公开(公告)号：CN105185900A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510330421.5

申请日：2015-06-15

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 福中敏昭 ,  笠松新

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/10 ,  H01L43/14

Abstract: 本发明提供一种即使在无岛构造的霍尔传感器中使GaAs霍尔元件小型化和薄型化的情况下也能够防止漏电流的增大的霍尔传感器。具备：GaAs霍尔元件(10)，其具备设置在GaAs衬底(11)上的感磁部(12)、电极部(13a～13d)、以及设置在GaAs衬底的与设置有电极的面相反一侧的面侧的保护层(40)；引线端子(22～25)，其配置在GaAs霍尔元件的周围；金属细线(31～34)，其将电极与引线端子分别电连接；以及模制构件(50)，其对上述部件进行模制。保护层和引线端子的第一面(即同与金属细线连接的面相反一侧的面)从模制构件(50)的同一面露出。GaAs衬底的电阻率为5.0×107Ω·cm以上。

公开(公告)号：CN107195772A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710470300.X

申请日：2015-06-15

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 福中敏昭 ,  笠松新

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/10 ,  H01L43/14

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L43/06 ,  H01L43/10 ,  H01L43/14

Abstract: 本发明提供一种即使在无岛构造的霍尔传感器中使GaAs霍尔元件小型化和薄型化的情况下也能够防止漏电流的增大的霍尔传感器。具备：GaAs霍尔元件(10)，其具备设置在GaAs衬底(11)上的感磁部(12)、电极部(13a～13d)、以及设置在GaAs衬底的与设置有电极的面相反一侧的面侧的保护层(40)；引线端子(22～25)，其配置在GaAs霍尔元件的周围；金属细线(31～34)，其将电极与引线端子分别电连接；以及模制构件(50)，其对上述部件进行模制。保护层和引线端子的第一面(即同与金属细线连接的面相反一侧的面)从模制构件(50)的同一面露出。GaAs衬底的电阻率为5.0×107Ω·cm以上。

公开(公告)号：CN104170109A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380012069.X

申请日：2013-12-03

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 福中敏昭 ,  长谷川秀则

IPC: H01L43/04 ,  G01R33/07 ,  H01L21/52 ,  H01L23/50

CPC classification number: G01R33/07 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/97 ,  H01L43/04 ,  H01L43/065 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 包括：小片(10)；多个引线端子(22)～(25)，其配置在小片(10)的周围；多条金属细线(31)～(34)，其用于将各引线端子(22)～(25)分别电连接于小片(10)所具有的多个电极部；绝缘糊(40)，其用于覆盖小片(10)的背面；以及模制树脂(50)，其用于覆盖小片(10)和多条金属细线(31)～(34)。绝缘糊(40)的至少一部分以及各引线端子(22)～(25)的背面的至少一部分分别自模制树脂(50)暴露。

公开(公告)号：CN105185900B

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201510330421.5

申请日：2015-06-15

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 福中敏昭 ,  笠松新

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/10 ,  H01L43/14

Abstract: 本发明提供一种即使在无岛构造的霍尔传感器中使GaAs霍尔元件小型化和薄型化的情况下也能够防止漏电流的增大的霍尔传感器。具备：GaAs霍尔元件(10)，其具备设置在GaAs衬底(11)上的感磁部(12)、电极部(13a～13d)、以及设置在GaAs衬底的与设置有电极的面相反一侧的面侧的保护层(40)；引线端子(22～25)，其配置在GaAs霍尔元件的周围；金属细线(31～34)，其将电极与引线端子分别电连接；以及模制构件(50)，其对上述部件进行模制。保护层和引线端子的第一面(即同与金属细线连接的面相反一侧的面)从模制构件(50)的同一面露出。GaAs衬底的电阻率为5.0×107Ω·cm以上。

公开(公告)号：CN106848055A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611116886.1

申请日：2013-12-03

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 福中敏昭 ,  长谷川秀则

IPC: H01L43/04 ,  H01L43/06 ,  H01L23/495 ,  G01R33/07 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: G01R33/07 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/97 ,  H01L43/04 ,  H01L43/065 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种磁传感器和磁传感器装置以及磁传感器的制造方法。包括：小片(10)；多个引线端子(22)～(25)，其配置在小片(10)的周围；多条金属细线(31)～(34)，其用于将各引线端子(22)～(25)分别电连接于小片(10)所具有的多个电极部；绝缘糊(40)，其用于覆盖小片(10)的背面；以及模制树脂(50)，其用于覆盖小片(10)和多条金属细线(31)～(34)。绝缘糊(40)的至少一部分以及各引线端子(22)～(25)的背面的至少一部分分别自模制树脂(50)暴露。

