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公开(公告)号：CN1930328A
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200580005529.1
申请日：2005-11-16
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: C30B11/00
CPC classification number: C30B29/30 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B29/32 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
Abstract: 提供一种结晶制造装置，在保持于炉内的坩埚(11)内配置晶种(14)，对填充于坩埚(11)内的原料(12)进行加热液化，从坩埚(11)的下方朝向上方慢冷却原料(12)，由此使结晶成长，该结晶制造装置具备温度控制机构，其对晶种(14)的附近局部地进行冷却或加热。温度控制机构根据安装在坩埚(11)的外侧的中空构造的罩(17)和在中空部流动的制冷剂的流量调整对温度进行控制。从而，局部地控制晶种附近的温度分布，根据最佳温度条件，使高质量结晶以高的成品率成长。
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公开(公告)号：CN100510199C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200580005529.1
申请日：2005-11-16
Applicant: 日本电信电话株式会社
IPC: C30B11/00
CPC classification number: C30B29/30 , C30B11/002 , C30B11/003 , C30B29/32 , Y10T117/10 , Y10T117/1016 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
Abstract: 提供一种结晶制造装置，在保持于炉内的坩埚(11)内配置晶种(14)，对填充于坩埚(11)内的原料(12)进行加热液化，从坩埚(11)的下方朝向上方慢冷却原料(12)，由此使结晶成长，该结晶制造装置具备温度控制机构，其对晶种(14)的附近局部地进行冷却或加热。温度控制机构根据安装在坩埚(11)的外侧的中空构造的罩(17)和在中空部流动的制冷剂的流量调整对温度进行控制。从而，局部地控制晶种附近的温度分布，根据最佳温度条件，使高质量结晶以高的成品率成长。
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公开(公告)号：CN100570018C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200580000866.1
申请日：2005-06-10
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: C30B35/00 , C30B11/001 , C30B11/04 , C30B29/30 , Y10T117/1024 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/1092
Abstract: 本发明提供一种结晶制造方法以及装置，能维持结晶品质，使结晶组成从成长初期至成长后期形成均一。一种结晶制造方法，通过加热液化保持于炉内的坩埚内的原料，从坩埚的下方向上方，徐冷原料溶液而制造所述结晶，其特征在于，调整加热器，在坩埚保持的炉内形成低温区域和高温区域的温度分布中，将补给原料，加热到与所述高温区域相同温度，从而反射板上被液化，补给原料在一定时间内被保持于反射板的表面，并从反射板供给给坩埚。一种结晶制造装置，包括原料供给装置；反射板，其设置于坩埚的上方，将从原料供给装置所供给的补给原料加热到与徐热温度相同的温度而液化，并将补给原料在反射板的表面保持一定时间，作为液体而落下到坩埚中。
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公开(公告)号：CN1842619A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200580000866.1
申请日：2005-06-10
Applicant: 日本电信电话株式会社
CPC classification number: C30B35/00 , C30B11/001 , C30B11/04 , C30B29/30 , Y10T117/1024 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/1092
Abstract: 本发明提供一种结晶制造方法以及装置，能维持结晶品质，使结晶组成从成长初期至成长后期形成均一。在加热液化保持于炉内的坩埚(11)内的原料(12)，由坩埚的下方向上方，通过徐冷原料(12)使结晶(13)成长的结晶制造装置中，包括：供给补给原料的原料供给装置(18)；反射板(20)，其设置于坩埚(11)的上方，使从原料供给装置(18)供给的补给原料(19)液化，使之作为液体原料(21)落下到坩埚中。
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