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公开(公告)号：CN103038854B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201180022613.X
申请日：2011-05-04
Applicant: TEL艾派恩有限公司
Inventor： 迈克尔·格拉夫 , 罗伯特·K·贝克尔 , 克里斯多弗·T·雷迪 , 诺尔·拉塞尔
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/026 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/0812
Abstract: 提供了一种利用气体离化团束(GCIB)(128、128A、128A′)来照射衬底(152、252)的处理系统(100、100′、100″)。该系统(100、100′、100″)包括用以形成并通过喷嘴出口(110b)射出气体团束的喷嘴(110、1010)，以及位于该喷嘴(110、1010)上游并与该喷嘴(110、1010)邻接的停滞腔室(116、1016)。该停滞腔室(116、1016)具有入口(116a、1016a)，并且该喷嘴(110、1010)被构造为将单个气体团束引向该衬底(152、252)。离子发生器(122)被定位在出口(110b)下游并且被构造为离子化气体团束(118)以形成GCIB(128、128A、128A′)。该系统(100、100′、100″)也包括气体供应器(115、1015)，其中该气体供应器(115、1015)与该停滞腔室(116、1016)的该入口(116a、1016a)流体连，并且包括气体源(111、1011)和阀(113、1013)，其中该阀(113、1013)位于该气体源(111、1011)与该喷嘴(110、1010)之间，用以控制该气体源(111、1011)与该喷嘴(110、1010)之间的气体流动。
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公开(公告)号：CN102308356B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201080006695.4
申请日：2010-01-11
Applicant: TEL埃皮恩公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/317 , H01J2237/061 , H01J2237/0812 , H01J2237/0825 , H01J2237/0827
Abstract: 公开了一种用于将工艺气体混合物或多种工艺气体混合物引入到气体团簇离子束(GCIB)系统(100、100’、100”)中的多喷嘴和分离器组件以及在衬底(152、252)上生长、改性、沉积或掺杂层的相关操作方法。多喷嘴和分离器组件包括至少两个喷嘴(116、1016、2110、2120、4110、4120、7010、7020)，这些喷嘴被布置成相互紧靠以将从喷嘴喷射出的气体团簇束至少部分地合并成单一气体团簇束(118)和/或被倾斜以将每一束朝向单一相交点(420)而会合以形成一组相交的气体团簇束，以及将单一和/或相交的气体团簇束引导到气体分离器中。
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公开(公告)号：CN103038854A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180022613.X
申请日：2011-05-04
Applicant: TEL艾派恩有限公司
Inventor： 迈克尔·格拉夫 , 罗伯特·K·贝克尔 , 克里斯多弗·T·雷迪 , 诺尔·拉塞尔
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/026 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/0812
Abstract: 提供了一种利用气体离化团束(GCIB)(128、128A、128A′)来照射衬底(152、252)的处理系统(100、100′、100″)。该系统(100、100′、100″)包括用以形成并通过喷嘴出口(110b)射出气体团束的喷嘴(110、1010)，以及位于该喷嘴(110、1010)上游并与该喷嘴(110、1010)邻接的停滞腔室(116、1016)。该停滞腔室(116、1016)具有入口(116a、1016a)，并且该喷嘴(110、1010)被构造为将单个气体团束引向该衬底(152、252)。离子发生器(122)被定位在出口(110b)下游并且被构造为离子化气体团束(118)以形成GCIB(128、128A、128A′)。该系统(100、100′、100″)也包括气体供应器(115、1015)，其中该气体供应器(115、1015)与该停滞腔室(116、1016)的该入口(116a、1016a)流体连，并且包括气体源(111、1011)和阀(113、1013)，其中该阀(113、1013)位于该气体源(111、1011)与该喷嘴(110、1010)之间，用以控制该气体源(111、1011)与该喷嘴(110、1010)之间的气体流动。
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公开(公告)号：CN101512716B
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN200780016534.1
申请日：2007-06-12
Applicant: 山米奎普公司
Inventor： 托马斯·N·霍尔斯基 , 罗伯特·W·米尔盖特 , 乔治·P·萨科 , 韦德·艾伦·克鲁尔
IPC: H01J27/00
CPC classification number: H01J37/08 , C23C14/48 , C23C14/564 , H01J9/38 , H01J27/024 , H01J37/3171 , H01J2209/017 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/0812 , H01J2237/083 , H01J2237/31701 , H01L21/265
Abstract: 为离子束产生系统的提取电极提供热控制，所述热控制防止沉积物的形成及不稳定操作且使得能够与从可冷凝蒸气产生的离子及能够进行冷及热操作的离子源一起使用。采用对所述提取电极的电加热以提取十硼烷或十八硼烷离子。在与热离子源一起使用期间的有效冷却可防止电极损坏，从而允许所述提取电极为导热及耐氟的铝组合物。通过使用反应性卤素气体提供对所述离子源及提取电极的原位蚀刻清洗且通过具有可延长清洗之间的工作持续时间的特征来增强所述系统的工作寿命，其中包含准确的蒸气流量控制及对离子束光学装置的准确聚焦。出于清洗所述离子源及所述提取电极中的沉积物的目的，远程等离子体源将F或Cl离子递送到断电的离子源。这些技术在运行可冷凝的馈送气体(例如升华的蒸气)时实现较长的设备正常运行时间，且尤其适用于与所谓的冷离子源及通用离子源一起使用。本文描述了当使用十硼烷及十八硼烷作为进料时以及当使用气化的砷元素及磷元素时实现较长设备正常运行时间且有助于在离子植入期间增强离子束稳定性的方法及设备。
