公开(公告)号：CN1118928C

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN97110910.9

申请日：1997-04-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上野雄司

IPC: H03G3/30

CPC classification number: H05B33/08 ,  Y02B20/32

Abstract: 能减少辉度不均，防止内部晶体管损坏，减少振动形成的噪声的EL显示装置驱动电路具备：接受振荡电路(6)的脉冲信号并使直流电压源(2)升压的升压电路(10)；连到升压电路，由第1～第4MOSFET(21～24)和反相器(25)构成的开关装置(20)；连到开关装置输出端子X，Y上的EL器件(1)；接受开关电路输出，并向其送出控制信号的电压检测电路。升压电路由线圈(11)和二极管(12)的串连电路和主电极连到串连电路上，控制电极接受脉冲信号的升压晶体管(13)构成。

公开(公告)号：CN1159770C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN99107965.5

申请日：1999-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 十河诚治 ,  上野雄司 ,  山口诚毅 ,  森吉弘 ,  八谷佳明 ,  高桥理 ,  山西雄司 ,  平野龙马

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在延长漏极区(3)内部，形成P型埋入区(2)。用高能量硼离子注入法或者热扩散法形成P型埋入区(3)通过用离子注入法或POCl3扩散法，往延长漏极区的一部分表面或者整个表面掺入磷或砷等杂质，而形成N型高浓度区1。MOSFET动作时，由于漏极电流流过N型高浓度区(1)，所以通态电阻被减小了。

公开(公告)号：CN100345307C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200310124832.6

申请日：1999-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 十河诚治 ,  上野雄司 ,  山口诚毅 ,  森吉弘 ,  八谷佳明 ,  高桥理 ,  山西雄司 ,  平野龙马

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，包括：第1导电型半导体衬底；形成在上述半导体衬底内的第2导电型源极区；形成在上述半导体衬底内的第2导电型漏极区；在上述源极区和上述漏极区之间所设置的沟道区；以及形成在上述沟道区之上方的栅极电极，其特征在于：备有第1导电型埋入区，所述第1导电型埋入区的至少一部分被包含在上述漏极区内的多个部分，并且所述第一导电型埋入区为了使间隙区的配置方向沿着漏极电流的电流方向而呈直线排列。

公开(公告)号：CN1518126A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200310124832.6

申请日：1999-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 十河诚治 ,  上野雄司 ,  山口诚毅 ,  森吉弘 ,  八谷佳明 ,  高桥理 ,  山西雄司 ,  平野龙马

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，备有：第1导电型半导体衬底、形成在上述半导体衬底内的第2导电型源极区、形成在上述半导体衬底内的第2导电型漏极区、在上述源极区和漏极区之间所设置的沟道区以及形成在上述沟道区之上方的栅极电极；其特征在于：备有第1导电型埋入区，所述第1导电型埋入区的至少一部分被分成包含在上述漏极区内的多个部分，并且所述第1导电型埋入区为了使间隙区的配置方向沿着漏极电流的电流方向而呈直线排列。

公开(公告)号：CN1170276A

公开(公告)日：1998-01-14

申请号：CN97110910.9

申请日：1997-04-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上野雄司

IPC: H03G3/30

CPC classification number: H05B33/08 ,  Y02B20/32

Abstract: 能减少辉度不均,防止内部晶体管损坏,减少振动形成的噪声的EL显示装置驱动电路具备:接受振荡电路6的脉冲信号并使直流电压源2升压的升压电路10;连到升压电路,由第1～第4MOSFET21～24和反相器25构成的开关装置20;连到开关装置输出端子X,Y上的EL器件1;接受开关电路输出,并向其送出控制信号的电压检测电路。升压电路由线圈11和二极管12的串连电路和主电极连到串连电路上,控制电极接受脉冲信号的升压晶体管13构成。