-
公开(公告)号：CN112005379A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201880092525.9
申请日：2018-04-19
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 具备：第一导电型的漂移区域(21)，其具有接触部(211)以及沿着基板的主面延伸的延伸部(212)；第二导电型的列区域(22)，其沿着与延伸部(212)的延伸方向垂直的方向与延伸部(212)交替配置，一端部与接触部(211)连接；第二导电型的阱区域(23)，其分别与列区域(22)的另一端部以及延伸部(212)的前端连接；电场缓和电极(30)，其经由绝缘膜(60)配置在除了形成于延伸部(212)和列区域(22)之间的界面上的电压保持pn结部以外的剩余的pn结部的至少一部分的上方。
-
公开(公告)号：CN109219869B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201680086244.3
申请日：2016-05-30
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/786
Abstract: 一种半导体装置，其具备：衬底；第一导电型的漂移区域，其形成于衬底的主面；第二导电型的阱区域，其形成于漂移区域的主面；第一导电型的源极区域，其形成于阱区域；栅极槽，其从漂移区域的主面沿垂直方向形成，与源极区域、阱区域及漂移区域相接；第一导电型的漏极区域，其形成于漂移区域的主面；栅电极，其经由栅极绝缘膜形成于栅极槽的表面；第二导电型的保护区域，其形成于栅极绝缘膜的与漏极区域相对的面；第二导电型的连接区域，其与阱区域和保护区域相接而形成。
-
公开(公告)号：CN113330578B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201980089860.8
申请日：2019-01-21
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：半导体基体(20)、以及配置在半导体基体(20)的第一主电极(30)及第二主电极(40)。半导体基体(20)具有：主电流流动的第一导电型的漂移区域(21)、与主电流的电流通路平行且与漂移区域(21)邻接而配置的第二导电型的柱区(22)、与第二主电极(40)电连接的第一导电型的第二电极连接区域(24)、以及配置在第二电极连接区域(24)与柱区(22)之间且杂质浓度比漂移区域(21)低的第一导电型的低浓度电场缓和区域(25)。
-
公开(公告)号：CN116635984B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202080107575.7
申请日：2020-12-01
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置，具备：漂移区域，其配置在衬底的主面上，杂质浓度比衬底高；第一阱区域，其与漂移区域连接；以及第二阱区域，其与第一阱区域邻接配置，并与漂移区域相对。第二阱区域的杂质浓度比第一阱区域高。在与衬底的主面平行的方向上，经由第一阱区域与漂移区域相对的源极区域与漂移区域之间的距离比第二阱区域与漂移区域之间的距离长。从第二阱区延伸的耗尽层到达漂移区。
-
公开(公告)号：CN112514037A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201880096084.X
申请日：2018-07-27
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：基板(10)、配置在基板(10)的主面的半导体层(20)、以及经由半导体层(20)而在基板(10)之上分离而配置且在导通状态下作为流动的主电流的电流通路的各端部的第一主电极(30)及第二主电极(40)，半导体层(20)具有：在主电流流动的第一导电型漂移区(21)、在漂移区(21)的内部配置并与电流通路平行延伸的第二导电型柱区(22)、以及在漂移区(21)与柱区(22)之间的至少一部分配置且杂质浓度比相同导电型的邻接区域低的低浓度区或非掺杂区的任一区即电场缓和区(23)。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN112534569B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201880096226.2
申请日：2018-08-01
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 具备：具有彼此相对的第一主面(11)和第二主面(12)、在第一主面(11)形成有槽的导电性的半导体基板(10)；以及沿着槽的侧面的面法线方向层叠的、分别为第一导电层(2A)和第二导电层(2B)的多个导电层；分别配置在多个导电层中最接近槽的侧面的导电层与槽的侧面之间、以及多个导电层的相互之间的介电层(30)；配置在槽的外部、与第一导电层(2A)电连接的第一电极(41)；配置在槽的外部、与第二导电层(2B)电连接的第二电极(42)，第一导电层(2A)与半导体基板(10)电绝缘，在槽的内部与第二导电层(2B)电连接的半导体基板(10)和第二电极(42)电连接。
-
公开(公告)号：CN112005349B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201880092483.9
申请日：2018-04-19
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 具备：基板(1)；配置在基板(1)的主面上的第一导电型的漂移区域(4)；从漂移区域(4)的第二主面向第二主面的垂直方向延伸设置、且具有到达基板(1)内的底部的第二导电型的第一阱区域(21)；与底部接触、且配置在比底部更下方的基板(1)内的第二导电型的第二阱区域(22)；以及，从第二主面中的形成有第一阱区域(21)的区域向垂直方向延伸设置、且到达第二阱区域(22)的第一导电型的源极区域(3)。在与第二主面平行且从源极电极(15)朝向漏极电极(16)的方向上，第二阱区域(22)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离比第一阱区域(21)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离短。
-
公开(公告)号：CN111937123A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201880091847.1
申请日：2018-03-26
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：在主面形成有槽(100)的基板(10)、具有在槽(100)的底部配置的部分的第一导电型的漂移区域(20)、与漂移区域(20)连接而在槽(100)的一方的侧面配置的第二导电型的阱区(30)、与漂移区域(20)分离而在槽(100)的侧面配置在阱区(30)的表面的第一导电型的第一半导体区域(40)、在槽(100)的内部间隔着漂移区域(20)而与阱区(30)对置配置的第一导电型的第二半导体区域(50)、以及在跨越阱区(30)及第一半导体区域(40)各自的上表面而形成有开口部且在槽(100)的深度方向上延伸的栅极沟槽的内部配置并与阱区(30)对置的栅电极(60)。
-
公开(公告)号：CN111699560A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201880088719.1
申请日：2018-02-06
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/872 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 半导体装置具备：在基板的主面形成的主槽、与主槽的表面接触而形成的半导体区域、至少与主槽的侧面的相反侧的半导体区域的表面接触而形成并在半导体区域产生二维电子气体层的电子供给区域、与二维电子气体层接触且相互分离而形成的第一电极和第二电极。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.032 seconds)
