公开(公告)号：CN108539010A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810078230.8

申请日：2018-01-26

Applicant: 艾普凌科有限公司

Inventor： 飞冈孝明

IPC: H01L43/04 ,  H01L43/06

CPC classification number: H01L43/065 ,  G01R33/077 ,  H01L27/22 ,  H01L43/04

Abstract: 本发明提供提高利用沿与衬底平行的方向流动的电流的灵敏度的纵型霍尔元件。具备：第2导电型的半导体层，设置在半导体衬底上；多个电极，在半导体层的表面在直线上设置，由浓度比半导体层的浓度高的第2导电型的杂质区域构成；以及多个第1导电型的电极分离扩散层，在半导体层的表面分别设置在多个电极的各电极间，分别分离多个电极，多个电极包含作为驱动电流供给电极发挥功能的电极、和与驱动电流供给电极交替配置的作为霍尔电压输出电极发挥功能的电极，霍尔电压输出电极具有第1深度，驱动电流供给电极具有比第1深度及电极分离扩散层的深度深的第2深度。

公开(公告)号：CN108474810A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680061459.X

申请日：2016-10-14

Applicant: 莱姆知识产权股份有限公司

Inventor： J·M·佩库 ,  D·巴尔巴加洛 ,  P·莫里尔

IPC: G01R15/20

CPC classification number: G01R15/207 ,  G01R15/202 ,  G01R19/0092 ,  H01L24/48 ,  H01L43/04 ,  H01L43/065 ,  H01L2224/48247

Abstract: 电流传感器，包括壳体(10)、包括中央通道(18)和磁路间隙(22)的磁芯(6)、位于磁路间隙中的磁场检测器(8)以及引线框导体装置(4)，该引线框导体装置包括携带要被测量的电流的主导体(14)和用于将磁场检测器连接到外部电路的磁场检测器导体(16)。主导体包括穿过磁芯的中央通道延伸的中央部(15)、自中央部的相对两端延伸的横向延伸臂(13)以及用于连接到外部导体的连接端(17)。磁场检测器导体包括多个导体，每个导体包括与主导体的中央部基本对准的感测单元连接板(21)和用于连接到外部电路的连接端(19)，壳体包括围绕在引线框导体装置的几部分周围并形成磁场传感器容纳腔(36)的基部(20)，磁场传感器容纳腔的底表面呈基本为平面的安装表面将所述感测单元连接板露出用于电连接到感测单元，感测单元结合在安装表面上并与一个或多个磁场检测器导体叠置以及与主导体中央部偏置。壳体基部还包括围绕在主导体中央部周围的主导体包覆成型部(30)，在磁芯与主导体之间提供介电绝缘层。

公开(公告)号：CN108470826A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810310401.5

申请日：2018-04-09

Applicant: 中国科学院物理研究所

Inventor： 韩秀峰 ,  王潇 ,  万蔡华

IPC: H01L43/04 ,  H01L43/06 ,  H01L43/08 ,  H01L29/66 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L43/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/66984 ,  H01L43/065 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明涉及磁性多层膜结构、磁存储器、自旋逻辑器件和电子设备。根据一实施例，一种磁性多层膜结构包括：参考磁层，其具有固定的磁矩；自由磁层，其具有自由翻转的磁矩；以及非磁间隔层，其位于所述参考磁层和所述自由磁层之间，其中，所述自由磁层由铁磁金属与自旋霍尔效应(SHE)金属的合金形成，且其中，所述自由磁层配置为接收面内电流以翻转所述自由磁层的磁矩。所述磁性多层膜结构还包括在自由磁层的与非磁间隔层相反一侧的反铁磁偏置层，或沿与面内电流垂直的方向延伸的电流布线。在该磁性多层膜结构中，可以直接通过向自由磁层施加面内电流来翻转自由磁层的磁矩，因此大大简化了结构和翻转过程。

公开(公告)号：CN108336221A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201711137111.7

申请日：2017-11-16

Applicant: 艾普凌科有限公司

Inventor： 飞冈孝明 ,  海老原美香

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/04 ,  G01R33/07

CPC classification number: G01R33/077 ,  H01L43/04 ,  H01L43/065 ,  G01R33/07

Abstract: 提供具有提高灵敏度的纵型霍尔元件的半导体装置。其具备：第2导电型的半导体层，设置在半导体衬底上；多个电极，在半导体层的表面在一条直线上设置，由浓度比半导体层高的第2导电型的杂质区域构成；多个第1导电型的电极分离扩散层，在半导体层的表面，分别设置在多个电极的各电极间，使多个电极分别分离；以及埋入层，在电极分离扩散层各自的大致正下方的半导体衬底与半导体层之间分别设置，由浓度比半导体层高的第2导电型的杂质区域构成。

公开(公告)号：CN104237812B

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：CN201310388598.1

申请日：2013-08-30

Applicant: 美格纳半导体有限公司

Inventor： 柳升翰 ,  郑锺烈 ,  金官洙

IPC: G01R33/07 ,  H01L43/06 ,  H01L43/14

CPC classification number: H01L43/04 ,  G01R33/0011 ,  G01R33/0052 ,  G01R33/07 ,  G01R33/072 ,  H01L27/22 ,  H01L43/14

Abstract: 本发明提供磁传感器及其制造方法。所述磁传感器包括：包括多个霍尔元件的衬底、形成在衬底上的保护层、形成在保护层上的基础层、以及形成在基础层上的包括具有凸起部的表面的磁集极(IMC)。基础层具有比IMC大的截面面积。

公开(公告)号：CN106910730A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201611201950.6