公开(公告)号：CN104170109B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201380012069.X

申请日：2013-12-03

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 福中敏昭 ,  长谷川秀则

IPC: H01L43/04 ,  G01R33/07 ,  H01L21/52 ,  H01L23/50

Abstract: 包括：小片(10)；多个引线端子(22)～(25)，其配置在小片(10)的周围；多条金属细线(31)～(34)，其用于将各引线端子(22)～(25)分别电连接于小片(10)所具有的多个电极部；绝缘糊(40)，其用于覆盖小片(10)的背面；以及模制树脂(50)，其用于覆盖小片(10)和多条金属细线(31)～(34)。绝缘糊(40)的至少一部分以及各引线端子(22)～(25)的背面的至少一部分分别自模制树脂(50)暴露。

公开(公告)号：CN116773476A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310255081.9

申请日：2023-03-16

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 福中敏昭 ,  古屋贵明

IPC: G01N21/3504 ,  G01N21/01 ,  G01N21/61

Abstract: 本发明提供能够抑制半导体基板的变形所引起的特性变动的气体传感器。气体传感器(1)包括：基板(重布线层30)；发光元件(11)，其设于基板的一侧的面即表面(30a)或埋入基板而设置；光接收元件(12)，其设于基板的表面或埋入基板而设置，接收从发光元件射出的光；以及多个外部连接端子(40)，其位于基板的与表面相反的面即背面(30b)，该多个外部连接端子的至少一部分外部连接端子与发光元件及光接收元件电连接，多个外部连接端子配置为，在俯视时连结任意两个外部连接端子的线上不存在发光元件和光接收元件。

公开(公告)号：CN106784300A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611141104.X

申请日：2013-12-03

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 福中敏昭 ,  长谷川秀则

IPC: H01L43/04 ,  H01L43/06 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L21/56 ,  G01R33/07

CPC classification number: G01R33/07 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/97 ,  H01L43/04 ,  H01L43/065 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 包括：小片(10)；多个引线端子(22)～(25)，其配置在小片(10)的周围；多条金属细线(31)～(34)，其用于将各引线端子(22)～(25)分别电连接于小片(10)所具有的多个电极部；绝缘糊(40)，其用于覆盖小片(10)的背面；以及模制树脂(50)，其用于覆盖小片(10)和多条金属细线(31)～(34)。绝缘糊(40)的至少一部分以及各引线端子(22)～(25)的背面的至少一部分分别自模制树脂(50)暴露。

公开(公告)号：CN118231485A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202311761932.3

申请日：2023-12-20

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 福中敏昭

IPC: H01L31/0203 ,  H01L31/02 ,  G01N21/3504

Abstract: 本发明提供光电转换元件和气体传感器，能够抑制因半导体基板的变形所引起的特性变动。光电转换元件具备：半导体组件(21)，其具备半导体元件部(10)和密封部(20)，该半导体元件部(10)具有射出或射入光的光射出射入面(10a)、半导体基板(111)、半导体层(112)以及电极(113)，该密封部(20)覆盖半导体元件部的侧面；和绝缘层(31)，其设于半导体组件的一侧的面，覆盖电极和外部连接端子之间的重布线，绝缘层构成为包括第1绝缘层(311)和第2绝缘层(312)且使重布线设于它们之间，形成为不覆盖半导体层的至少局部或者与覆盖重布线的绝缘层的厚度相比较薄地覆盖半导体层的至少局部。

公开(公告)号：CN114279993A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111146006.6

申请日：2021-09-28

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 福中敏昭 ,  加藤浩之

IPC: G01N21/3504

Abstract: 本发明提供一种小型且能够进行高精度测量的气体传感器。气体传感器(1)具有光接收元件(10)、发光元件(20)、集成电路(30)、引线框(40)以及将它们封装化的密封构件(80)。引线框(40)具有至少一个芯片焊盘部(41)和多个端子部(42)，芯片焊盘部(41)包括具有第1厚度的第1区域(41(R1))和具有比第1厚度薄的第2厚度的第2区域(41(R2))，集成电路30配置于芯片焊盘部(41)的第2区域(41(R2))上，与多个端子部(42)中的至少一个端子部电连接。