公开(公告)号：CN110875063B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201910681488.1

申请日：2019-07-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  武晃司 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  茂智雄 ,  张磊 ,  徐晨 ,  梅本裕二 ,  小柳浩 ,  丹羽和也 ,  神边哲也

IPC: G11B5/48 ,  G11B5/66

Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。磁性层从基板侧开始具有第一磁性层和第二磁性层。第一磁性层和第二磁性层分别具有粒状结构，晶界部处包含C、SiO2、及BN。第一磁性层和第二磁性层的晶界部的体积分数分别位于25体积％～45体积％的范围内。第一磁性层的C的体积分数位于5体积％～22体积％的范围内。第一磁性层和第二磁性层的SiO2相对于BN的体积比分别位于0.25～3.5的范围内。第二磁性层的SiO2的体积分数比第一磁性层的SiO2的体积分数大5体积％以上。第二磁性层的BN的体积分数比第一磁性层的BN的体积分数小2体积％以上。

公开(公告)号：CN110875063A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910681488.1

申请日：2019-07-26

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 福岛隆之 ,  武晃司 ,  柴田寿人 ,  山口健洋 ,  茂智雄 ,  张磊 ,  徐晨 ,  梅本裕二 ,  小柳浩 ,  丹羽和也 ,  神边哲也

IPC: G11B5/48 ,  G11B5/66

Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。磁性层从基板侧开始具有第一磁性层和第二磁性层。第一磁性层和第二磁性层分别具有粒状结构，晶界部处包含C、SiO2、及BN。第一磁性层和第二磁性层的晶界部的体积分数分别位于25体积％～45体积％的范围内。第一磁性层的C的体积分数位于5体积％～22体积％的范围内。第一磁性层和第二磁性层的SiO2相对于BN的体积比分别位于0.25～3.5的范围内。第二磁性层的SiO2的体积分数比第一磁性层的SiO2的体积分数大5体积％以上。第二磁性层的BN的体积分数比第一磁性层的BN的体积分数小2体积％以上。