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公开(公告)号：CN119461379A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411614160.5
申请日：2024-11-13
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种降低硅片切割废料氧化可控制备低氧硅的方法，属于硅片切割废料回收与利用技术领域。本发明将硅片切割废料块体进行破碎整形得到硅片切割废料颗粒；再将硅片切割废料颗粒分层均匀平铺至微波加热炉内，在竖直方向上采用布料隔离相邻水平层的硅片切割废料颗粒，相同水平层内的相邻硅片切割废料颗粒之间留有间隙；根据初始含水率和初始含氧量、预期含氧量、装置真空度，设置温度和粒径，确定硅片切割废料颗粒的微波加热可控脱水干燥的预设时间；在真空条件下，微波加热可控脱水干燥可控降低硅片切割废料实际含水率和产品实际含氧量，从而通过降低硅片切割废料的氧化实现低氧硅产品的可控制备。
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公开(公告)号：CN117800589A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410032964.8
申请日：2024-01-10
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C03C1/02
Abstract: 本发明涉及一种废旧石英坩埚的高效回收方法，属于光伏固废资源综合回收与利用技术领域。本发明将废旧石英坩埚破碎，根据粒度进行分级得到不同粒度级别的废旧石英块体；分别将不同粒度级别的废旧石英块体加入到着色液中进行着色处理，然后分别进行激光照射实现分离焙烧处理，得到激光提纯石英块体；激光提纯石英块体经氢氟酸清洗表面以脱除方石英析晶层，得到3N级石英块体；3N级石英块体进行精细洁净制粉得到3N级石英粉，3N级石英粉加入到酸性溶液中酸浸深度除杂得到4N级以上再生高纯石英粉；4N级以上再生高纯石英粉经纯水清洗，烘干得到4N级以上再生高纯石英粉产品。
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公开(公告)号：CN113044845A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110244366.3
申请日：2021-03-05
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种硅片切割废料高效提纯的方法，属于硅二次资源综合利用技术领域。本发明针对现有的硅片切割废料前端预处理和提纯分段进行引起的生产效率低、易扬尘、预处理过程金属杂质二次污染和提纯过程颗粒表面二次氧化严重等实际问题，将新鲜的硅片切割浆液直接浓缩至液固比mL:g低于3:1的硅片切割废料糊，采用湿法浸出介质对硅片切割废料糊进行直接湿法化学提纯去除硅片切割废料表面的沾污金属杂质，经多次洗涤和浓缩得到4‑5N高纯硅粉糊；将4‑5N高纯硅粉糊直接造粒成型，迅速控氧干燥即得4‑5N高纯硅球团。本发明方法具有设备要求简单、流程短、产品附加值高、操作容易、适合规模化工业生产等优点。
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公开(公告)号：CN111777070A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010704101.2
申请日：2020-07-21
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/021 , C30B28/04 , C30B29/06
Abstract: 本发明涉及一种金刚石线硅片切割废料高值化再生利用的方法，属于硅二次资源再生利用技术领域。为了实现金刚石线切割废料的高值化再生利用，本发明采用酸性湿法浸出预处理，使得硅微颗粒表面大量的金属杂质和二氧化硅表面氧化层得以快速溶解去除，再结合多晶硅铸锭的方法将湿法提纯后的高纯硅粉与铸锭原料掺兑进行铸锭和晶体生长获得可以用于多晶硅太阳电池用的多晶硅锭。该方法具有设备要求简单、流程短、成本低、操作容易、适合规模化工业生产等优点。
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公开(公告)号：CN104878205A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510189642.5
申请日：2015-04-21
Applicant: 昆明理工大学
CPC classification number: Y02P10/234 , Y02P10/236 , Y02P20/124 , Y02P20/129
Abstract: 本发明涉及一种回收废旧电路板中有价金属的方法，属于冶金技术领域。首先将废旧电路板置于真空炉中热解，热解完成后获得热解渣；将热解渣加入石灰石熔剂和还原剂焦炭，熔炼获得阳极铜，阳极铜经铸锭后作为阳极；以阳极铜作为阳极、钛板为阴极进行电解精炼，即能在阴极获得阴极铜，在电解过程中产出富含贵金属的阳极泥；将阳极泥加水进行浆化，加水、调酸后在通入压缩空气或氧气浸出，将浸出矿浆进行固液分离后获得浸出液和贵金属富集的浸出渣，向浸出液中加入铜粉获得碲和硫酸铜。本发明在初次处理过程中采用真空热解的方法，对非金属、铅锡焊料以及热解渣进行了有效分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119822382A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510059883.1
