，在光活性区域(11)与解离区域(21)之间，能级的关系满足下述式(1)和下述式(2)中的至少任一方。
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公开(公告)号：CN109564894B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201680088106.9
申请日：2016-08-05
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明提供一种半导体电容器，其能够用由半导体基板构成的电路来应对多种请求。具备半导体基板(2A)、形成于半导体基板(2A)的电极组(4)、绝缘物(2B)，形成有多个电容器(C1～C3)。多个电容器(C1～C3)具有在电极组(4)各自之间夹有绝缘物(2B)的构造。多个电容器(C1～C3)设定为电容器(C1～C3)承受规定电压的能力即耐性、和漏电流在电容器(C1～C3)中的流动容易度即电导中的至少一方不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112514037A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201880096084.X
申请日：2018-07-27
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：基板(10)、配置在基板(10)的主面的半导体层(20)、以及经由半导体层(20)而在基板(10)之上分离而配置且在导通状态下作为流动的主电流的电流通路的各端部的第一主电极(30)及第二主电极(40)，半导体层(20)具有：在主电流流动的第一导电型漂移区(21)、在漂移区(21)的内部配置并与电流通路平行延伸的第二导电型柱区(22)、以及在漂移区(21)与柱区(22)之间的至少一部分配置且杂质浓度比相同导电型的邻接区域低的低浓度区或非掺杂区的任一区即电场缓和区(23)。
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公开(公告)号：CN109564894A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201680088106.9
申请日：2016-08-05
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/04
Abstract: 本发明提供一种半导体电容器，其能够用由半导体基板构成的电路来应对多种请求。具备半导体基板(2A)、形成于半导体基板(2A)的电极组(4)、绝缘物(2B)，形成有多个电容器(C1～C3)。多个电容器(C1～C3)具有在电极组(4)各自之间夹有绝缘物(2B)的构造。多个电容器(C1～C3)设定为电容器(C1～C3)承受规定电压的能力即耐性、和漏电流在电容器(C1～C3)中的流动容易度即电导中的至少一方不同。
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公开(公告)号：CN109416967A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201680086940.4
申请日：2016-06-21
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 能够兼得电感的提高和电流密度的提高这两者。一种电感器(1A)，将基板(2)用作母材，并具备磁芯部(3)及线圈部(4)、形成于线圈部(4)的导体(40)间的绝缘部(5)、将磁芯部(3)及线圈部(4)与外部连接的端子部(6、7)。根据在线圈部(4)流动的电流生成的磁场的主要方向为基板(2)的平面方向。在线圈部(4)的至少一部分，将线圈部(4)的长方形状截面积(S1)的宽度(w)和厚度(t)双方设定为比绝缘部(5)的宽度(d)大。
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公开(公告)号：CN102859689B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180020142.9
申请日：2011-04-27
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872
CPC classification number: H01L21/8213 , H01L21/046 , H01L21/0485 , H01L21/823487 , H01L27/0727 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/1095 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/2003 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 本发明的目的为缩短邻接的两个绝缘栅极部的间隔，使半导体装置微细化。漂移区域配置于半导体基体之上，第一阱区域配置于漂移区域的上部，源极区域配置于第一阱区域的上部。各绝缘栅极部在位于漂移区域和源极区域之间的第一阱区域形成沟道（反转层）。第一主电极以构成单极二极管的方式与在一主表面露出的漂移区域接合，且与第一阱区域及源极区域连接。从漂移区域的一主表面的法线方向观察，多个绝缘栅极部具有相互平行的线状图案。邻接的绝缘栅极部之间沿绝缘栅极部延伸的方向排列有第一主电极与漂移区域的接合的接合部位及第一阱区域。沟道至少形成于漂移区域的一主表面的法线方向。
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