公开(公告)号：CN1826186A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480021077.1

申请日：2004-06-24

Applicant: 普林斯顿大学理事会

Inventor： P·普曼斯 ,  S·内田 ,  S·R·福里斯特

IPC: B05D5/06 ,  B05D5/12 ,  B05D3/02

CPC classification number: H01L51/4253 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/424 ,  H01L51/4246 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549

Abstract: 公开了有机光敏光电子器件。该器件是暴露于光时能够产生电压的薄膜结晶态有机光电子器件，其制备方法包括如下步骤：在第一电极上沉积第一有机层；在第一有机层上沉积第二有机层；在第二有机层上沉积限制层以形成叠层；对该叠层进行退火；最后在第二有机层上沉积第二电极。

公开(公告)号：CN1826186B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200480021077.1

申请日：2004-06-24

Applicant: 普林斯顿大学理事会

Inventor： P·普曼斯 ,  内田聪一 ,  S·R·福里斯特

IPC: H01L51/42 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01L51/4253 ,  H01L51/0026 ,  H01L51/0053 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/424 ,  H01L51/4246 ,  H01L2251/308 ,  Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了有机光敏光电子器件。该器件是暴露于光时能够产生电压的薄膜结晶态有机光电子器件，其制备方法包括如下步骤：在第一电极上沉积第一有机层；在第一有机层上沉积第二有机层；在第二有机层上沉积限制层以形成叠层；对该叠层进行退火；最后在第二有机层上沉积第二电极。