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公开(公告)号：CN101910914B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200880122461.9
申请日：2008-12-26
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: G02F1/29 , G02F1/0316 , G02F2001/294 , G02F2201/128
Abstract: 本发明提供一种能够快速改变焦距的变焦透镜。包括电光材料以及形成在该电光材料的光入射面和光出射面上的电极；设定光轴使所述光从所述入射面的未形成有电极的空隙入射并从所述出射面的未形成有电极的空隙出射；连结所述入射面的电极和所述出射面的电极的电力线的一部分在所述空隙中弯曲，从而使所述光透过的部分的电场以所述光轴为中心进行变化；改变所述入射面的电极和所述出射面的电极之间的外加电压，从而使透过所述电光材料的光的焦点发生变化。
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公开(公告)号：CN1938605A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010167.5
申请日：2005-06-22
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G02B1/02
CPC classification number: G03F7/70958 , C30B29/30 , G02B1/02 , Y10S117/902 , Y10S117/918 , Y10T117/1068
Abstract: 一种光学材料，其具有高折射率，没有各向异性，并具有宽的透射波长范围。采用了由αβO3构成的立方晶体材料，其中，α为K、Ba、Sr、Ca中的至少一种，β为Ta、Ti中的至少一种。优选地，采用由KTa1－xNbxO3构成的立方晶体材料，其中，组份x满足0≤x≤0.35，提高了折射率，同时保持相变温度低于室温。
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公开(公告)号：CN1930328A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580005529.1
申请日：2005-11-16
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: C30B11/00
CPC classification number: C30B29/30 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B29/32 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
Abstract: 提供一种结晶制造装置，在保持于炉内的坩埚(11)内配置晶种(14)，对填充于坩埚(11)内的原料(12)进行加热液化，从坩埚(11)的下方朝向上方慢冷却原料(12)，由此使结晶成长，该结晶制造装置具备温度控制机构，其对晶种(14)的附近局部地进行冷却或加热。温度控制机构根据安装在坩埚(11)的外侧的中空构造的罩(17)和在中空部流动的制冷剂的流量调整对温度进行控制。从而，局部地控制晶种附近的温度分布，根据最佳温度条件，使高质量结晶以高的成品率成长。
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公开(公告)号：CN1705908A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200480001411.7
申请日：2004-03-18
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: G02F1/3551 , G02B6/12011 , G02B6/12023 , G02B2006/12142 , G02B2006/12145 , G02F1/225 , G02F1/3136 , G02F1/3137 , G02F1/365 , G02F2001/212 , G02F2201/124 , G02F2203/50
Abstract: 提供单纯的结构的低驱动电压的无偏振依赖并且高速的光开关、光调制器和波长可变滤光器。具备设置在输入侧的3dB耦合器(16)和设置在输出侧的3dB耦合器(17)和连接输入侧3dB耦合器以及输出侧3dB耦合器的2条光波导。此外，具备向2条光波导的一方或者双方施加电场的相位调制单元(18)。至少2条的光波导是由KTa1－xNbxO3(0＜x＜1)以及K1－yLiyTa1－xNbxO3(0＜x＜1，0＜y＜1)、或者KTa1－xNbxO3或者K1－yLiyTa1－xNbxO3组成的晶体材料。
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公开(公告)号：CN1701236A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200480000883.0
申请日：2004-07-28
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: G01R29/12
Abstract: 本发明涉及一种电场传感器，包括：光源(1)；光电晶体(7)，基于被测量信号对它施加电场，其中双折射率根据该电场变化，并根据该双折射率变化从光源入射的光的偏振状态和发射该光；和检测器(9，17，19，21)，根据从光电晶体发射的光的偏振状态的变化检测电信号。另外，该电场传感器包括：基于被测量信号向光电晶体(7)施加电场的信号电极(11)；与该信号电极(11)形成一对的相对电极(12)；和电连接到该相对电极(12)并与地形成电容的辅助电极(61)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102449536B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201080024159.7
