公开(公告)号：CN101483318B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200910001611.7

申请日：2009-01-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤本康弘 ,  中谷东吾 ,  高山彻 ,  木户口勋

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/4031 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4087 ,  H01S2301/173

Abstract: 提供一种抑制活性层发生结晶缺陷，并改善对发光点施加的应力的非对称性，从而可防止可靠性降低且提高偏光特性的半导体激光装置。在由n型GaAs构成的基板(10)上集成有红色激光部(1)和红外激光部(2)。在红色激光部(1)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(14)、和红外激光部(2)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(24)，分别设置有具有发光点的脊条部，在各脊条部的两侧方形成有由SiNx构成的电流阻碍层(15A)，在电流阻碍层(15A)上的各脊条部的外侧的区域中，选择性形成有由ZrO2构成的应变缓和层(15B)。当设p型金属包层(14、24)的热膨胀系数为Tc、电流阻碍层(15A)的热膨胀系数为Tb、应变缓和层(15B)的热膨胀系数为Tc时，满足Tb＜Tc＜Ts的关系。

公开(公告)号：CN101483318A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200910001611.7

申请日：2009-01-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 藤本康弘 ,  中谷东吾 ,  高山彻 ,  木户口勋

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/22

CPC classification number: H01S5/4031 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/3406 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/4087 ,  H01S2301/173

Abstract: 提供一种抑制活性层发生结晶缺陷，并改善对发光点施加的应力的非对称性，从而可防止可靠性降低且提高偏光特性的半导体激光装置。在由n型GaAs构成的基板(10)上集成有红色激光部(1)和红外激光部(2)。在红色激光部(1)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(14)、和红外激光部(2)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(24)，分别设置有具有发光点的脊条部，在各脊条部的两侧方形成有由SiNx构成的电流阻碍层(15A)，在电流阻碍层(15A)上的各脊条部的外侧的区域中，选择性形成有由ZrO2构成的应变缓和层(15B)。当设p型金属包层(14、24)的热膨胀系数为Tc、电流阻碍层(15A)的热膨胀系数为Tb、应变缓和层(15B)的热膨胀系数为Tc时，满足Tb＜Tc＜Ts的关系。