公开(公告)号：CN107710575B

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：CN201580080255.6

申请日：2015-05-22

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 图子祐辅 ,  铃木达广 ,  沼仓启一郎 ,  下村卓 ,  林哲也

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/00

Abstract: 电力变换装置具备对来自栅极驱动电路(11)的驱动信号作用，调整半导体元件的栅极电压的栅极电压调整机构(检测电路(12))，所述栅极驱动电路(11)向并联设置的多个半导体元件(Q1～Q2)的各栅极发送驱动信号。栅极电压调整机构将基于由流到多个半导体元件的1个中的电流引起的磁束与由流到其他半导体元件中的电流引起的磁束之差产生的感应电压向多个半导体元件的至少1个栅极发送的栅极电压上叠加。

公开(公告)号：CN107710575A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201580080255.6

申请日：2015-05-22

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 图子祐辅 ,  铃木达广 ,  沼仓启一郎 ,  下村卓 ,  林哲也

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/00

CPC classification number: H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H02M5/4585 ,  H02M7/217 ,  H02M7/48 ,  H02M7/537 ,  H02M2001/0006 ,  H03K17/0822 ,  H03K17/122 ,  H03K17/165 ,  H03K17/567 ,  H03K2217/0081

Abstract: 电力变换装置具备对来自栅极驱动电路(11)的驱动信号作用，调整半导体元件的栅极电压的栅极电压调整机构(检测电路(12))，所述栅极驱动电路(11)向并联设置的多个半导体元件(Q1～Q2)的各栅极发送驱动信号。栅极电压调整机构将基于由流到多个半导体元件的1个中的电流引起的磁束与由流到其他半导体元件中的电流引起的磁束之差产生的感应电压向多个半导体元件的至少1个栅极发送的栅极电压上叠加。

公开(公告)号：CN102859689B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201180020142.9

申请日：2011-04-27

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 山上滋春 ,  林哲也 ,  铃木达广

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/8213 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的为缩短邻接的两个绝缘栅极部的间隔，使半导体装置微细化。漂移区域配置于半导体基体之上，第一阱区域配置于漂移区域的上部，源极区域配置于第一阱区域的上部。各绝缘栅极部在位于漂移区域和源极区域之间的第一阱区域形成沟道（反转层）。第一主电极以构成单极二极管的方式与在一主表面露出的漂移区域接合，且与第一阱区域及源极区域连接。从漂移区域的一主表面的法线方向观察，多个绝缘栅极部具有相互平行的线状图案。邻接的绝缘栅极部之间沿绝缘栅极部延伸的方向排列有第一主电极与漂移区域的接合的接合部位及第一阱区域。沟道至少形成于漂移区域的一主表面的法线方向。

公开(公告)号：CN104067500A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201380006273.0

申请日：2013-02-04

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 铃木达广

IPC: H02M3/28 ,  H02M3/335 ,  H02M7/12 ,  H02M7/217

CPC classification number: H02M3/33546 ,  H02M3/33569 ,  H02M2001/0058 ,  Y02B70/1433 ,  Y02B70/1491

Abstract: 电力变换装置(1)包括：初级电路(1a)，具有谐振电感器(Lr)、开关单元(SU)、以及变压器(Tr)的初级线圈(Tra)；以及次级电路(1b)，通过对变压器(Tr)的初级线圈(Tra)通电，将在次级线圈(Trb、Trc)侧产生的能量提供给负载。开关单元(SU)具有：相互并联连接的第1二极管(D1)和第2二极管(D2)、第1开关元件(S1)和第2开关元件(S2)、以及谐振电容器(Cr)。而且，次级电路(1b)在次级线圈(Trb、Trc)和负载(Vo)之间具有输出电感器(Lo)。通过该结构，实现损耗、大小、成本的降低，并且能够抑制半导体元件被破坏的可能性和功率因数的恶化。

公开(公告)号：CN102859689A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180020142.9

申请日：2011-04-27

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 山上滋春 ,  林哲也 ,  铃木达广

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/8213 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/165 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的为缩短邻接的两个绝缘栅极部的间隔，使半导体装置微细化。漂移区域配置于半导体基体之上，第一阱区域配置于漂移区域的上部，源极区域配置于第一阱区域的上部。各绝缘栅极部在位于漂移区域和源极区域之间的第一阱区域形成沟道（反转层）。第一主电极以构成单极二极管的方式与在一主表面露出的漂移区域接合，且与第一阱区域及源极区域连接。从漂移区域的一主表面的法线方向观察，多个绝缘栅极部具有相互平行的线状图案。邻接的绝缘栅极部之间沿绝缘栅极部延伸的方向排列有第一主电极与漂移区域的接合的接合部位及第一阱区域。沟道至少形成于漂移区域的一主表面的法线方向。