申请日：2016-12-23

Applicant: 梅莱克塞斯技术股份有限公司

Inventor： M·阿克曼 ,  B·布里 ,  L·库洛特 ,  R·拉兹

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/16 ,  H01L21/60 ,  G01R15/20 ,  G01R3/00

CPC classification number: G01R15/202 ,  G01R15/20 ,  G01R15/207 ,  H01L21/4842 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L43/04 ,  H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L23/49575 ,  G01R3/00 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/85

Abstract: 本发明涉及电流传感器制作方法与电流传感器。制作电流传感器的方法包括：提供具有电流导体部分(7)的引线框(1)，电流导体部分(7)包含成形以使待测电流在其内沿彼此倾斜或相反取向的方向流动的两个部分(8，9)；使引线框(1)变形以降低电流导体部分(7)；将隔离器(2)安装于电流导体部分(7)上；将具有至少0.2mm厚度且包含由磁场集中器(16)和四个霍尔传感器(13)组成的两个磁场传感器的半导体芯片(3)安装于隔离器(2)上；通过导线键合(17)连接芯片(3)和传感器端子引线(6)；将芯片(3)和引线框(1)的一些部分封装于塑料外壳(4)内；和将引线框(1)的框架(10)从电流端子引线(5)和引线(6)上切下。

公开(公告)号：CN106848055A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611116886.1

申请日：2013-12-03

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 福中敏昭 ,  长谷川秀则

IPC: H01L43/04 ,  H01L43/06 ,  H01L23/495 ,  G01R33/07 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: G01R33/07 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/97 ,  H01L43/04 ,  H01L43/065 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种磁传感器和磁传感器装置以及磁传感器的制造方法。包括：小片(10)；多个引线端子(22)～(25)，其配置在小片(10)的周围；多条金属细线(31)～(34)，其用于将各引线端子(22)～(25)分别电连接于小片(10)所具有的多个电极部；绝缘糊(40)，其用于覆盖小片(10)的背面；以及模制树脂(50)，其用于覆盖小片(10)和多条金属细线(31)～(34)。绝缘糊(40)的至少一部分以及各引线端子(22)～(25)的背面的至少一部分分别自模制树脂(50)暴露。

公开(公告)号：CN105576119A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510941653.4

申请日：2015-12-16

Applicant: 苏州矩阵光电有限公司

Inventor： 胡双元 ,  帕勒布.巴特查亚 ,  朱忻

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/04 ,  H01L43/14

CPC classification number: H01L43/065 ,  H01L43/04 ,  H01L43/14

Abstract: 本发明所述的一种高灵敏度霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、GaAs功能层、欧姆接触层、金属电极和钝化层；GaAs功能层为掺杂浓度很低的N型掺杂；欧姆接触层为高掺杂浓度的N型掺杂AlGaAs或InGaAs等。所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：S1、在半绝缘GaAs衬底上依次外延生长GaAs功能层和欧姆接触层；S2、对欧姆接触层和GaAs功能层进行图案化，形成台面；S3、在欧姆接触层表面蒸镀金属电极；S4、选择性腐蚀去除GaAs功能层表面的欧姆接触层；S5、在霍尔元件表面制备一层钝化层。根据本发明制备的霍尔元件，GaAs功能层的掺杂浓度可以非常低，因此拥有非常高的电子迁移率，器件的灵敏度非常高，而传统的低掺杂GaAs不容易形成良好欧姆接触的问题，则由表面的欧姆接触层完美解决，从而能够得到高灵敏度的霍尔元件。

公开(公告)号：CN104024877B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201280052861.3

申请日：2012-10-25

Applicant: 旭化成微电子株式会社

Inventor： 西田聪佑 ,  高塚俊德

IPC: G01R33/07 ,  G01R15/20 ,  H01L43/04 ,  H01L43/06

CPC classification number: G01R33/07 ,  G01R15/202 ,  G01R33/072 ,  H01L43/04 ,  H01L43/06

Abstract: 本发明的磁传感器具备检测磁力的霍尔传感器以及用于进行霍尔传感器的驱动和信号处理的IC，IC具有两层以上的多个金属布线层，霍尔传感器和IC通过引线布线电连接并且被封入到一个封装体内。用于将霍尔传感器的输出电压输入到IC所具备的信号处理部的金属布线具备立体交叉部，以抑制由于从外部施加的磁通密度的变化而在与霍尔传感器的输出端子和霍尔传感器的输出电极焊盘相连接的引线布线以及用于将霍尔传感器的输出电压输入到IC所具备的信号处理部的IC上的金属布线上产生的感应电动势。由此，抑制由磁通密度的急剧变化引起的感应电动势的影响，提供电流传感器所需的高速应答性。

公开(公告)号：CN105280807A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510429242.7

申请日：2015-07-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K.埃利安 ,  M.H.H.莫德塔希尔 ,  C.T.黄 ,  戴秋婷

IPC: H01L43/04 ,  H01L43/14

CPC classification number: G01R33/0047 ,  G01R33/0052 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L43/14 ,  H01L43/04

Abstract: 本发明涉及具有集成磁体的模塑传感器封装及其制造方法。模塑传感器封装包括：引线框架，具有附着到所述引线框架的传感器管芯；与传感器管芯对齐的磁体；以及包围传感器管芯并将磁体附着到该引线框架的单一模塑料。一种制造模塑传感器封装的方法包括：加载磁体和引线框架到模塑工具中以便磁体在模塑工具中与传感器管芯对齐；当被加载在模塑工具中时用相同的模塑料模塑磁体和传感器管芯；并且固化模塑料以便磁体通过包围传感器管芯的相同的模塑料被附着到引线框架。