公开(公告)号：CN102187464B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN200980138316.4

申请日：2009-10-06

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 岩永健介 ,  横山诚一 ,  桥本英喜 ,  野中贤一 ,  佐藤雅 ,  露口士夫

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种在p型SiC半导体上具有Ni/Ti/Al积层结构的电阻性电极的半导体装置，它是一种可以同时优化所述电阻性电极的接触阻抗与面粗度(表面的粗糙程度)两种特性的半导体装置。该半导体装置具有积层结构的电阻性电极(18)，该积层结构的电阻性电极(18)是由在p型碳化硅半导体区域(13)上以镍(Ni)层(21)、钛(Ti)层(22)、铝(Al)层(23)的顺序积层形成的。该电阻性电极(18)包含14～47原子％的镍元素、5～12原子％的钛元素以及35～74原子％的铝元素，同时，镍元素与钛元素的原子比为1～11。

公开(公告)号：CN1838435A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610065381.7

申请日：2006-03-23

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  岩永健介 ,  齐藤吉三

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L29/7722 ,  Y10S438/931

Abstract: 结型半导体装置及其制造方法。本发明的结型半导体装置具有：由形成于半导体晶体的一个面上的第一导电型的低电阻层构成的漏区(11)；由形成于半导体晶体的另一面上的第一导电型的低电阻层构成的源区(12)；形成于源区(12)周围的第二导电型的栅区(13)；以及源区(12)和漏区(11)之间的第一导电型的高电阻层(14)。在栅区(13)和源区(12)之间的半导体晶体的表面附近设有第二导电型的复合抑制半导体层(16)。

公开(公告)号：CN102187464A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980138316.4

申请日：2009-10-06

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 岩永健介 ,  横山诚一 ,  桥本英喜 ,  野中贤一 ,  佐藤雅 ,  露口士夫

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种在p型SiC半导体上具有Ni/Ti/Al积层结构的电阻性电极的半导体装置，它是一种可以同时优化所述电阻性电极的接触阻抗与面粗度(表面的粗糙程度)两种特性的半导体装置。该半导体装置具有积层结构的电阻性电极(18)，该积层结构的电阻性电极(18)是由在p型碳化硅半导体区域(13)上以镍(Ni)层(21)、钛(Ti)层(22)、铝(Al)层(23)的顺序积层形成的。该电阻性电极(18)包含14～47原子％的镍元素、5～12原子％的钛元素以及35～74原子％的铝元素，同时，镍元素与钛元素的原子比为1～11。

公开(公告)号：CN102097462A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010532941.1

申请日：2010-10-21

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  堀内明彦 ,  根来佑树 ,  露口士夫 ,  浅田毅 ,  清水正章

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7322 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66272

Abstract: 本发明提供一种可以通过简单的流程进行生产、成品率高、具有较高电流放大率的双极型半导体装置。双极晶体管10具有：在半导体结晶基板9的一面形成的由n型低阻抗层构成的集电区11、设置在集电区上的n型的第1高阻抗区12、设置在第1高阻抗区上的p型基区13、在半导体结晶板的另一面形成的n型低阻抗的发射区14、在发射区与基区之间设置为与发射区相接触的n型第2高阻抗区15、设置在第2高阻抗区周围并与其接触的n型复合抑制区17、以及与复合抑制区接邻设置并与基区接合的p型低阻抗基极接触区16，第2高阻抗区15及复合抑制区17的杂质浓度分别在1×1017cm-3以下。

公开(公告)号：CN1909191A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610108343.5

申请日：2006-08-02

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  岩黑弘明 ,  西川恒一 ,  清水正章 ,  福田裕介

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/337 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/8083 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/266 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明披露了一种离子注入掩模(10)的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体基材(11)的整个表面上形成作为保护膜的氧化物膜(12)；在所述氧化物膜(12)上形成金属薄膜(13)；在所述金属薄膜(13)上形成由离子阻止性金属构成的离子阻止层(14)。所得的离子注入掩模(10)可以用来形成较深的选择性导电区域。

公开(公告)号：CN1747309A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200510099264.8

申请日：2005-09-08

Applicant: 富士电机电子技术株式会社 ,  夏普株式会社 ,  本田技研工业株式会社

Inventor： 澄田仁志 ,  寺本章伸 ,  野中贤一 ,  仲敏男

IPC: H02M7/5387

CPC classification number: H02P27/06 ,  B60L3/003 ,  B60L2210/20 ,  H02M7/003 ,  Y02T10/725

