公开(公告)号：CN100345307C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200310124832.6

申请日：1999-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 十河诚治 ,  上野雄司 ,  山口诚毅 ,  森吉弘 ,  八谷佳明 ,  高桥理 ,  山西雄司 ,  平野龙马

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，包括：第1导电型半导体衬底；形成在上述半导体衬底内的第2导电型源极区；形成在上述半导体衬底内的第2导电型漏极区；在上述源极区和上述漏极区之间所设置的沟道区；以及形成在上述沟道区之上方的栅极电极，其特征在于：备有第1导电型埋入区，所述第1导电型埋入区的至少一部分被包含在上述漏极区内的多个部分，并且所述第一导电型埋入区为了使间隙区的配置方向沿着漏极电流的电流方向而呈直线排列。

公开(公告)号：CN1518126A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200310124832.6

申请日：1999-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 十河诚治 ,  上野雄司 ,  山口诚毅 ,  森吉弘 ,  八谷佳明 ,  高桥理 ,  山西雄司 ,  平野龙马

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，备有：第1导电型半导体衬底、形成在上述半导体衬底内的第2导电型源极区、形成在上述半导体衬底内的第2导电型漏极区、在上述源极区和漏极区之间所设置的沟道区以及形成在上述沟道区之上方的栅极电极；其特征在于：备有第1导电型埋入区，所述第1导电型埋入区的至少一部分被分成包含在上述漏极区内的多个部分，并且所述第1导电型埋入区为了使间隙区的配置方向沿着漏极电流的电流方向而呈直线排列。

公开(公告)号：CN1135622C

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN98123989.7

申请日：1998-11-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 十河诚治

IPC: H01L27/00 ,  H01L29/00

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在P型半导体基片上通过扩散形成N-型区，并且在N-型区的表面部分形成P型区。在N-型区外周部分形成P+型区，以便当施加高电压时抑制P型半导体基片的耗尽层的扩展。在半导体基片上形成栅氧化膜，并且在栅氧化膜上、特别是在基本上与横向N型沟道MOSFET的结构相同的沟道上形成多晶硅的栅极。在N-型区内形成各电路元件并施加高电压。电路部分被隔离，而栅极和源区接地。这减少了制造高绝缘IC的步骤，提高了击穿电压并集成更密集的电路。

公开(公告)号：CN1159770C

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN99107965.5

申请日：1999-06-08

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 十河诚治 ,  上野雄司 ,  山口诚毅 ,  森吉弘 ,  八谷佳明 ,  高桥理 ,  山西雄司 ,  平野龙马

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在延长漏极区(3)内部，形成P型埋入区(2)。用高能量硼离子注入法或者热扩散法形成P型埋入区(3)通过用离子注入法或POCl3扩散法，往延长漏极区的一部分表面或者整个表面掺入磷或砷等杂质，而形成N型高浓度区1。MOSFET动作时，由于漏极电流流过N型高浓度区(1)，所以通态电阻被减小了。