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公开(公告)号：CN101047301A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710088516.6
申请日：2007-03-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/2206 , H01S5/3201 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S2301/173
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件，在半导体衬底(101)上具有从距半导体衬底(101)较近的一侧依次层叠第一包覆层(103)、活性层(104)及第二包覆层(105)而成的叠层结构。第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，对半导体衬底(101)具有压缩应变，并且第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，包含对半导体衬底(101)具有拉伸应变的半导体层(106)。因此，能够提供一种具有能够提高元件可靠性的结构的半导体激光元件。
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公开(公告)号：CN101185211A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200680018439.0
申请日：2006-12-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , G11B7/127 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S5/3211 , H01S5/3436 , H01S5/4087
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置及其制造方法。在将红外线激光部(100)和红色激光部(130)装载在同一n型GaAs基板(101)上的单片两波长激光装置中，红外线激光部(100)的p型第一覆盖层(105)和红色激光部(130)的p型第一覆盖层(135)由同一材料构成且彼此具有不同的杂质浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101252254A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710167220.3
申请日：2007-11-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/222 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087
Abstract: 本发明公开了一种可实现不存在由于杂质扩散所导致的漏电流产生及高输出动作时可靠性降低的、包括多个谐振器的半导体激光装置。半导体激光装置包括彼此间留有间隔地形成在半导体衬底(10)上的第一谐振器(12)及第二谐振器(13)。该第一谐振器具有第一缓冲层(21)和包含第一活性层(23)的第一半导体层(20)，该第二谐振器具有第二缓冲层(31)和包含第二活性层(33)的第二半导体层(30)。在上述第一半导体层及上述第二半导体层的端面附近的区域分别形成了端面窗部(20a、30a)。第一缓冲层(21)的禁带宽度比第一活性层(23)的禁带宽度大，第二缓冲层(31)的禁带宽度比第二活性层(33)的禁带宽度大。
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公开(公告)号：CN101483318B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910001611.7
申请日：2009-01-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/3406 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/173
Abstract: 提供一种抑制活性层发生结晶缺陷，并改善对发光点施加的应力的非对称性，从而可防止可靠性降低且提高偏光特性的半导体激光装置。在由n型GaAs构成的基板(10)上集成有红色激光部(1)和红外激光部(2)。在红色激光部(1)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(14)、和红外激光部(2)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(24)，分别设置有具有发光点的脊条部，在各脊条部的两侧方形成有由SiNx构成的电流阻碍层(15A)，在电流阻碍层(15A)上的各脊条部的外侧的区域中，选择性形成有由ZrO2构成的应变缓和层(15B)。当设p型金属包层(14、24)的热膨胀系数为Tc、电流阻碍层(15A)的热膨胀系数为Tb、应变缓和层(15B)的热膨胀系数为Tc时，满足Tb＜Tc＜Ts的关系。
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公开(公告)号：CN101047301B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200710088516.6
申请日：2007-03-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/2206 , H01S5/3201 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S2301/173
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件，在半导体衬底(101)上具有从距半导体衬底(101)较近的一侧依次层叠第一包覆层(103)、活性层(104)及第二包覆层(105)而成的叠层结构。第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，对半导体衬底(101)具有压缩应变，并且第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，包含对半导体衬底(101)具有拉伸应变的半导体层(106)。因此，能够提供一种具有能够提高元件可靠性的结构的半导体激光元件。
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公开(公告)号：CN101483318A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910001611.7
申请日：2009-01-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/3406 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/173
Abstract: 提供一种抑制活性层发生结晶缺陷，并改善对发光点施加的应力的非对称性，从而可防止可靠性降低且提高偏光特性的半导体激光装置。在由n型GaAs构成的基板(10)上集成有红色激光部(1)和红外激光部(2)。在红色激光部(1)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(14)、和红外激光部(2)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(24)，分别设置有具有发光点的脊条部，在各脊条部的两侧方形成有由SiNx构成的电流阻碍层(15A)，在电流阻碍层(15A)上的各脊条部的外侧的区域中，选择性形成有由ZrO2构成的应变缓和层(15B)。当设p型金属包层(14、24)的热膨胀系数为Tc、电流阻碍层(15A)的热膨胀系数为Tb、应变缓和层(15B)的热膨胀系数为Tc时，满足Tb＜Tc＜Ts的关系。
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公开(公告)号：CN1992454A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610110844.7
申请日：2006-08-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明公开了半导体激光装置及其制造方法。目的在于：能够在形成在同一衬底上的多波长半导体激光装置中，再现性良好地获得可高温动作且具有低噪音特性的自振动型激光。在红外激光区域中，在衬底10上依次叠层有下侧覆盖层12、活性层13、第一上侧覆盖层14、蚀刻停止层15、以及成为脊部的第二上侧覆盖层16。在红色激光区域中，在衬底10上依次叠层有下侧覆盖层22、活性层23、第一上侧覆盖层24、蚀刻停止层25、以及成为脊部的第二上侧覆盖层26。红外激光的蚀刻停止层15的厚度与红色激光的蚀刻停止层25的厚度不同。
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