Abstract: 逆变器单元、集成电路芯片以及车辆驱动装置。提供了一种可小型化的、低成本高可靠性的逆变器单元。将控制电路部分、第一驱动与异常检测电路部分及第二驱动与异常检测电路部分形成SOI基板上，作为一个集成电路芯片，该控制电路部分用于控制包括在逆变器电路部分中的高击穿电压半导体元件的操作定时，该第一驱动与异常检测电路部分以及第二驱动与异常检测电路部分用于输出根据操作定时来驱动高击穿电压半导体元件的驱动信号并向控制电路部分反馈逆变器电路部分的异常。在该集成电路芯片上，通过电介质使基准电势不同的电路形成区彼此分隔开。形成有多个电平切换器，用于发送在通过电介质分隔开的电路形成区之间交换的信号。

公开(公告)号：CN100511954C

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200510099264.8

申请日：2005-09-08

Applicant: 富士电机电子技术株式会社 ,  夏普株式会社 ,  本田技研工业株式会社

Inventor： 澄田仁志 ,  寺本章伸 ,  野中贤一 ,  仲敏男

IPC: H02M7/5387

CPC classification number: H02P27/06 ,  B60L3/003 ,  B60L2210/20 ,  H02M7/003 ,  Y02T10/725

Abstract: 逆变器单元、集成电路芯片以及车辆驱动装置。提供了一种可小型化的、低成本高可靠性的逆变器单元。将控制电路部分、第一驱动与异常检测电路部分及第二驱动与异常检测电路部分形成SOI基板上，作为一个集成电路芯片，该控制电路部分用于控制包括在逆变器电路部分中的高击穿电压半导体元件的操作定时，该第一驱动与异常检测电路部分以及第二驱动与异常检测电路部分用于输出根据操作定时来驱动高击穿电压半导体元件的驱动信号并向控制电路部分反馈逆变器电路部分的异常。在该集成电路芯片上，通过电介质使基准电势不同的电路形成区彼此分隔开。形成有多个电平切换器，用于发送在通过电介质分隔开的电路形成区之间交换的信号。

公开(公告)号：CN100499051C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610065382.1

申请日：2006-03-23

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  岩永健介 ,  齐藤吉三 ,  岩黑弘明 ,  清水正章 ,  福田祐介 ,  西川恒一 ,  前山雄介

IPC: H01L21/337

CPC classification number: H01L29/7722

Abstract: 结型半导体装置的制造方法。该结型半导体装置的制造方法由以下工序构成：第一高电阻层形成工序；沟道掺杂层形成工序；第二高电阻层形成工序；形成作为源区的第一导电型的低电阻层(34)的工序；进行局部刻蚀直至低电阻层(34)和第二高电阻层(33)的中途深度的工序；在刻蚀工序中刻蚀后的部分的下部形成栅区(G)的工序；以及在栅区(G)和源区之间的区域的表面形成保护膜(38)的工序。在预先刻蚀到了源区下面和沟道掺杂层的上面之间的高度的面上，使用较低能量的离子注入来形成栅区。

公开(公告)号：CN100544023C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200680021188.1

申请日：2006-06-09

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 野中贤一

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/732 ,  H01L29/24

CPC classification number: H01L29/73 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/732

Abstract: 本发明提供一种双极半导体器件及其制造方法。一种半导体晶体包括布置在基极接触区(16)与发射极区(14)之间的表面的附近的具有第二导电类型的复合抑制半导体层(17)，并且该复合抑制半导体层(17)将具有大量表面状态的半导体表面与主要传导空穴电流的部分和电子电流的部分分离。抑制了复合，从而增大了电流放大因子并降低了导通电压。

公开(公告)号：CN101443910A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200780017224.1

申请日：2007-04-25

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 加藤武士 ,  大串健次 ,  野中贤一 ,  东谷义彦 ,  斋藤吉三 ,  冈本宪治

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L23/057 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3011 ,  H05K1/0271 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/0061 ,  H05K3/38 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2201/068 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块(10)，所述功率半导体模块(10)具有集成电路板(11)，所述集成电路板(11)具有被接合的金属基板电极(14)、绝缘基板(15)和散热片(12)。碳化硅半导体功率器件(13)接合到电路板的金属基板电极的顶部。在从室温到接合时间温度的温度范围内，电路板的多个组成材料之间的平均热膨胀系数差为2.0ppm/℃或更小，并且由操作温度和接合温度之间的差产生的电路板的组成材料之间的膨胀差为2000ppm或更小。