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公开(公告)号：CN102260849A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110127822.2
申请日：2011-05-12
Applicant: 兵库县 , 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/08 , G03F7/427 , H01J2237/006 , H01J2237/0812 , H01J2237/31 , H01L21/02041 , H01L21/31116
Abstract: 本发明要解决的问题在于提供能够容易地控制液体原料的团簇和气体原料的团簇的比率的团簇束产生装置以及方法、基板处理装置以及方法。本发明通过提供下述团簇束产生装置来解决上述问题，该团簇束产生装置产生团簇束，其特征在于包括：混合器，所述混合器混合气体原料和液体原料；喷嘴，所述喷嘴将在所述混合器中混合的所述气体原料和所述液体原料以团簇束的形式供应；以及温度调节部，所述温度调节部调节所述喷嘴的温度；其中，通过利用所述温度调节部改变所述喷嘴的温度来调节所述团簇束中所述液体原料的团簇和所述气体原料的团簇的比率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1477984A
公开(公告)日：2004-02-25
申请号：CN01819851.1
申请日：2001-06-12
Applicant: 赛米奎珀公司
CPC classification number: H01J27/205 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/0473 , H01J2237/0475 , H01J2237/0812 , H01J2237/082
Abstract: 具有高亮度的离子注入，通过在电离箱(80；175)的出口孔(46；176)附近直接电子撞击电离例如，二聚物或癸硼烷的气体或蒸气得到离子束。较佳地，应保持能够产生一相当大的离子密度并将离子横向动能限制在0.7eV(电子伏特)以内的条件；出口孔附近的电离体积的宽度限制在约三倍出口孔的宽度以内；出口孔十分细长；避免或限制磁场；保持低离子束噪音；保持电离箱内的条件以阻止弧放电的形成。通过离子束光学装置，例如图(20)中的分批注入器，或连续注入器，将从离子源产生的离子传送到目标表面并注入；在有些情况下，结合加速－减速束线使用离子簇更加有利。本发明还揭示了电子枪构造、带状电子源以及电离箱构造。本发明展示了半导体设备，如CMOS(互补金属氧化半导体)设备的漏极扩展以及平面平台掺杂的形成特点。
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公开(公告)号：CN105917438B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201480073422.X
申请日：2014-11-21
Inventor： 马修·C·格温
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/30 , H01J37/08 , H01J2237/0812 , H01J2237/317
Abstract: 描述了一种用于执行各种材料的气体团簇离子束(GCIB)蚀刻处理的方法和系统。特别地，该GCIB蚀刻处理包括使用一种或更多种分子束来优化离子束的局部区域处的压力。
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公开(公告)号：CN102308356A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201080006695.4
申请日：2010-01-11
Applicant: TEL埃皮恩公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/317 , H01J2237/061 , H01J2237/0812 , H01J2237/0825 , H01J2237/0827
Abstract: 公开了一种用于将工艺气体混合物或多种工艺气体混合物引入到气体团簇离子束(GCIB)系统(100、100’、100”)中的多喷嘴和分离器组件以及在衬底(152、252)上生长、改性、沉积或掺杂层的相关操作方法。多喷嘴和分离器组件包括至少两个喷嘴(116、1016、2110、2120、4110、4120、7010、7020)，这些喷嘴被布置成相互紧靠以将从喷嘴喷射出的气体团簇束至少部分地合并成单一气体团簇束(118)和/或被倾斜以将每一束朝向单一相交点(420)而会合以形成一组相交的气体团簇束，以及将单一和/或相交的气体团簇束引导到气体分离器中。
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公开(公告)号：CN101563759B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200780040678.0
申请日：2007-10-30
Applicant: 日本航空电子工业株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3083 , H01J2237/0812 , H01L21/3065
Abstract: 一种加工固体表面同时防止非平面结构的角落部分变形的方法。提供了一种用气体团簇离子束加工固体表面的方法，该方法包括：团簇保护层形成步骤，在固体表面上形成凹凸结构，该凹凸结构包括其顶部覆盖有团簇保护层的凸部和没有覆盖有团簇保护层的凹部；照射步骤，以气体团簇离子束照射具有在团簇保护层形成步骤中形成的非平面结构的固体表面；以及去除团簇保护层的去除步骤。团簇保护层的厚度T满足公式(I)的关系：其中n是气体团簇离子束的剂量，以及其中团簇保护层的蚀刻效率是指每个团簇的蚀刻体积Y(假定a和b为常数)。
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公开(公告)号：CN101563759A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780040678.0
申请日：2007-10-30
Applicant: 日本航空电子工业株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3083 , H01J2237/0812 , H01L21/3065
Abstract: 一种加工固体表面同时防止非平面结构的角落部分变形的方法。提供了一种用气体团簇离子束加工固体表面的方法，该方法包括：团簇保护层形成步骤，在固体表面上形成凹凸结构，该凹凸结构包括其顶部覆盖有团簇保护层的凸部和没有覆盖有团簇保护层的凹部；照射步骤，以气体团簇离子束照射具有在团簇保护层形成步骤中形成的非平面结构的固体表面；以及去除团簇保护层的去除步骤。团簇保护层的厚度T满足公式(I)的关系：（见图）其中n是气体团簇离子束的剂量，以及其中团簇保护层的蚀刻效率是指每个团簇的蚀刻体积Y(假定a和b为常数)。
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