申请日：2010-06-11
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: G02B13/0075 , G02F1/29 , G02F2001/294
Abstract: 提供能够快速地改变焦距的变焦透镜。包括：由具有反演对称性的单晶构成的电光材料；形成于该电光材料的第一面上的第一阳极和第二阴极，该第二阴极与所述第一阳极之间形成有间隔；以及形成于与所述第一面相对的第二面上并且形成于与所述第一阳极和所述第二阴极相对的位置处的第一阴极和第二阳极。并且，光轴被设定为：在光从与所述第一面正交的第三面入射后，从与所述第三面相对的第四面出射。通过改变向所述第一电极对和所述第二电极对之间施加的电压，来改变从所述第四面出射的光的焦点。
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公开(公告)号：CN102449536A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080024159.7
申请日：2010-06-11
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: G02B13/0075 , G02F1/29 , G02F2001/294
Abstract: 提供能够快速地改变焦距的变焦透镜。包括：由具有反演对称性的单晶构成的电光材料；形成于该电光材料的第一面上的第一阳极和第二阴极，该第二阴极与所述第一阳极之间形成有间隔；以及形成于与所述第一面相对的第二面上并且形成于与所述第一阳极和所述第二阴极相对的位置处的第一阴极和第二阳极。并且，光轴被设定为：在光从与所述第一面正交的第三面入射后，从与所述第三面相对的第四面出射。通过改变向所述第一电极对和所述第二电极对之间施加的电压，来改变从所述第四面出射的光的焦点。
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公开(公告)号：CN101910914A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880122461.9
申请日：2008-12-26
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: G02F1/29 , G02F1/0316 , G02F2001/294 , G02F2201/128
Abstract: 本发明提供一种能够快速改变焦距的变焦透镜。包括电光材料以及形成在该电光材料的光入射面和光出射面上的电极；设定光轴使所述光从所述入射面的未形成有电极的空隙入射并从所述出射面的未形成有电极的空隙出射；连结所述入射面的电极和所述出射面的电极的电力线的一部分在所述空隙中弯曲，从而使所述光透过的部分的电场以所述光轴为中心进行变化；改变所述入射面的电极和所述出射面的电极之间的外加电压，从而使透过所述电光材料的光的焦点发生变化。
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公开(公告)号：CN100510199C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200580005529.1
申请日：2005-11-16
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: C30B11/00
CPC classification number: C30B29/30 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B29/32 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
Abstract: 提供一种结晶制造装置，在保持于炉内的坩埚(11)内配置晶种(14)，对填充于坩埚(11)内的原料(12)进行加热液化，从坩埚(11)的下方朝向上方慢冷却原料(12)，由此使结晶成长，该结晶制造装置具备温度控制机构，其对晶种(14)的附近局部地进行冷却或加热。温度控制机构根据安装在坩埚(11)的外侧的中空构造的罩(17)和在中空部流动的制冷剂的流量调整对温度进行控制。从而，局部地控制晶种附近的温度分布，根据最佳温度条件，使高质量结晶以高的成品率成长。
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公开(公告)号：CN1717602A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200480001454.5
申请日：2004-07-16
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: C30B29/30 , G02B2006/121 , G02F1/035 , Y10S117/918
Abstract: 本发明提供一种可以不改变Ta和Nb的比例而改变折射率的光波导材料。作为本发明光波导材料所适用的光波导的一个例子的一种光波导包括：下包层(1)，和形成于下包层(1)上的、折射率比下包层(1)大的芯部(2)。例如，使用KTN(KTa1－xNbxO3)作为芯部(2)，使用构成元素的一部分由Zr、Hf、Sn中的至少一种元素取代的、具有与KTN相同的钙钛矿型晶体结构的材料作为包层。因此，KTN的折射率可以明显降低，使光波导装置设计的自由程度提高。
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