申请日：2025-01-15
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/18
Abstract: 本发明涉及一种利用硅片切割废料可控制备一氧化硅的方法，属于硅片切割废料回收与利用技术领域。针对硅片切割废料粒度为亚微米级，易氧化的特点，本发明将硅片切割废料经过干燥、破碎处理，通过湿法酸性浸出去除硅片切割废料中的杂质得到纯度大于2N的硅粉；将硅粉置于真空环境中，缓慢通入氧气在高温条件下进行可控反应生成一氧化硅；利用气体捕集装置将一氧化硅快速导入冷凝管道进行冷却和凝结，并控制冷凝管道的温度梯度，调控沉积为一氧化硅粉末。本发明具有原料适应性强、设备操作简单、经济效益高、节能环保等优势，为一氧化硅的成本制备提供了可靠的技术途径。
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公开(公告)号：CN118545723A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410699197.6
申请日：2024-05-31
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种废旧石英坩埚的回收处理方法，属于光伏固废资源综合回收与利用技术领域。本发明将废旧石英坩埚破碎得到废旧石英块体，废旧石英块体经高压水冲洗以脱除废旧石英块体内外两层的方石英析晶疏松层和杂质，得到粗提纯石英块体；粗提纯石英块体经氢氟酸清洗表面以脱除方石英析晶釉状致密层，得到3N级石英块体；3N级石英块体进行精细洁净制粉得到3N级石英粉，3N级石英粉加入到酸液中酸浸深度除杂得到4N级以上再生高纯石英粉；4N级以上再生高纯石英粉经纯水清洗，烘干得到4N级以上再生高纯石英粉产品。本发明方法具有生产成本低、原料适应性强、处理效率高、操作容易、效果显著、适于规模化工业生产等优点。
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公开(公告)号：CN118206123A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410147733.1
申请日：2024-02-02
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/039
Abstract: 本发明涉及一种硅片切割废料制备再生高纯硅的方法，属于硅资源综合利用技术领域。针对硅片切割废料含金属杂质元素种类多和粒度细小及难以成型的特点，本发明通过将金刚石线切割硅片的废浆料制备成低水低氧的硅片切割废料滤饼；硅片切割废料滤饼经干燥脱水，将硅片切割废料颗粒和氯化剂混合均匀得到混合料，将混合料置于氯化装置中加热，升温至预设温度Ⅰ形成熔盐体系并经低温氯化反应得到低温氯化混合物；低温氯化混合物继续升温至预设温度Ⅱ并进行高温熔炼，得到下层硅熔体和上层氯化剂熔盐液相，分离出上层氯化剂熔盐液相，下层硅熔体继续高温精炼得到再生高纯硅。本发明的原料适应性强、设备要求简单、操作流程短、产品附加值高。
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公开(公告)号：CN111829293A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010729525.4
申请日：2020-07-27
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种流化床干燥硅片切割废料的方法，属于硅二次资源再生利用技术领域。本发明针对硅片切割废料压滤后的滤饼水分含量高，采用常规的蒸汽干燥、微波干燥等方式，不仅干燥效率低、水分去除不彻底，还会造成硅片切割废料二次氧化和降低硅的回收率等问题，提出硅片切割废料的流化床干燥处理。在硅片切割废料进行高温处理再生利用前预先进行流化床干燥，使得残留在硅片切割废料滤饼中的水分得以高效快速的去除，同时抑制干燥过程中的硅颗粒氧化。通过流化床干燥降低原料中的水分含量，提高干燥的效率，从而提高硅片切割废料在后续过程中的利用效率，进一步提高硅的回收率。干燥后的硅片切割料可直接熔炼回收硅，或与硅原料合并精炼。
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公开(公告)号：CN118988835A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411075692.6
申请日：2024-08-07
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种脱除废旧石英坩埚析晶层的方法，属于光伏资源综合回收技术领域。本发明利用高压喷枪水射流产生的冲刷能力和击打频率将废旧石英坩埚内外两侧壁存在的析晶二氧化硅层破坏、冲刷而分离脱除，并结合圆筒筛分喷洗装置实现废旧石英坩埚物料的倾翻从而保证内外两侧壁存在的析晶二氧化硅层充分分离与杂质喷洗脱除。本发明方法具有生产处理效率高、分离效果好、可同步去除杂质、原料适应性强、设备投入低、处理过程清洁无污染、能耗投入低、适于实现机械化规模化工业生产等特点，克服了其它机械加工处理、选矿处理及化学处理等方法存在的析晶层分离脱除不彻底、处理效率低、能耗投入大、污水处理困难等不足的问题。
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