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公开(公告)号：CN113330578A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980089860.8
申请日：2019-01-21
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：半导体基体(20)、以及配置在半导体基体(20)的第一主电极(30)及第二主电极(40)。半导体基体(20)具有：主电流流动的第一导电型的漂移区域(21)、与主电流的电流通路平行且与漂移区域(21)邻接而配置的第二导电型的柱区(22)、与第二主电极(40)电连接的第一导电型的第二电极连接区域(24)、以及配置在第二电极连接区域(24)与柱区(22)之间且杂质浓度比漂移区域(21)低的第一导电型的低浓度电场缓和区域(25)。
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公开(公告)号：CN112534569A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201880096226.2
申请日：2018-08-01
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06
Abstract: 具备：具有彼此相对的第一主面(11)和第二主面(12)、在第一主面(11)形成有槽的导电性的半导体基板(10)；以及沿着槽的侧面的面法线方向层叠的、分别为第一导电层(2A)和第二导电层(2B)的多个导电层；分别配置在多个导电层中最接近槽的侧面的导电层与槽的侧面之间、以及多个导电层的相互之间的介电层(30)；配置在槽的外部、与第一导电层(2A)电连接的第一电极(41)；配置在槽的外部、与第二导电层(2B)电连接的第二电极(42)，第一导电层(2A)与半导体基板(10)电绝缘，在槽的内部与第二导电层(2B)电连接的半导体基板(10)和第二电极(42)电连接。
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公开(公告)号：CN117083803A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202180095666.8
申请日：2021-03-22
IPC: H03K17/04
Abstract: 本发明提供一种驱动电路，对开关元件(1)施加电压，切换接通状态和断开状态。开关元件(1)具有控制端子、高电位端子以及低电位端子，根据以低电位端子的电位为基准电位时的控制端子的电压，切换在高电位端子和低电位端子之间流通电流的接通状态和不流通电流的断开状态。驱动电路具备负电压用电源(5)和电压变更部(R2、R3、C1)。负电压用电源在开关元件从接通状态切换为断开状态时对控制端子施加负电压作为电压。电压变更部将开关元件即将从断开状态切换为接通状态之前时的电压变更为比开关元件刚从接通状态切换为断开状态之后时的负电压用电源形成的负电压高。
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公开(公告)号：CN112005379A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201880092525.9
申请日：2018-04-19
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 具备：第一导电型的漂移区域(21)，其具有接触部(211)以及沿着基板的主面延伸的延伸部(212)；第二导电型的列区域(22)，其沿着与延伸部(212)的延伸方向垂直的方向与延伸部(212)交替配置，一端部与接触部(211)连接；第二导电型的阱区域(23)，其分别与列区域(22)的另一端部以及延伸部(212)的前端连接；电场缓和电极(30)，其经由绝缘膜(60)配置在除了形成于延伸部(212)和列区域(22)之间的界面上的电压保持pn结部以外的剩余的pn结部的至少一部分的上方。
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公开(公告)号：CN113330578B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201980089860.8
申请日：2019-01-21
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：半导体基体(20)、以及配置在半导体基体(20)的第一主电极(30)及第二主电极(40)。半导体基体(20)具有：主电流流动的第一导电型的漂移区域(21)、与主电流的电流通路平行且与漂移区域(21)邻接而配置的第二导电型的柱区(22)、与第二主电极(40)电连接的第一导电型的第二电极连接区域(24)、以及配置在第二电极连接区域(24)与柱区(22)之间且杂质浓度比漂移区域(21)低的第一导电型的低浓度电场缓和区域(25)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116635984B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202080107575.7
申请日：2020-12-01
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置，具备：漂移区域，其配置在衬底的主面上，杂质浓度比衬底高；第一阱区域，其与漂移区域连接；以及第二阱区域，其与第一阱区域邻接配置，并与漂移区域相对。第二阱区域的杂质浓度比第一阱区域高。在与衬底的主面平行的方向上，经由第一阱区域与漂移区域相对的源极区域与漂移区域之间的距离比第二阱区域与漂移区域之间的距离长。从第二阱区延伸的耗尽层到达漂移区。
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公开(公告)号：CN112514037A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201880096084.X
申请日：2018-07-27
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：基板(10)、配置在基板(10)的主面的半导体层(20)、以及经由半导体层(20)而在基板(10)之上分离而配置且在导通状态下作为流动的主电流的电流通路的各端部的第一主电极(30)及第二主电极(40)，半导体层(20)具有：在主电流流动的第一导电型漂移区(21)、在漂移区(21)的内部配置并与电流通路平行延伸的第二导电型柱区(22)、以及在漂移区(21)与柱区(22)之间的至少一部分配置且杂质浓度比相同导电型的邻接区域低的低浓度区或非掺杂区的任一区即电场缓和区(23)。
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公开(公告)号：CN112534569B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201880096226.2
申请日：2018-08-01
Applicant: 日产自动车株式会社
Abstract: 具备：具有彼此相对的第一主面(11)和第二主面(12)、在第一主面(11)形成有槽的导电性的半导体基板(10)；以及沿着槽的侧面的面法线方向层叠的、分别为第一导电层(2A)和第二导电层(2B)的多个导电层；分别配置在多个导电层中最接近槽的侧面的导电层与槽的侧面之间、以及多个导电层的相互之间的介电层(30)；配置在槽的外部、与第一导电层(2A)电连接的第一电极(41)；配置在槽的外部、与第二导电层(2B)电连接的第二电极(42)，第一导电层(2A)与半导体基板(10)电绝缘，在槽的内部与第二导电层(2B)电连接的半导体基板(10)和第二电极(42)电连接。
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公开(公告)号：CN112005349B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201880092483.9
申请日：2018-04-19
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 具备：基板(1)；配置在基板(1)的主面上的第一导电型的漂移区域(4)；从漂移区域(4)的第二主面向第二主面的垂直方向延伸设置、且具有到达基板(1)内的底部的第二导电型的第一阱区域(21)；与底部接触、且配置在比底部更下方的基板(1)内的第二导电型的第二阱区域(22)；以及，从第二主面中的形成有第一阱区域(21)的区域向垂直方向延伸设置、且到达第二阱区域(22)的第一导电型的源极区域(3)。在与第二主面平行且从源极电极(15)朝向漏极电极(16)的方向上，第二阱区域(22)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离比第一阱区域(21)与栅极绝缘膜(6)相接触的距离短。
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公开(公告)号：CN116491056B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202080106791.X
申请日：2020-11-06
IPC: H02M1/08
Abstract: 共振型电力变换装置具有：主电路(10)，其具有半导体开关(5)以及与半导体开关(5)串联或并联连接的电容器(3)以及电感器(4)；以及驱动电路(20)，其对半导体开关(5)进行驱动。半导体开关(5)根据向栅极端子#imgabs0#输入的控制电压而变为断开状态或接通状态，驱动电路(20)具有大于或等于2种的控制电压作为半导体开关5变为断开状态的控制电压。
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