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公开(公告)号：CN113053422B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202011388537.1
申请日：2020-12-02
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质，其在形成磁记录层时，即使将基板加热至高温，也能够提高SNR以及OW特性，磁记录介质(100)在基板(1)之上依次具有软磁性基底层(2)、非晶阻挡层(3)以及磁记录层(5)，软磁性基底层包括Fe、B、Si以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，B的含量在12mol％～16mol％的范围内，Si的含量在5mol％～15mol％的范围内，非晶阻挡层包括Si、W以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，Si的含量在10mol％～30mol％的范围内，W的含量在20mol％～60mol％的范围内，磁记录层包括具有L10结构的合金。
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公开(公告)号：CN111798876B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202010269127.9
申请日：2020-04-08
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种矫磁力以及构成磁性层的磁性粒子的磁晶各向异性高的磁记录介质。磁记录介质(100)包括依序设置的基板(1)、衬底层(2)及磁性层(3)，磁性层(3)包括具有L10结构的磁性粒子以及含晶界部的颗粒结构，且晶界部的体积分数在25体积％～50体积％的范围内。磁性粒子相对于基板(1)具有c轴取向。晶界部包含晶格常数在0.30nm～0.36nm范围内，或0.60nm～0.72nm范围内的物质。
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公开(公告)号：CN113053423A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011381766.0
申请日：2020-12-01
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够使磁性层的(001)取向性提高的磁记录介质，磁记录介质(100)依次具有基板(1)、基底层(2)以及磁性层(30)，基底层(2)具有第一基底层(21)，该第一基底层包括由通式MgO(1－X)表示的化合物，该通式中，X在0.07～0.25的范围内，磁性层(3)包括具有L10构造的合金，具有L10构造的合金具有包括B的第一磁性层(31)，第一基底层(21)与第一磁性层(31)相接。
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公开(公告)号：CN110648693B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910552861.3
申请日：2019-06-25
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供一种热辅助磁记录介质和磁存储装置，热辅助磁记录介质依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层，其中，所述底层包括第一底层，所述第一底层包含氧化镁和从由氧化钒、氧化锌、氧化锡、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物，所述化合物的总含量位于45mol％～70mol％的范围内。
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公开(公告)号：CN110875063A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910681488.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，依次具有基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。磁性层从基板侧开始具有第一磁性层和第二磁性层。第一磁性层和第二磁性层分别具有粒状结构，晶界部处包含C、SiO2、及BN。第一磁性层和第二磁性层的晶界部的体积分数分别位于25体积％～45体积％的范围内。第一磁性层的C的体积分数位于5体积％～22体积％的范围内。第一磁性层和第二磁性层的SiO2相对于BN的体积比分别位于0.25～3.5的范围内。第二磁性层的SiO2的体积分数比第一磁性层的SiO2的体积分数大5体积％以上。第二磁性层的BN的体积分数比第一磁性层的BN的体积分数小2体积％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106205644B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201610307404.4
申请日：2016-05-11
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/7325
Abstract: 一种至少在非磁性基板之上依次积层了软磁性层、底层、中间层、及垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中：所述软磁性层至少具有非晶体结构的软磁性膜；所述底层具有第1底层和第2底层，该第2底层位于所述第1底层和所述中间层之间；所述第1底层由非晶体结构的TiV合金构成；所述第2底层由NiW合金构成，该NiW合金包括从Co、Cu、Al、Cr、及Fe所组成的组中所选择的至少一种元素；所述中间层包括Ru或Ru合金；及所述软磁性层、所述第1底层、及所述第2底层按该顺序进行了积层。
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公开(公告)号：CN106205644A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610307404.4
申请日：2016-05-11
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B5/7325 , G11B5/7006 , G11B5/70605 , G11B5/70626 , G11B5/7315
Abstract: 一种至少在非磁性基板之上依次积层了软磁性层、底层、中间层、及垂直磁记录层的垂直磁记录介质，其中：所述软磁性层至少具有非晶体结构的软磁性膜；所述底层具有第1底层和第2底层，该第2底层位于所述第1底层和所述中间层之间；所述第1底层由非晶体结构的TiV合金构成；所述第2底层由NiW合金构成，该NiW合金包括从Co、Cu、Al、Cr、及Fe所组成的组中所选择的至少一种元素；所述中间层包括Ru或Ru合金；及所述软磁性层、所述第1底层、及所述第2底层按该顺序进行了积层。
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公开(公告)号：CN113053422A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011388537.1
申请日：2020-12-02
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质，其在形成磁记录层时，即使将基板加热至高温，也能够提高SNR以及OW特性，磁记录介质(100)在基板(1)之上依次具有软磁性基底层(2)、非晶阻挡层(3)以及磁记录层(5)，软磁性基底层包括Fe、B、Si以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，B的含量在12mol％～16mol％的范围内，Si的含量在5mol％～15mol％的范围内，非晶阻挡层包括Si、W以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，Si的含量在10mol％～30mol％的范围内，W的含量在20mol％～60mol％的范围内，磁记录层包括具有L10结构的合金。
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公开(公告)号：CN109979492B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201811365060.8
申请日：2018-11-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种SNR较高的磁记录介质。磁记录介质100，依次具有衬底1、基底层2、以及具有(001)取向并具有L10结构的磁性层3。磁性层3具有粒状结构，并且在磁性颗粒的晶界部存在具有亚甲基骨架或次甲基骨架的有机化合物。
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公开(公告)号：CN110517709A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910397007.4
申请日：2019-05-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁存储装置。提供一种SNR较高的磁记录介质，其依次具有基板、底层、及进行了(001)取向并具有L10结构的磁性层。该磁性层具有粒状结构，并包含碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物。
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