公开(公告)号：CN102246269B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN200980150521.2

申请日：2009-12-11

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 冈村研治 ,  伊藤正文 ,  小岛宏

IPC: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  Y10T428/24

Abstract: 本发明涉及一种反射型掩模用低膨胀玻璃基板，是作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板，其中，沿该低膨胀玻璃基板的外周形成的侧面中的处于彼此相对的位置关系的2个侧面的平面度分别为25μm以下。

公开(公告)号：CN101687696A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880022677.8

申请日：2008-04-11

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 伊藤正文 ,  冈村研治 ,  小岛宏

IPC: C03C15/02 ,  C03C23/00

CPC classification number: C03C15/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C23/0025 ,  C03C23/006 ,  C03C23/0075 ,  G03F1/24 ,  G03F1/82 ,  H01J2237/0812 ,  H01J2237/3151

Abstract: 本发明的目的是提供一种通过伴有在玻璃衬底表面上进行束辐照或激光辐照的方法从待精加工处理的玻璃衬底表面除去杂质的方法。本发明涉及从玻璃衬底表面除去杂质的方法，所述方法包括在5～15keV的加速电压下对所述玻璃衬底表面进行气体簇离子束腐蚀。

公开(公告)号：CN102246269A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200980150521.2

申请日：2009-12-11

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 冈村研治 ,  伊藤正文 ,  小岛宏

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/16

CPC classification number: G03F1/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  Y10T428/24

Abstract: 本发明涉及一种反射型掩模用低膨胀玻璃基板，是作为半导体制造工序的光刻工序中使用的反射型掩模的基材的低膨胀玻璃基板，其中，沿该低膨胀玻璃基板的外周形成的侧面中的处于彼此相对的位置关系的2个侧面的平面度分别为25μm以下。

公开(公告)号：CN101679097A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880019204.2

申请日：2008-05-21

Applicant: 旭硝子株式会社

Inventor： 冈村研治 ,  伊藤正文

IPC: C03B19/14 ,  C03C15/00 ,  C03C15/02 ,  C03C19/00 ,  C03C23/00

CPC classification number: C03C15/02 ,  C03C17/3665 ,  C03C23/0025 ,  C03C23/006 ,  C03C2204/08 ,  C03C2218/31 ,  Y10T428/24777

Abstract: 本发明是提供处理整个玻璃衬底表面以使得表面具有优异的平坦度和表面粗糙度的方法。本发明提供使用处理技术来处理玻璃衬底表面的方法，所述处理技术选自离子束腐蚀、气体簇离子束腐蚀、等离子体腐蚀和纳米磨蚀，其中在对所述玻璃衬底表面进行处理之前，沿所述玻璃衬底的周围设置框架部件，所述框架部件满足下列(1)和(2)：(1)所述框架部件的高度和所述玻璃衬底表面的高度之差为1mm以下；以及(2)所述框架部件的宽度不小于在所述处理技术中使用的离子束直径或激光直径的一半。